「threshold effect」を含む例文一覧(328)

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  • The threshold level change means employs a CMOS inverter circuit, comprising P-channel or N-channel field effect transistors connected in parallel or series, or whose gate length or gate width are differentiated or employs a comparator circuit or other configurations.
    スレショルドレベル変更手段には、ＣＭＯＳインバータ回路のＰチャネルまたはＮチャネルの一方を複数並列接続したもの、複数直列接続したもの、双方のゲート長・ゲート幅に差異を設けたもの、比較回路を用いたもの等を使用する。 - 特許庁
  • To provide a structure of a semiconductor device by using a SOI substrate whose parasitic capacitance is reduced while a fluctuation of parasitic bipolar by a substrate floating effect and a threshold voltage by a support substrate bias is prevented and to provide a manufacturing method of the structure.
    基板浮遊効果による寄生バイポーラ、および支持基板バイアスによるしきい値電圧の変動を防止しつつ、寄生容量の低減を可能とするＳＯＩ基板を用いた半導体装置の構造およびその製造方法の提供。 - 特許庁
  • The current/voltage characteristics of a U-shaped transistor structure is controlled by the performance of a corner part of a device, over the entire gate voltage range, and thereby the short-channel effect is suppressed minimally; and a current under a threshold and a drive current are optimized.
    Ｕ字形トランジスタ構造の電流−電圧特性は、ゲート電圧範囲全体にわたって、デバイスの角部分の性能によって支配され、短チャネル効果が最小限に抑えられ、閾値下の電流及び駆動電流が最適化される。 - 特許庁
  • To provide a memory system which improves the reliability of readout data by securing a margin between a threshold voltage distribution and a read level of a memory cell in reading out data and reduces the readout time of data, while mitigating the influence of adjacency interference effect.
    隣接干渉効果の影響を軽減しながら、データ読出し時におけるメモリセルの閾値電圧分布とリードレベルとのマージンを確保して読出しデータの信頼性を改善しかつデータの読出し時間を短縮したメモリシステムを提供する。 - 特許庁
  • In order to suppress the effect of a multi-path, the ultrawide bandwidth radio signal receiver selects signals through the provision of a threshold value to decrease the number of fingers required for rake synthesis and the number of delay elements, and decreases the metric computation complexity by decreasing the number of states taken into account by a Viterbi equalizer.
    マルチパスの影響を抑制するために、閾値を設けて信号を選択し、レイク合成に要するフィンガー数や遅延素子数を削減し、ビタビ等化器で考慮する状態数を削減することでメトリック計算量の削減をはかる。 - 特許庁
  • To provide an electrooptical device which improves stability of the operation of a complementary circuit by optimizing the threshold voltage of an electric field effect type transistor constituting the complementary circuit corresponding to a driving voltage, and to provide electrooptical equipment equipped with the same.
    相補回路を構成する電界効果型トランジスタのしきい値電圧を駆動電圧に対応させて最適化することにより、相補回路の動作の安定性を向上した電気光学装置、およびそれを備えた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor laser device which has a high current constrictive effect, and has small leakage current and good temperature characteristics and a low threshold current, and can effectively confine laser light in a stripe region and has a proper beam profile and has high light output efficiency.
    電流狭窄効果が高く、リーク電流が少なく、温度特性が良好で、低閾値電流を示し、レーザ光をストライプ領域に有効に閉じ込めることができ、ビームプロファイルが良好な高光出力効率の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
  • (3) A Specified Major Shareholder shall, when he/she becomes a person who is no longer a Holder of Voting Rights of an Insurance Company which amounts to the Major Shareholder Threshold or more by a measure required under the preceding paragraph, notify it to the Prime Minster to that effect without delay. The same shall apply in the case where a Specified Major Shareholder becomes a person who is no longer a Holder of Voting Rights of an Insurance Company which amounts to the Major Shareholder Threshold or more without taking said measure.
    ３　特定主要株主は、前項の規定による措置により保険会社の主要株主基準値以上の数の議決権の保有者でなくなったときは、遅滞なく、その旨を内閣総理大臣に届け出なければならない。当該措置によることなく保険会社の主要株主基準値以上の数の議決権の保有者でなくなったときも、同様とする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (3) A Specified Major Shareholder shall, when he/she becomes a person who is no longer a holder of voting rights of a Bank which amounts to the Major Shareholder Threshold or more by a measure required under the preceding paragraph, notify the Prime Minster to that effect without delay. The same shall apply in the case where a Specified Major Shareholder becomes a person who is no longer a holder of voting rights of a Bank which amounts to the Major Shareholder Threshold or more without taking said measure.
