「threshold effect」を含む例文一覧(328)

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  • Is a threshold effect
    それは閾値効果によるもので - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Which brings on another threshold effect
    これはまた別の閾値効果を生み出します - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To suppress a short channel effect of a threshold voltage.
    しきい値電圧の短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁
  • The characteristic of the process gives effect on the array of the threshold values with respect to each threshold value HC in the threshold value HT.
    上記プロセスの特性は、閾値ＨＴの各閾値ＨＣに関する閾値の配列に影響する。 - 特許庁
  • REDUCTION OF THRESHOLD VOLTAGE ROLL-UP/ROLL-OFF EFFECT OF MOSFET
    ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧ロールアップ／ロールオフ効果の低減 - 特許庁
  • To suppress a coupling effect due to threshold variation of an adjacent memory cell.
    隣接するメモリセルの閾値変動によるカップリング効果を抑制する。 - 特許庁
  • METHOD OF CONTROLLING THRESHOLD VOLTAGE IN ORGANIC ELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR
    有機電界効果トランジスタにおけるしきい値電圧の制御方法 - 特許庁
  • To adjust the threshold voltage of a field effect transistor with high accuracy.
    電界効果トランジスタのしきい値電圧の調整を精度良く行う。 - 特許庁
  • CONTOURED-TUB FERMI-THRESHOLD FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING SAME
    輪郭形成タブ・フェルミスレショルド電界効果型トランジスタとその製造方法 - 特許庁
  • In the field effect transistor, a threshold voltage change layer is provided for increasing/decreasing a concentration of a carrier in a channel layer of the field effect transistor, and the threshold voltage of the field effect transistor is changed by the threshold voltage change layer.
    電界効果型トランジスタのチャネル層におけるキャリアの濃度を増減させる閾値電圧変更層を設け、この閾値電圧変更層により前記電界効果型トランジスタの閾値電圧を変更する電界効果型トランジスタとする。 - 特許庁
  • To improve a Fermi-threshold field effect (Fermi FET) and a method of forming same.
    フェルミスレショルド電界効果（フェルミＦＥＴ）とその製造方法を改良する。 - 特許庁
  • To develop a stable organic field effect transistor whose threshold voltage is low.
    閾値電圧が低く、かつ安定な有機電界効果トランジスタを開発することである。 - 特許庁
  • To reduce the threshold voltage(Vt) roll-up/roll-off effect of a MOSFET.
    ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧（Ｖｔ）ロールアップ／ロールオフ効果を低減すること。 - 特許庁
  • To provide a field effect transistor capable of suppressing variation in a threshold voltage.
    閾値電圧のばらつきを抑えることができる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
  • the minimum stimulus required to produce a conscious effect, called stimulus threshold
    生体反応における刺激闘という,間隔を生じ得る最低限の刺激量 - EDR日英対訳辞書
  • To restrain a bias stress effect in an organic field effect transistor, and to control concurrently a threshold voltage to a fixed value.
    有機電界効果トランジスタにおけるバイアスストレス効果を抑えると同時に、しきい値電圧を一定値に制御する。 - 特許庁
  • To prevent an adverse effect of a shading phenomenon in accordance with a threshold correction operation in an organic EL display device having a threshold correction function.
    閾値補正機能を有する有機ＥＬ表示装置において、閾値補正動作に伴うシェーディング現象の弊害を防止する。 - 特許庁
  • Since the difference between threshold voltages is suppressed small, hysteresis effect is minimized.
    閾値電圧の差は小さく抑えられているので、履歴効果は、最小に抑えられている。 - 特許庁
  • Thus, the threshold voltage of the first transistor Q1 is reduced by a back gate effect.
    こうして、バックゲート効果によって第１のトランジスタＱ１のスレッショルド電圧を下げる。 - 特許庁
  • To prevent a variation in the threshold voltage of a transistor from having an effect on a detected temperature.
    トランジスタのしきい値電圧のバラツキによる検出温度への影響を防止する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device provided with a field-effect transistor, which has low threshold voltage and a short channel effect suppressing function secured.
    しきい値電圧が小さく、かつ、短チャネル効果抑制機能が確保された電界効果トランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a panel structure which suppresses threshold voltage fluctuation due to the effect of internal scattered light.
    内部散乱光の影響による閾値電圧変動を抑制するパネル構造を提案する。 - 特許庁
  • To supply a desired voltage by suppressing the effect of variation in the threshold voltage of a transistor.
    トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影響を抑制して、所望の電圧を供給する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device capable of reducing an effect of a threshold change due to temperature.
    温度による閾値変化の影響を低減出来る半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide an enhancement type field-effect transistor that has a higher threshold voltage of a channel.
    チャネルのしきい値電圧がより高いエンハンスメント型の電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁
  • To precisely control a threshold voltage of a field effect transistor, and to widen the range.
    電界効果型トランジスタの閾値電圧を精度よく制御することができ、かつその範囲を広くする。 - 特許庁
  • To freely set the threshold voltage Vth of a field-effect transistor, without doping impurities.
    不純物のドーピングを行わずに、しきい値電圧Ｖ_thを自由に設定することを可能とする。 - 特許庁
  • To control the threshold voltage of a field effect transistor while suppressing increase in the number of fabrication steps.
