「threshold effect」を含む例文一覧(328)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 次へ＞- When difference between both input exceeds the threshold voltage, the third electric field effect transistor is conducted, a current is made to flow.
両入力の差がしきい値電圧を超えると、第３の電界効果トランジスタが導通し電流が流れる。 - 特許庁 - The decoding processing gives no effect on the crosstalk when the crosstalk amount is a threshold or below.
この復号処理は、クロストーク量がある閾値以下の場合にはクロストークに対してなんら影響を及ぼさない。 - 特許庁 - To provide a p-channel field effect transistor having a high threshold voltage by ozone processing, and having an excellent characteristic.
オゾン処理による高い閾値電圧を有する特性の良好なｐチャネル電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁 - To provide a peak detection circuit consisting of FETs that receives no effect of fluctuation in a threshold voltage.
ＦＥＴで構成されたピーク検出回路において、しきい値電圧の変動の影響を受けない回路を得る。 - 特許庁 - A full growing pattern provided with the array of the pixel positions in the threshold value HT is also specified with respect to the threshold value HC and the characteristic of the process gives effect also onto the specification of the full growing pattern.
閾値ＨＣに関し、閾値ＨＴ内の画素位置の配列を備えた全成長パターンも規定され、プロセスの特性は、全成長パターンの規定にも影響する。 - 特許庁 - The absolute value of the threshold voltage of the Nch insulated gate type field effect transistor NT1 is higher than that of the threshold voltage of a transistor that constitutes the buffer BUFF1.
Ｎｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタＮＴ１の閾値電圧の絶対値がバッファＢＵＦＦ１を構成するトランジスタの閾値電圧の絶対値よりも高い。 - 特許庁 - In this non-volatile semiconductor memory, a memory cell M0 consisting of floating gate field effect transistors has a negative threshold in which a threshold state is low.
この不揮発性半導体メモリ装置では、浮遊ゲート電界効果トランジスタからなるメモリセルＭ０が、しきい値状態の低い状態が負のしきい値をもっている。 - 特許庁 - To provide a transistor which has a positive threshold voltage and low parasitic resistances by controlling the threshold voltage of the nitride compound semiconductor field effect transistor.
ナイトライド系化合物半導体電界効果トランジスタのしきい値電圧を制御し、正のしきい値電圧を有し、かつ寄生抵抗の低いトランジスタを実現することにある。 - 特許庁 - To stably and accurately obtain an expected threshold Vth, without increasing the amount of gate recess in a field effect type compound semiconductor device, and to provide a manufacturing method of the field effect type compound semiconductor device.
電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス量を増大させることなく、所期のしきい値Ｖ_thを安定して精度良く得る。 - 特許庁 - The first field-effect transistor Q2 is turned on when the divided voltage by the first driving resistor R1 and the second driving resistor R2 exceed the threshold voltage of the first field-effect transistor Q1.
第１の起動抵抗R1および第２の起動抵抗R2の分圧が第１の電界効果トランジスタQ1のスレッショルド電圧を越えると、第１の電界効果トランジスタQ1をオンする。 - 特許庁 - To provide a method of extracting the parameters of a field effect transistor which can accurately extract an effective channel length and the threshold voltage of the field effect transistor.
電界効果トランジスタの実効チャネル長およびしきい値電圧を正確に抽出することができる電界効果トランジスタのパラメータ抽出方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a recovery method of a NAND flash memory device in which interference effect due to difference between threshold voltage of an erasing cell and threshold voltage of a program cell can be reduced by raising threshold voltage of the erasing cell.
消去セルのしきい値電圧を高めることにより、消去セルのしきい値電圧とプログラムセルのしきい値電圧との差によるインターフェランス効果が低減可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のリカバリ方法を提供する。 - 特許庁 - To increase threshold voltage and decrease turn-on resistance in the gate forward direction in a junction gate field effect transistor.
接合ゲート型電界効果トランジスタにおいてゲート順方向立ち上がり電圧を高く、かつ、オン抵抗を低くする。 - 特許庁 - To judge a layer that is a factor of fluctuation of a threshold voltage in a field effect transistor and a thin film transistor.
電界効果型トランジスタ及び薄膜トランジスタにおける、閾値電圧の変動の要因となっている層を判別する。 - 特許庁 - If the battery voltage is lower than or equal to the alarm threshold value, the CPU 1 reads alarm sound effect data from a ROM 9.
ＣＰＵ１は、電池電圧がアラームしきい値以下であるときには、アラーム用効果音データをＲＯＭ９から読出す。 - 特許庁 - To provide a method of trimming threshold voltage applied to an over-programmed field effect transistor (FET) nonvolatile memory (NVM) cell.
