By performing the subsequent secondary air-based activation processing at a low temperature of 350-430 °C, air permeates deeply the inside of the carbide raw material by using as inlets the meso-holes produced in the primary air-based activation processing to produce fine micro-holes even in the inside of the carbide raw material. 続く第2次空気賦活処理を350〜430℃の低温度で行うことにより、第1次空気賦活処理にて生成されたメソ孔を入口にして、空気が炭素化物原料の内部に深く浸透してゆくようになって炭素化物原料の内部にまで細かいミクロ孔を生成する。 - 特許庁
The impurity reducing method includes a step of supplying two kinds of gas selected out of hydrogen, oxygen, chlorine, and fluorine into a processing chamber 201, and a step of exposing a quartz member 278 in the processing chamber 201 to gas activated with plasma in a low-temperature atmosphere. 本発明の不純物低減方法は、水素、酸素、塩素及びフッ素から選択される少なくとも2種類の気体を処理室201内に供給する工程と、プラズマにより活性化した気体を低温雰囲気にて処理室201内の石英部材278に曝す工程とを有する。 - 特許庁
To provide a method for controlling a circulation fan of a banana aging and processing chamber, capable of uniformising a banana's flesh temperature in a case during an aging processing, uniformising the aging degree of the whole bananas, and obtaining the bananas with a higher commercial value. 本発明はバナナ熟成加工中に、箱中のバナナ位置における果肉温度差を修正し、バナナ全体の熟成度を均一化させて商品価値のより高いバナナの熟成加工が可能となるバナナ熟成加工室の循環ファン制御方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To solve a problem that fixing ability is lowered because fixing temperature becomes lower than a set value in an early stage at the beginning of paper passing and toner is peeled to soil a folding knife, a folding roller and an image in a folding processing means in the case of performing folding processing to recording material whose basis weight is equal to or above the predetermined one. 所定以上の紙斤量の記録材に折り処理を行う場合において、通紙初期に定着温度が初期的に設定値より低下することにより定着性が低下し、トナーの剥がれが生じ、折り処理手段において折りナイフ、折りローラ、画像に汚れを付着させる。 - 特許庁
To provide an atmospheric pressure plasma processing apparatus that successively performs plasma processing on substrates while transporting many setters carrying the substrates by arranging the setters in a row, can relieve the effect of another gas flow exerted upon the blown-off flow of a process gas and, at the same time, can prevent the temperature drop of a substrate caused by intruded outside air. 多数のセッタを一列に並べて搬送しながら順次プラズマ処理する装置であって、処理ガスの吹出し流が、他のガス流の影響を受けるのを緩和するとともに外気進入により基材温度が低下するのを防止できる装置を提供する。 - 特許庁
To provide a joint structure having no crack on the surface even if there is no variation in a joint width, a joint processing material used for executing work to the joint structure and a joint processing method capable of facilitating construction work, getting along with few construction manhour and allowing expansion and contraction of an exterior wall board by the difference of temperature. 施工し易く、施工工数が少なくてすみ、しかも、寒暖の差によって外壁ボードが膨張収縮し、目地幅が変化しても、表面にクラックの入らない目地構造と、この目地構造に施工するために使用する目地処理材や目地処理方法を提供すること。 - 特許庁
In a high speed rotation chuck system of the present invention, a processing liquid supply passage 8 is formed by a through-hole 2 of a spindle 1, and a rotor 15 attached to the spindle 1 and a bearing 13 for rotating and supporting the spindle 1 are cooled by the processing liquid passing through the spindle 1, whereby a temperature increase of the motor and the bearing is prevented. この高速回転チャックシステムは,スピンドル1の貫通孔2で加工液供給通路8を形成し,スピンドル1に取り付けたロータ15,スピンドル1を回転支持する軸受13をスピンドル1を通る加工液で冷却し,モータや軸受の温度上昇を防止する。 - 特許庁