    ３　特定主要株主は、前項の規定による措置により銀行の主要株主基準値以上の数の議決権の保有者でなくなつたときは、遅滞なく、その旨を内閣総理大臣に届け出なければならない。当該措置によることなく銀行の主要株主基準値以上の数の議決権の保有者でなくなつたときも、同様とする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • To provide a memory device and its manufacturing method which facilitates adjusting the threshold voltage of the memory device by preventing the short channel effect, and reduces the junction leakage current generated in a storage node junction region to increase the data hold time of the memory device.
    ショートチャネル効果を防止してメモリ素子のしきい電圧の調整を容易にし、ストレージノード接合領域で発生する接合漏れ電流を減少させてメモリ素子のデータ保持時間を増大させることのできるメモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To increase the concentration of impurities in a gate electrode without increasing the concentration of impurities in source/drain and improve a gate capacity as well as a short channel effect without worrying about the fluctuation of a threshold voltage or the like due to the fluctuation of a gate electrode configuration.
    ソース／ドレインの不純物濃度を増加させることなくゲート電極中の不純物濃度を高め、ゲート電極形状の変動に起因するしきい値電圧の変動等を懸念することなく、ゲート容量とともに短チャネル効果をも向上させる。 - 特許庁
  • Even if the torque pulsation of the engine has a great effect on the engine rotation speed Ne after the engine rotation speed Ne decreases below the threshold Nref, the engine rotation speed Ne can be controlled at the target rotation speed Ne* for stopping the engine.
    これにより、エンジン回転数Ｎｅが閾値Ｎｒｅｆ未満に至った以降にエンジンのトルク脈動がエンジン回転数Ｎｅに大きく影響を及ぼすことになってもエンジン回転数Ｎｅを目標回転数Ｎｅ＊に制御してエンジンを停止することができる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device having a proper threshold voltage even when a metal having a work function higher than a predetermined value is employed as a gate electrode for a P-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).
    本発明は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲート電極に所定値以上の仕事関数を有するメタルを用いた場合であっても、適正なしきい値電圧を有する半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a GPS receiver capable of improving positioning accuracy by eliminating a signal which includes a multipath having an adverse effect on the positioning calculation without relying on the setting environment, by adaptively changing a threshold for a reception level of a signal to be used in a positioning calculation.
    測位演算に使用する信号の受信レベルの閾値を適応的に変化させることにより、設置環境に依存せずに、測位演算に悪影響を及ぼすマルチパスを含む信号を排除し測位精度を高めることのできるＧＰＳ受信装置を提供する。 - 特許庁
  • When the computer B603 does not receive a return mail even after a time exceeding a threshold value lapses from the transmission time, the computer B603 determines that the delay is generated, and notifies a user of the computer B603 about the effect by a fixed telephone 607, a FAX 608, or a cellphone 609.
    コンピュータＢ６０３では、発信時刻からしきい値を超える時間が経過しても返信メールを受信しない場合には、遅延が発生したものとして、固定電話６０７、ＦＡＸ６０８、携帯電話６０９によりコンピュータＢ６０３のユーザにその旨通知する。 - 特許庁
  • This optimal parameter search method calculates an error between a model output and an output of a real machine (S7), and if the error is not within a threshold (S8), Taguchi method is applied to calculate a gradient vector from a factor effect (for example, error gradient at two search points) of each calculated parameter (S9).
    モデル出力と実機の出力の誤差を計算し（ステップ７）、誤差が閾値以内でなければ（ステップ８）、田口メソッドを適用し求めた各パラメータ毎の要因効果（例えば、２つの探索点における誤差の勾配）から勾配ベクトルを計算する（ステップ９）。 - 特許庁
  • The applied electric power at electric-power threshold is obtained in advance, which provides such thermal lens effect not damaging an incident end surface of an optical fiber 21 with a laser beam LB even when a laser rod 7 of a solid-state laser oscillator is applied with a maximum electric power of a laser power source 3.