    工程数の増加を抑制しつつ、電界効果型トランジスタのしきい値電圧を制御する。 - 特許庁
  • THRESHOLD AND FLAT-BAND VOLTAGE STABILIZATION LAYER FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH HIGH PERMEABILITY GATE OXIDE
    高誘電率ゲート酸化物を有する電界効果トランジスタの閾値及びフラットバンド電圧安定化層 - 特許庁
  • Furthermore, lowering of gate threshold voltage of the n-type MOS field effect transistor N2 is suppressed by contriving the layout of gate region or employing a high threshold voltage.
    さらに、このトランジスタＮ２は、ゲート領域のレイアウトの工夫あるいは高閾値電圧化により、ゲート閾値電圧の低下が抑制されている。 - 特許庁
  • Acceleration only takes effect if the pointer moves more thanthreshold pixels at once and only applies to the amount beyond the value in the threshold argument.
    ポインタが一度に閾値の個数以上のピクセル移動し、引き数 threshold の値を越える量を移動しようとした場合に限って、アクセラレーションは有効となる。 - XFree86
  • If threshold voltage of the first and the third electric field effect transistors are the same value, difference between output voltage of the charge pump and the reference voltage is made a threshold voltage of the second electric field effect transistor.
    第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧が同じであれば、チャージポンプの出力電圧と基準電圧との差は、第２の電界効果トランジスタのしきい値電圧になる。 - 特許庁
  • A second comparison part 77 compares the generated pulse with a prescribed threshold, and notifies the effect to CPU 84 when pulse width exceeds the threshold.
    第２比較部７７では、当該生成されたパルスと所定の閾値とを比較し、パルス幅が当該閾値を上回る場合にその旨をＣＰＵ８４に通知する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which is low in threshold voltage and provided with a field-effect transistor securely provided with a short channel effect preventive function.
    しきい値電圧が小さく、かつ、短チャネル効果抑制機能が確保された電界効果トランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device that suppresses both the short channel effect and changes in threshold.
    短チャネル効果および閾値の変動の双方を抑制することの可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a double gate field-effect transistor having a fundamental structure that can set free threshold voltage.
    自由な閾値電圧の設定が可能な原理構造を持つ二重ゲート電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
  • The fluctuation of the threshold voltage may cause the malfunction of a circuit in the field effect transistor and the thin film transistor.
    電界効果型トランジスタ及び薄膜トランジスタにおいて、閾値電圧の変化は、回路の誤作動を招く。 - 特許庁
  • To provide a field effect transistor capable of increasing a threshold voltage and suppressing the rise in the on-resistance.
    オン抵抗の上昇を抑制しつつ閾値電圧を大きくできる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor transistor without variation in threshold voltage of a field effect transistor (FET) and a method of manufacturing the same.
    ＦＥＴの閾値電圧のばらつきのない半導体トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a PMISFET (P Channel Metal Insulator Field Effect Transistor) in a metal gate electrode having a low threshold voltage.
    閾値電圧の低い金属ゲート電極においてＰＭＩＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method for a field effect organic transistor having high mobility and small threshold variation.
    高移動度で、さらに閾値の変動が小さい電界効果型有機トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a field effect transistor with which a threshold voltage can be highly accurately set, and semiconductor device with said field effect transistor packaged thereon.
    高精度に閾値電圧を設定することができる電界効果型トランジスタ及び同電界効果型トランジスタを搭載した半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • A first field effect transistor is formed on the first region B and a second field effect transistor, whose threshold voltage is different from that of the first field effect transistor, is formed on the second region A.
    第１領域Ｂ上に第１電界効果トランジスタが形成され、第２領域Ａ上に第１電界効果トランジスタとしきい値電圧が異なる第２電界効果トランジスタが形成されている。 - 特許庁
  • The substrate bias effect raises the threshold and lessens the leakage current in a sense amplifier data holding state.
    さらに、基板バイアス効果により、しきい値が上昇し、センスアンプデータ保持状態でのリーク電流を低減する。 - 特許庁
  • The structure is especially useful for stabilizing the threshold voltage and the flat-band voltage of a p-type field effect transistor.
    本発明は、ｐ型電界効果トランジスタの閾値及びフラットバンド電圧を安定化させるのに特に有用である。 - 特許庁
  • To suppress the short channel effect and the gate leakage current as well as the threshold voltage from locally increasing.
    短チャネル効果を抑制するとともに、ゲートリークの発生や、閾値電圧の局所的な高電圧化を抑制する。 - 特許庁
  • Voltage being lower than the reference voltage by threshold voltage is outputted by a first electric field effect transistor.
    第１の電界効果トランジスタによって、基準電圧よりもしきい値電圧分だけ低い電圧を出力する。 - 特許庁
  • To provide a method of controlling a threshold of a nonvolatile semiconductor memory device capable of suppressing an adjacency effect.
    隣接効果を抑制することが可能な不揮発性半導体記憶装置の閾値制御方法を提供する。 - 特許庁
  • An effect of a temperature change is eliminated by taking phase contrast, so that there is no need to take margin in the threshold.
    位相差をとることにより温度変化の影響が排除されるので、閾値に余裕をみる必要が無くなる。 - 特許庁
  • To autonomously correct variations in threshold voltages among field effect transistors without increasing a gate area.
    ゲート面積を増大させることなく、電界効果トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキを自律的に補正させる。 - 特許庁
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