After a processing wafer is baked 102 under normal pressure in order to remove a resist cured by ion implantation 101 etc., the processed wafer is subjected to plasma ashing processing 103, 104 in a high temperature area at about 300°C in an oxygen single gas atmosphere composed of an oxygen gas substantially. イオン注入101等で硬化したレジストを除去するために、被処理ウエハを、常圧下でベーク102した後、実質的に酸素ガスからなる酸素単ガス雰囲気下において、摂氏300度前後の高温領域でプラズマ・アッシング処理103,104するものである。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can improve a pickup success rate of a semiconductor chip by decreasing peeling force between an adhesive film of a tape for wafer processing and an adherend by carrying out a pickup process at low temperature, and the tape for wafer processing used for the method. ピックアップ工程を低温下で行うことにより、ウエハ加工用テープの粘着フィルムと被着体との間の剥離力を低下させて、半導体チップのピックアップ成功率を向上させることが可能な半導体装置の製造方法及びそれに用いるウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁
The processing vessel and the vaporization vessel are respectively heated by the heating means, and the metallic vaporization material is vaporized while raising the temperature of the workpiece to the predetermined value, so that the vaporized metal atoms are fed to the surface of the workpiece in the processing vessel. そして、加熱手段によって処理容器及び蒸発容器をそれぞれ加熱して被処理物を所定温度まで昇温させつつ金属蒸発材料を蒸発させ、この蒸発した金属原子が処理容器内の被処理物表面に供給されるように構成する。 - 特許庁
At this point, the number of the semiconductor substrates 1 introduced into the processing chamber 3 and processed is three or less, the processing chamber can be lessened in size, so that a time required for raising the semiconductor substrate 1 in temperature by a heating lamp can be much shortened, and a semiconductor device can be enhanced in productivity. この際、処理室3に設置して処理する半導体基板1は3枚以下と少なく、処理室3を小さくすることができるため、ランプ加熱などを用いて基板1の昇降温に要する時間を非常に短くすることができ、生産性が改善される。 - 特許庁
To provide machine parts which unnecessitates scale removing processing after induction hardening and is capable of performing correspondence according to in-line processing, reducing the cost, moreover reducing a deformation after the induction hardening and prolonging the endurance life in a high-temperature environment, and to provide a manufacturing method of the machine parts. 高周波焼入れ後のスケール除去加工が不要でインライン化対応が可能となり、コストの低減を達成でき、しかも、高周波焼入れ後の変形を減少させることができ、高温雰囲気中での耐久寿命を延ばすことができる機械部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the resistor film includes a process of coating an insulating substrate with the resistor paste, a process of carrying out oxidation processing by heating the resistor paste applied over the insulating substrate at 200 to 240°C in an oxidizing atmosphere, and a process of baking the resistor paste having been subjected to the oxidation processing at a temperature of ≥750°C. 抵抗体ペーストを絶縁基板に塗布する工程と、絶縁基板に塗布された抵抗体ペーストを酸化性雰囲気下200〜240℃で加熱して酸化処理する工程と、酸化処理された抵抗体ペーストを750℃以上の温度で焼成する工程とを有する。 - 特許庁
The heat processing is preferably executed in conditions of a temperature range of 90°C-200°C and 10 minutes or more, and the vacuum processing is preferably executed in conditions of a range of 1×10^-3 Pa to 1×10^-5 Pa and 60 minutes or more. 熱処理としては、90℃以上200℃以下の範囲内で10分以上の条件で行われることが好ましく、真空処理としては、1×10^−3Pa以上1×10^−5Pa以下の範囲内で60分以上の条件で行われることが好ましい。 - 特許庁
The fixing temperature and the processing speed whose setting is changed are restored to the setting before it is changed stepwise through printing processing for a predetermined number of prints, whereby the lowering of the durability of a fixing device and the lowering of the productivity of the image forming apparatus are restrained to the minimum. 前記設定変更された定着温度及び処理速度は所定枚数のプリント処理を経て段階的に設定変更前の設定の戻すことにより、定着装置の耐久性の低下及び画像形成装置の生産性の低下は最小限に押さえられる。 - 特許庁
The substrate processing equipment 20 supports the substrate W as a processing object at a position so as to make it confront a heater unit 24 and keeps the temperature distribution uniform throughout the substrate W by rotating a holding member 120 that holds the substrate W, whereby the substrate W can be restrained from warping. 基板処理装置20は、ヒータ部24に対向する位置に被処理基板Wを支持すると共に、被処理基板Wを保持する保持部材120を回転させることにより、被処理基板Wの温度分布を均一に保ち、被処理基板Wの反りを抑制する。 - 特許庁