    固体レーザ発振器のレーザロッド７にレーザ電源３の最大印加電力を印加してもレーザビームＬＢが光ファイバ２１の入射端面を破損しない熱レンズ効果の状態になる電力スレッシュホールドの印加電力を予め求める。 - 特許庁
  • To provide a method of connecting oxide superconducting wire which can produce wire as long as possible by connecting short wires and can prevent decrease in the threshold current value resulting from distortion effect, and superconducting equipment constructed by this method.
    短い線材を接続してできるだけ長い線材を製造することができ、かつ歪みの影響による臨界電流値の低下を抑制することが可能な酸化物超電導線材の接続方法と、その方法によって構成される超電導機器を提供する。 - 特許庁
  • To constitute plural field effect transistors driven by a voltage supplied from a common voltage supply source by the transistors of respectively different gate threshold voltages and to drive the respective transistors at independent timings.
    共通の電圧供給源から供給された電圧によって駆動される複数の電界効果トランジスタを、それぞれ異なるゲートしきい値電圧のトランジスタで構成することを可能にする共に、それぞれのトランジスタを独立のタイミングで駆動することを可能にする。 - 特許庁
  • The compressor 40 is preferable to have a fiber grid for compressing laser pulse signals into the duration of less than a threshold in a nonlinear effect, and a diffraction grating for accepting pulse signals compressed through the fiber grid in order to further compress the pulse signals.
    コンプレッサー４０には、レーザーパルス信号を非線形効果の閾値未満の持続時間に圧縮するファイバー格子とパルス信号をさらに圧縮するためにファイバー格子で圧縮された前記パルス信号を受け入れる回折格子とを備えていることが好ましい。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a field-effect transistor-type gas sensor for suppressing threshold variation without impairing a gate insulation film when forming an electrode of a sensitive material corresponding to a detecting object gas after previously forming a transistor structure.
    電界効果トランジスタ型のガスセンサにおいて、あらかじめトランジスタ構造を形成した後、検知対象のガスに対応した感応材料の電極を形成する際に、ゲート絶縁膜を損なうことなく、かつ、閾値ばらつきを抑制する製造方法を供給する。 - 特許庁
  • Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there.
    相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。 - 特許庁
  • A system where a light beam emitted from a semiconductor laser 1, reflected by some object, returns to the semiconductor laser 1 shows a phenomenon, in which the threshold of an injection current for the semiconductor laser 1 is lowered in proportion to the intensity of the returning light, namely, a self-coupling effect.
    半導体レーザ１は、半導体レーザ１から出射した光が何かにより反射されて再び半導体レーザ１に戻ってくる場合、当該半導体レーザ１に対する注入電流の閾値が戻り光の強度に比例して低下する現象、即ち、自己結合効果を示す。 - 特許庁
  • Based on the control information of the virtual camera, when the moving distance L of a gazing point of the virtual camera exceeds a threshold level Lth, an amplitude component parameter A of filter processing of which effect changes based on a periodic function is changed from a first level A1 to a second level A2.
    仮想カメラの制御情報に基づいて、仮想カメラの注視点の移動距離Ｌがしきい値Ｌｔｈを超える場合に、周期関数に基づいて効果が変化するフィルタ処理の振幅成分パラメータＡを第１のレベルＡ１から第２のレベルＡ２へ変更する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which can easily obtain superior characteristics by preventing the threshold deterioration caused by the short channel effect by preventing the concentration variation of an impurity near the joint surface of a p-n junction and a method for manufacturing the device.
    ｐｎ接合における接合面近傍において不純物濃度が変化することを防止することができ、これにより、短チャネル効果によるしきい値の低下を防止して良好な特性を容易に得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A neutron energy analysis is performed by using a deceleration, a diffusion distance, a thermal neutron absorption effect by cadmium or the threshold reaction of nickel in stainless steel, and the variation with time of the intensity of the neutron flux is measured by nuclides of a plurality of activation substances, whose half lives are different.
    中性子エネルギー分析を減速，拡散距離，カドミウムによる熱中性子吸収効果、またはステンレス鋼のニッケルのしきい値反応を利用して行い、中性子束強度の経時変化を半減期の異なる複数の放射化物質の核種により測定する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a fully-depleted SOI transistor where an yield is stabilized by suppressing a variation in the prevention effect of a parasitic channel and by controlling a variation in a threshold voltage in the fully-depleted SOI transistor, especially an NMOS transistor.