過剰にプログラムされた電界効果トランジスタ（FET）不揮発性メモリ（NVM）セルに応用する閾値電圧降下方法を提供する。 - 特許庁 - An apparatus for controlling a radio communication apparatus compares an acquired index value indicating a communication load on a radio communication apparatus with a threshold, and if the index value exceeds the threshold, gives information to that effect.
無線通信装置の制御装置は、無線通信装置の通信負荷を表す指標値を取得して閾値と比較し、指標値が閾値を超えているときは、その旨を通知する。 - 特許庁 - The far-infrared sensor has a sensor MOS type field effect transistor operating in a sub-threshold region by applying voltage that is equal to or smaller than a threshold between the gate/source of a transistor.
トランジスタのゲート・ソース間にしきい値以下の電圧を印加してサブスレッショルド領域で動作するセンサＭＯＳ形電界効果トランジスタを備えたことを特徴とするものである。 - 特許庁 - A side effect determination/learning part 108 instructs a keyword similarity evaluation part 109 to evaluate the combination of the side effect phrase subject to determination with a phrase indicating a side effect in an attached document 202 to the similar medicine, and compares the evaluation with a threshold to determine whether a side effect indicated by the side effect phrase subject to determination is known to the similar medicine.
副作用判定・学習部１０８は、類薬の添付文書２０２中で副作用を示す語句と判定対象副作用語句との組み合わせをキーワード類似度評価部１０９に評価させて閾値と比べ、判定対象副作用語句が示す副作用が当該類薬において既知かを判定する。 - 特許庁 - Also, in comparison with the case when a similar effect is expected by reducing the authentication threshold, the false authentication can be suppressed.
また、認証閾値を低くすることによって同様の効果を得ようとする場合に比べ、誤認証の発生が抑えられる。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor structure capable of arbitrarily and accurately controlling a threshold voltage.
本願発明の課題は、しきい値電圧を任意にかつ精度よく制御し得る電界効果トランジスタ構造を提供することである。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that is capable of preventing reduction of a sense margin of an amplifier due to a variation of threshold voltage of a field effect transistor (FET).
ＦＥＴの閾値電圧の変動に起因するアンプのセンスマージンの低下を防止可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - As a result, it is possible to make variations in threshold voltages hardly effect on the value of the drain current of the driving TFT.
これにより、しきい値電圧のばらつきが駆動用ＴＦＴのドレイン電流の値に影響しにくくすることが出来る。 - 特許庁 - To significantly reduce a fixed pattern noise by reducing the effect from dispersion in threshold voltage of an amplification transistor in a pixel.
画素内の増幅トランジスタの閾値電圧のばらつきの影響を、より一層低減し、固定パターンノイズを、より大幅に低減する。 - 特許庁 - A channel width W is substantially subdivided by the dot pattern to alleviate the fall of a threshold voltage associated with short channel effect.
ドットパターンによってチャネル幅Ｗは実質的に細分化され短チャネル効果に伴うしきい値電圧の低下を緩和する。 - 特許庁 - To provide a constant voltage circuit for supplying a constant voltage in which dependency of a field effect transistor on a threshold voltage is suppressed.
電界効果トランジスタの閾値電圧に対する依存性が抑制された定電圧を供給する定電圧回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor which attains a high threshold voltage and low ON resistance, and in which parallel conduction is suppressed.
高い閾値電圧と、低いオン抵抗とを両立可能であり、かつ、パラレル伝導を抑制できる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁 - This effect can realize an dynamic threshold MOS(EIB-DTMOS) transistor structure, and this becomes significant if the transistor is operated in an accumulation mode.
そのような効果は、ＥＩＢ−ＤＴＭＯＳトランジスタ構造にするとともにアキュムレーションモードで動作させた場合、顕著になる。 - 特許庁 - When the effect of the magnetic source is strong, the azimuth difference is the threshold or more since the geomagnetism cannot be normally caught.
一方、磁気源の影響が強い場合には、地磁気を正常に捉えることができないため、方位差がしきい値以上となる。 - 特許庁 - Thus, a substrate bias effect is increased, and a substrate bias constant can be increased while a threshold voltage is kept suppressed.
これによって基板バイアス効果が増大し、しきい値電圧を低下させたまま基板バイアス定数を増大させることができる。 - 特許庁 - Voltage being lower than output voltage of a charge pump by threshold voltage is outputted by a second electric field effect transistor.
第２の電界効果トランジスタによって、チャージポンプの出力電圧よりもしきい値電圧分だけ低い電圧を出力する。 - 特許庁 - In the semiconductor switch circuit 101 which controls flow and cutoff of a high frequency signal, the threshold voltage of at least one electric field-effect transistor among two or more steps of electric field-effect transistors 1-4 connected in series is set up more highly than the threshold voltage of other electric field-effect transistors.