To provide an image processing circuit which is capable of sufficiently compensating a temperature characteristic of a response speed of a liquid crystal display device, which is different by gradations, while suppressing the extension of a circuit scale. 本発明は、回路規模の増加を抑えつつ、階調によって異なる液晶表示ディスプレイの応答速度の温度特性を十分に補正することができる画像処理回路を提供する。 - 特許庁
To provide a semi-conductor device manufacturing method capable of selecting and growing a silicon epitaxial film in a processing chamber in which a substrate storage area in the chamber is set to be a substantially uniform high-temperature atmosphere. 室内の基板収容領域が略均等な高温雰囲気に設定された処理室で、シリコンのエピタキシャル膜を選択成長させることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
Then in forecasting processing, this system obtains the power demand corresponding to a forecast temperature and humidity separately for each region, referring to the actual results data base, and finally obtains the quantity of power demand in the whole region. そして、予測処理において、実績データベースを参照して、地域別に、予測した気温や湿度に対応する電力需要を求め、最終的に全領域の電力需要量を求める。 - 特許庁
The Temp1 is determined by counting back such that a timer T11 times up when the preparation finishes, which is timed for the reach of the final set temperature Temp2 after the heat processing of a heat roller. Temp1は、定着ローラを加熱処理して最終的な設定温度Temp2になるタイミングに合せて準備動作が完了するタイマT11がタイムアップするように逆算して決定される。 - 特許庁
When a fore-and-aft differential pressure ΔPg of the DPF4 exceeds a predetermined differential pressure ΔPh, regeneration processing of the DPF4 is performed by raising the exhaust temperature by increasing the output of an engine 1. DPF4の前後差圧△Pgが所定差圧△Phを超えた際に、エンジン1の出力を増加させて排気温度を上昇させることでDPF4の再生処理を行うように構成した。 - 特許庁
To provide a compact and inexpensive surface drying device of a simple structure having high heat utilizing efficiency, obtaining a high temperature even if a heating means is small, having high processing speed in drying, and having beautiful finish. 簡単な構造で小型コンパクトで安価な、熱の利用効率が高く、加熱手段が小さくても高温が得られ、乾燥の処理スピードが速く、仕上がりがきれいである表面乾燥装置の提供。 - 特許庁
To provide a heating device and a heating method in which uneven temperature is not caused in a subject surface of a subject article to restrict unnecessary thermal deformation of the subject article and improve heat processing precision. 被加熱物の被加熱面に温度むらを生じさせずに加熱することで、被加熱物の不要な熱変形を抑えることができ、熱加工精度を向上させる加熱装置と加熱方法の提供。 - 特許庁
In the exhaust emission control processing, for example, a control valve 222 is opened for a period when a cooling water temperature Tw of the engine 200 becomes below a threshold Tw0, and the oxygen-enriched gas is supplied to the exhaust pipe 210. 排気浄化処理では、例えば、エンジン200の冷却水温Twが閾値Tw0未満となる期間において制御バルブ222が開かれ、排気管210に酸素富化ガスが供給される。 - 特許庁
At this time, the central processing unit (CPU) extracts a recognition value relating to temperature information of a switching element 120, and controls output of a PWM signal depending on a result of the recognition value. このとき、中央演算処理回路CPUで、スイッチング素子120の温度情報に関係する認識値を抽出し、かかる認識値の結果に応じてPWM信号の出力制御を行う。 - 特許庁
While an excessive output state continues for a first predetermined period, e.g. ≥10 sec, the monitoring control section 62 uses a second temperature compensating ATT 44 to execute attenuation processing of signals. 監視制御部62は、過出力状態が第1の所定期間、例えば10秒以上継続しているときに、第2の温度補償用ATT44を用いて信号の減衰処理を行う。 - 特許庁
To prepare a white polyester film for molding a container excellent in environmental properties, concealing capacity, low temperature impact resistance, printability, molding processing characteristics and heat resistance during heating in a microwave oven, and to provide a white polyester container. 環境性、隠蔽性、耐寒衝撃性、印刷性、成形加工性および電子レンジ耐熱性などに優れた容器成形用白色ポリエステルフィルムと、白色ポリエステル容器を提供すること。 - 特許庁
To provide a positive-type photosensitive polyimide composition which enables processing of a fine pattern, can form a coating film having excellent heat resistance and a linear expansion coefficient proximal to that of a substrate, and does not need imidization at a high temperature. 微細パターンの加工ができ、得られた被膜の耐熱性と基材との線膨張係数が近接し、かつ高温でのイミド化を必要としない、ポジ型感光性ポリイミド組成物を提供する。 - 特許庁