    完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタにおいて、寄生チャネルの防止効果ばらつきを抑制し、さらに閾値電圧ばらつきをも制御して歩留の安定した完全空乏型ＳＯＩトランジスタを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To set a plurality of threshold voltages without depending upon a gate insulating film, a channel or the like in a semiconductor device utilizing a metal insulating-film semiconductor field-effect transistor using a metallic semiconductor compound containing a metal and silicon and/or germanium as essential components as a gate electrode.
    金属とシリコンおよび／またはゲルマニウムを必須として含む金属半導体化合物をゲート電極とする金属絶縁膜半導体電界効果トランジスタを利用した半導体装置において、ゲート絶縁膜やチャネル等によらずに複数の閾値電圧を設定する。 - 特許庁
  • In a step-up DC/DC converter, a bootstrap circuit generates a boot voltage increased by on-threshold voltage between an application terminal for an input voltage VCC and an application terminal for a boot voltage BOOT, using not a diode but a P channel type field effect transistor 105.
    昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、ブートストラップ回路は、入力電圧ＶＣＣの印加端とブート電圧ＢＯＯＴの印加端との間に、ダイオードではなく、Ｐチャネル型電界効果トランジスタ１０５を用いてオンスレッショルド電圧分だけ高めたブート電圧を生成する。 - 特許庁
  • To provide a field effect transistor of industrially practical specific top gate structure that has practical printability and, in addition, excellent semiconductor characteristics such as carrier mobility, hysteresis and threshold stability by using a specific organic heterocyclic compound as a semiconductor material.
    半導体材料として特定の有機複素環化合物を用いて、実用的な印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性などの優れた半導体特性を有し、産業上実用的な特定のトップゲート構造の電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor laser element, along with its manufacturing method, capable of eliminating the effect of degradation of crystal that occurs in an epitaxial layer by a simple method, for improved throughput as well as stable characteristics such as threshold value current, slope efficiency, and element life.
    簡便な方法により、エピタキシャル層に生じる結晶悪化の影響を排除することができるためスループットが向上するとともに、しきい値電流、スロープ効率、および素子寿命等の特性が安定した半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
  • Therefore, the dispersion of the threshold voltages of TFT 40P, 40N can be compensated, and also the floating body effect can be suppressed, and in the operational state, fast and accurate operation is made possible, and in the stand-by state, the power consumption is reduced by lowering the off-current.
    したがって、ＴＦＴ４０Ｐ，４０Ｎの閾値電圧のばらつきを補償するとともに、フローティングボディ効果を抑制することができ、前記動作状態では、高速かつ正確な動作が可能になり、前記待機状態では、オフ電流を低くして、消費電力を削減することができる。 - 特許庁
  • When the signal level of the object pixel belongs to a region where the inclination of the conversion characteristics is large and the signal level is smaller than the threshold R, the selector 44 is controlled to select the output of the LPF 42 whose cut-off frequency is lower than that of the LPF 40 and whose noise component elimination effect is larger than that of the LPF 40.
    対象画素の信号レベルが変換特性の傾きが大きいＲ未満の領域に属する場合には、ＬＰＦ４０に比べてカットオフ周波数が低くノイズ成分の除去効果の大きいＬＰＦ４２の出力を選択するようにセレクタ４４が制御される。 - 特許庁
  • An air suction/discharge mechanism 10a for operating the nozzle 7 so as to effect suction/discharge air is provided with a measuring device 31 composed of a flowmeter or a pressure gauge and a control unit 14a for comparing the result of measurement by the measuring device 31 with the threshold to detect the taking back of the component 20.
    ノズル７に吸引／吐出エアを作用させるエア吸引／吐出機構１０ａには流量計もしくは圧力計からなる測定装置３１と、測定装置３１による測定結果と閾値とを比較して部品２０の持ち帰りを検出する制御部１４ａとが設けられる。 - 特許庁
  • The capacitance value of the hold capacitor is determined on the basis of the gate capacitance value of the correcting transistor and the amount of the charge flowing into the hold capacitor during the voltage variation of a pulse voltage line is appropriately set, whereby the effect of the variation in the threshold value of the driving TFT on the driving current can be effectively reduced.
    保持容量の容量値を補正トランジスタのゲート容量値に基づいて決定し、パルス電圧ラインの電圧変化の際に保持容量に流れ込む電荷量を適切に設定し、駆動ＴＦＴのしきい値変動の駆動電流への影響を効果的に減少できる。 - 特許庁
  • Moreover, since the frequency characteristic of a flicker can be shifted to a high frequency side according to the noise shaping effect of the ΔΣ modulation, an image with less visual stimulus with the flicker suppressed can be acquired as compared with the configuration for operating the time domain expansion device by a random number threshold.
    また、ΔΣ変調のノイズシェーピング効果によりフリッカの周波数特性を高周波数側にシフトさせることができるため、時間領域展開器を乱数閾値により動作させる構成に比べて、フリッカが抑制された視覚刺激が少ない画像を得ることができる。 - 特許庁
  • The third transistor, the fourth transistor, the fifth transistor and the sixth transistor are turned on to thereby to suppress an increase in a threshold Vth caused by a back bias effect of the first transistor and the second transistor, so that a stable operation of the switching circuit is secured.
    上記第３トランジスタ、上記第４トランジスタ、上記第５トランジスタ、及び上記第６トランジスタがオンされることにより、上記第１トランジスタ及び上記第２トランジスタのバックバイアス効果によるしきい値Ｖｔｈの上昇が抑制され、スイッチ回路の安定動作が確保される。 - 特許庁
  • Instead of the control unit, the display device includes a control unit which controls the display of the image at the display unit and adds display effect including horizontal display change to the image displayed at the display unit when the focal length when the image is generated is shorter than the predetermined threshold.
    または、上記制御部に代えて、表示部への画像の表示を制御するとともに、画像が生成された際の焦点距離が所定の閾値よりも短い場合には、表示部に表示する画像に水平方向の表示変化を含む表示効果を加える制御部を備える。 - 特許庁
  • This semiconductor device is constituted of at least two transistors of first and second field-effect transistors having different threshold voltages formed on a common substrate 31, and first and second gate junctions of p-n junctions J1 and J2 having different depths in impurity introducting regions 261 and 262 formed in gate parts of the first and second field-effect transistors respectively.
    共通の基板３１に、しきい値電圧を異にする少なくとも第１および第２の２つの電界効果トランジスタが形成されて成る半導体装置であって、第１および第２の電界効果トランジスタのゲート部に不純物導入領域２６１および２６２による深さを異にするそれぞれｐ−ｎ接合Ｊ_1 およびＪ_2 による第１および第２のゲート接合が形成されて成る構成とする。 - 特許庁
  • To provide a microwave amplifier by which a variation in the threshold voltage of a field-effect element can be suppressed by changing the structure of a spiral inductor element and can be also suppressed by changing the structure of a capacitor element using a wiring layer as a lower electrode and to provide its manufacturing method.
    スパイラルインダクタ素子の構造を変更することで、電界効果素子のしきい値電圧の変動を抑え、また、配線層を下部電極として用いるキャパシタ素子の構造を変更して、同様に、電界効果素子のしきい値電圧の変動を抑えることを可能とする、マイクロ波増幅装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory which can impress at least one of the polarities of a voltage across the variable resistor element without the voltage drop by eliminating the effect of the voltage drop equal to the threshold voltage when impressing a positive voltage from the source line side to the memory cell having a variable resistor element and selection transistor.
    可変抵抗素子と選択トランジスタを備えたメモリセルに対しソース線側から正電圧を印加する場合の閾値電圧分の電圧降下の影響を解消し、可変抵抗素子の両端間に印加する電圧の少なくとも一方の極性は、当該電圧降下なしに印加可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device that has good-linearity gate voltage to gate current characteristics by preventing a reverse narrow-channel effect without changing a threshold voltage depending upon the wide or narrow channel width, and is provided with a trench isolation type MISFET with a constitution that can be manufactured without increasing the manufacturing process.
    逆狭チャネル効果を防止することにより、チャネル幅の広狭に依存してしきい値電圧が変動することがなく、また良好な直線性のゲート電圧−ドレイン電流特性を示し、かつ工程数を増やすことなく作製できる構成を有する溝分離型ＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To obtain a door device of an elevator which suppresses wear of a lower sealing material and prolongs the life, eliminates generation of abnormal sound upon opening and closing operation of a door, and suppresses degradation of a smoke insulation effect caused by a damage of the lower sealing material, by allowing the lower sealing material to come into contact with an upper surface of a threshold only when the door is fully closed.