The semiconductor sensor comprises a semiconductor sensor chip 1, which detects acceleration which is the dynamic physical quantity, an IC tip 2 for signal processing of a rectangular plate having a temperature compensation circuit, and a rectangular plate-like package tip 3. 力学的物理量である加速度を検出する半導体センサチップ1と、温度補償回路を備え矩形板状の信号処理用ICチップ2と、矩形板状のパッケージチップ3とを備える。 - 特許庁
To provide a perfectly addition-cross-linkable silicone material which has a sufficiently long processing time, after mixed with all components and quickly and perfectly cross-linked at an enhanced temperature. 全成分の混合及び高められた温度での迅速かつ完全な架橋の後の、室温での十分に長い加工時間が傑出している、完全に付加によって架橋するシリコーン材料を提供する。 - 特許庁
The classification facility 11 for water quality is composed of a temperature controlled tank having one or more parts selected from a sampling part, solution producing part and reaction part, and of a measuring means, information processing part and cleaning means. 前記水質分類設備11が、サンプリング部、溶液生成部および反応部から選ばれる1つまたは2つ以上を備えた恒温槽と、計測手段と、情報処理部と、洗浄手段とからなる。 - 特許庁
To improve the distortion of a pulse width or a duty cycle that will not be affected by processing parameters, voltage parameters and temperature parameters in a signal conversion circuit, including a conversion input circuit and a conversion output circuit. 変換入力回路および変換出力回路を含む信号変換回路で、プロセスパラメータ、電圧パラメータおよび温度パラメータの影響を受けないパルス幅およびデューティサイクルの歪を改善すること。 - 特許庁
This computer 10 having a temperature abnormality processing function is provided with a primary side power supply system 11 and a computer body 14 to which power is fed through a converter switch 12 and a secondary side power supply system 13. 本発明の温度異常処理機能付計算機10は、一次側電源系11、コンバータスイッチ12及び二次側電源系13を介して電力が供給される計算機本体14を備える。 - 特許庁
If a low-dielectric-constant (low-k) film is damaged during plasma processing, one of the reaction products is water, which is left adsorbed on the low-dielectric-constant film (into pores), if the temperature is lower than 100-150°C. プラズマ処理の際、低誘電率(low-k)膜が損傷した場合、反応生成物の1つは水であり、温度が100〜150℃より低ければ、低誘電率膜(孔内)に吸収されたままである。 - 特許庁
To provide a fixing device which is capable of generating heat, so as not to make the surface temperature of a fixing roller uneven, even when a paper sheet whose width is small is carried out fix-processing. 本発明は、幅の小さい用紙を定着処理する場合でも定着ローラの表面温度が不均一とならないように発熱することができる定着装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an exhaust emission control device, performing favorable regeneration processing while preventing an excessive temperature rise of a filter without remarkable alteration of the conventional general constitution, and having high reliability. 従来の一般的な構成を大幅に変更することなく、フィルタの過昇温を防止しつつ良好な再生処理を行うことのできる、より信頼性の高い排気浄化装置を提供すること。 - 特許庁
In the protective tape for the etching processing, an adhesive layer 3 is provided on one surface of a base material film 2, and the adhesive layer exhibits reduction of adhesion force when it is heated at a temperature of less than 100°C. 基材フィルム2の片面に粘着剤層3を設けてなり、該粘着剤層が、100℃未満の温度で加熱したときに粘着力の低下を発現するエッチング加工用保護テープ。 - 特許庁
A determining part 403 performs torque boost prohibition determination processing in accordance with the actually measured number of rotation Nm of the motor, temperature Tj of the power element, and basic target torque command value Tm*, a boost permission coefficient K_bst is made to be 0 at the time of determination of motor lock. 判定部403は、実測モータ回転数Nmと、パワー素子の温度Tjと、基本目標トルク指令値Tm*とに応じ、トルクブースト禁止判定処理を実施し、モータロック判定時にブースト許可係数K_bstを0にする。 - 特許庁
Ashape blank obtained from a steel material containing 3.2-5.0 mass% Cr and 0.05 to <0.5 mass% V is subjected to a carbo-nitriding treatment, a tempering-treatment at the temperature of >250°C and ≤300°C and a finish-processing. 3.2〜5.0質量%のCrと、0.05質量%以上0.5質量%未満のVとを含有する鋼材から得られる素形材に浸炭窒化処理、250℃を超え、300℃以下の温度で加熱する焼もどし処理及び仕上げ加工を施す。 - 特許庁
In a CDMA transmitter of a base station, a transmission baseband signal is a signal obtained by synthesizing spread signals of each channel and by digital processing and have no relation to temperature change, change over aging or the dispersion of an element characteristic. 基地局のCDMA送信機において、送信ベースバンド信号は各チャンネルの拡散信号を合成したものでディジタル処理により得られ、温度変化、経年変化、素子の特性のバラツキに関係しない。 - 特許庁
To provide a silver halide color photographic sensitive material having processing stability and stability to temperature and humidity changes in exposure, and suitable for use as a color positive photosensitive material for a motion picture giving stable latent images. 処理安定であり、かつ露光時の温湿度変化に対して安定であり、かつ潜像が安定な映画用カラーポジ感光材料として好適なハロゲン化銀カラー写真感光材料を提供する。 - 特許庁
Efficient degassing processing of the electron gun 20 is realized in a method of raising the temperature of the Wehnelt part 5 by causing the thermal electrons discharged from the electron discharge part 12 to collide against the Wehnelt part 5. 電子放出部12から放出される熱電子をウェネルト5に衝突させて、ウェネルト5の温度を上昇させる方法に従い、効率の良い電子銃20の脱ガス処理を実現する。 - 特許庁
In the step (c), the atmosphere of mixture gas has a volumetric ratio of water vapor to ozone gas (water vapor/ozone gas) in the range of 1-4 and the temperature in the processing chamber 10 is in the range of 95°C-140°C. 工程(c)において、混合気体の雰囲気は、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が1ないし4であり、処理室10内の温度は95℃ないし140℃である。 - 特許庁
To provide the support for the photographic printing paper capable of obtaining sufficient adhesion at low cost even in the case of processing at high speed and low resin temperature and superior in whiteness and planeness. 樹脂温度が低温で、高速加工をする場合であっても、安価に十分な接着強度を得ることができ、かつ、白色度・平面性に優れた印画紙用支持体を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an electric resistance heating furnace capable of providing an in-furnace temperature above 1,400°C based on a structure movable in the horizontal direction with an electrode kept vertical in processing a waste material at high temperatures. 廃棄物を高温処理する際に、電極を垂直に保ったまま水平方向に移動可能な構成のもとに、1400℃以上の炉内温度を得ることかできる電気抵抗発熱炉を提供する。 - 特許庁
To provide a sterilization detection indicator and its manufacturing method which reliably prevent a surface film from pealing off when performing sterilization processing by high temperature or by high heat and high pressure steam and sufficiently reduces occurrence of warpage. 高熱や高温高圧蒸気による滅菌処理の際に、表面のフィルム剥がれを確実に防止し、反りの発生を充分低減しうる滅菌検知インジケータおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
This composition has an initiation temperature of phase difference increase (Ts) measured using a scanning viscoelasticity microscope of not lower than 25°C, and this sheet having an easily formable surface is prepared by processing the resin composition into a sheet form. 走査粘弾性顕微鏡を用いて、測定される位相差増大開始温度Tsが25℃以上である組成物、及び該樹脂組成物をシート状に加工してなる易表面賦形性シート。 - 特許庁
A microcomputer 65 estimates a hydraulic oil temperature Te and judges an off-road traveling by a program processing, and controls the damping force of the shock absorber 10 according to the judged and estimated results. マイクロコンピュータ65は、プログラム処理により、作動油の温度Teの推定及びオフロード走行の判定を行い、前記判定及び推定結果に応じてショックアブソーバ10の減衰力を制御する。 - 特許庁
The excellent water and oil repellent property is obtained by low temperatureprocessing of a water dispersed type fluorine water and oil repellent agent by addition of an organic polyvalent metal compound as a cross-linking agent or a cross-linking accelerator. 水分散型フッ素系撥水撥油剤に、架橋剤又は架橋促進剤として、有機多価金属化合物を添加することにより、低温加工処理で優れた撥水撥油性を得ることができた。 - 特許庁
The control device calculates the intake manifold critical temperature (IMT_critical) as the function of a detected or assumed value by processing an equation in which variables are replaced with these values. 制御装置は、吸気マニホルド臨界温度(IMT_臨界)を所定の、検出された又は仮定された値の関数として、変数がこれら値で置き換えられる方程式を処理することにより計算する。 - 特許庁