    この発明は、下部気密材がドアの全閉時にのみ敷居の上面に接するようにし、下部気密材の摩耗を抑えて長寿命化が図り、ドアの開閉動作時の異音の発生がなく、下部気密材の損傷による遮煙効果の低下を抑えるエレベータのドア装置を得る。 - 特許庁
  • In general, it is publicly known that, by adding compound X and compound Y to the non-steroidal type anti-inflammation drugs, the pain threshold value can be increased to the same degree as the invention of the present application and the duration time of the effect can also be extended to the same degree as the invention of the present application in a test for painkiller functions.
    一般に、非ステロイド系消炎鎮痛薬に化合物 Xと化合物 Yを加えることにより、鎮痛作用試験において疼痛閾値を本願発明と同程度に上昇させることができ、作用持続時間についても本願発明と同程度に延長することができることは公知である。 - 特許庁
  • Since elongation of source and drain depletion layers 27, 28 can be controlled and the depletion layer regions 29s, 29d not contributing to the threshold voltage of a MOS transistor can be minimized, short channel effect is suppressed resulting in a highly stable high performance semiconductor device in which finer patterning can be effected.
    この構造によれば、ソース、ドレイン空乏層２７、２８の伸びを抑えることが出来、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧に寄与しない空乏層領域２９ｓ、２９ｄを最小限に出来るので、ショートチャネル効果を抑制し、より微細化が可能で安定性の高い高性能なＭＯＳトランジスタを実現できる。 - 特許庁
  • To enable to perform surely latch of complementary signals having minute potential difference even when threshold voltage of a pair of field effect transistors being a driving element are unbalanced, with respect to a latch type sense amplifier incorporated and used in a semiconductor device requiring a circuit for amplifying a complementary signal having minute potential difference.
    微小電位差の相補信号を増幅するための回路を必要とする半導体装置に搭載して使用されるラッチ型センスアンプに関し、駆動素子をなす一対の電界効果トランジスタのスレッショルド電圧にアンバランスがある場合であっても、微小電圧差の相補信号のラッチを確実に行うことができるようにする。 - 特許庁
  • To provide a field effect transistor which can adjust a threshold of a gate voltage for switching an energization state between a source electrode and a drain electrode to a predetermined value while generating a secondary electron gas layer on a first semiconductor layer by the hetero-junction of a first semiconductor layer and a second semiconductor layer.
    第１半導体層と第２半導体層とのヘテロ接合により第１半導体層に二次電子ガス層を生じさせつつ、ソース電極とドレイン電極との間の通電状態を切り換えるためのゲート電圧のしきい値を所定の値に調整することができる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
  • In the case of the 2nd short conversion length, conversion to a frequency spectrum signal with the 2nd conversion length is performed and the frequency spectrum signal is quantized according to the minimum audible value of each frequency spectrum and a threshold value by time masking effect between digital audio signals differing in generation time.
    変換長の短い第２の変換長においては、第２の変換長により周波数スペクトル信号に変換し、各周波数スペクトルの最小可聴値と、発生時刻の異なるデジタルオーディオ信号の相互間の時間マスキング効果による閾値と、に基づいて、周波数スペクトル信号を量子化する。 - 特許庁
  • This obstruction detecting system 1 repeatedly executes obstruction detecting operation by means of an ultrasonic sensor 10, while making determination, to the effect that an obstruction is situated on the periphery thereof, when the level of a reflected wave received in each obstruction detecting operation exceeds a determination threshold Th by the number N of determinations.
    障害物検知システム１は、超音波センサ１０による障害物検知動作を繰り返し実行するとともに、各障害物検知動作において受信した反射波レベルが判定閾値Ｔｈを超えることが判定回数Ｎだけ連続した場合には、障害物が周囲に位置する旨を判断する。 - 特許庁
  • In the immobilizer device, a microcomputer forbids the operation of a feeder circuit 23 even if a signal to the effect of requesting start is input from an input interface circuit 26 when determining that a computed value computed from a calculation expression having the operating time and nonoperating time of the feeder circuit 23 as elements is larger than a predetermined threshold value.
    マイコン２２は、給電回路２３の動作時間と非動作時間とを要素とする計算式から算出される算出値が所定の閾値よりも大きいと判断した場合には、入力インターフェース回路２６から始動を要求する旨の信号が入力されても給電回路２３の動作を禁止する。 - 特許庁
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