高周波信号の導通及び遮断の制御を行う半導体スイッチ回路１０１において、直列に接続された複数段の電界効果型トランジスタ１〜４のうちの少なくとも一つの電界効果型トランジスタの閾値電圧を、他の電界効果型トランジスタの閾値電圧よりも高く設定した。 - 特許庁 - To provide a field-effect transistor in which a source resistance is reduced in the field-effect transistor using a nitride-based semiconductor of shallow threshold voltage, and to provide its manufacturing method.
浅いしきい値電圧のナイトライド系半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ソース抵抗が低減された電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - As a result, the high current capability can be ensured, the effect which maintains the dependence of the threshold voltage Vt on a small threshold-voltage(Vt) temperature coefficient and an effect which can prevent the characteristic change due to the hot carries are obtained.
このため、高い電流能力を確保できると共に、小さいしきい値電圧（Ｖｔ）温度係数のしきい値電圧Ｖｔ依存性を保つことができるという効果や、ホットキャリアによる特性変動を防止することができるという効果を得ることができる。 - 特許庁 - Consequently, the effect which is caused by the fact that a threshold value of the JFET structure at the tip part of the trench 6 is deviated from the threshold value of the JFET structure at the portion positioned at the major side of the trench 6, is prevented.
これにより、トレンチ６の先端部のＪＦＥＴ構造の閾値がトレンチ６の長辺に位置する部分のＪＦＥＴ構造の閾値からずれることによる影響を受けることがない。 - 特許庁 - The control part 4 determines whether the measured moving quantity of the work exceeds a prescribed threshold or not, and, in the case of exceeding the prescribed threshold, informs the display part 8 or a voice output part 18 of the effect of exceeding the prescribed threshold.
そして、制御部４は、計測されたワークの移動量が所定のしきい値を超過しているか否かを判断し、所定のしきい値を超過している場合には、表示部８または音声出力部１８に対して、所定のしきい値を超過した旨を通知させる。 - 特許庁 - To provide a flash memory element for reducing a threshold voltage shift due to an interference effect of a peripheral cell, and a method for manufacturing it.
周辺セルの干渉効果によるしきい値電圧シフトを減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The back gate effect in the driver transistor and the diode is suppressed and threshold voltage is reduced, thus reducing voltage between the gate and the source of both.
ドライバトランジスタ及びダイオードにおけるバックゲート効果が抑制され閾値電圧が低下して、両者のゲートーソース間電圧が低減される。 - 特許庁 - Consequently, apparent threshold voltages of the field-effect transistors M3 and M4 vary corresponding to data stored in the ferroelectric capacitors.
このため、強誘電体コンデンサに記憶しているデータに対応して、電界効果トランジスタＭ３、Ｍ４の見かけの閾値電圧が変化する。 - 特許庁 - On the other hand, the low-density channel stopper is not formed in the remaining channel region, and thus a threshold of a field-effect transistor is stabilized.
一方、残りのチャネル領域内には低濃度チャネルストッパが形成されないので、電界効果トランジスタのしきい値が安定する。 - 特許庁 - At the start up of a pulse from the pulse generating circuit, the gate voltage of the field-effect transistor Q2 reaches steeply the threshold and is switched on steeply and the field-effect transistor Q1 is switched off steeply.
パルス発生回路からのパルスの立ち上がり時には、電界効果トランジスタQ2のゲート電圧は急峻に閾値に達して急峻にオンするとともに、電界効果トランジスタQ1が急峻にオフする。 - 特許庁 - Furthermore, the channel width W is substantially fractionized by the impurity regions 104, so that the decline in the threshold voltage value due to the short channel effect may be relaxed by the resultant narrow channel effect of the fractionization.
また、不純物領域１０４によってチャネル幅Ｗを実質的に細分化し、それに伴って生じる狭チャネル効果によって短チャネル効果によるしきい値電圧の低下を緩和する。 - 特許庁 - When the value of the reference right of the enterprise is not more than the non-reference right threshold value, the file management part 21 informs an enterprise terminal of the effect that access to a file itself is impossible.
企業の参照権の値が非参照権閾値以下である場合には、ファイル自体にアクセスできない旨を企業端末に通知する。 - 特許庁 - An external power supply voltage is used to increase a threshold voltage of the transistors by increasing a body effect during "standby" mode, and leakage is reduced.
外部電源電圧を用いることで、「スタンドバイ」モード時にボディ効果の増加によってトランジスタのしきい値電圧が上昇し、漏れが減少する。 - 特許庁 - The memory device accumulates charge in the charge accumulation layer 3, and stores information by a change in threshold value of the field effect transistor due to the accumulated charge.
これにより、電荷蓄積層３に電荷を貯えその電荷による電界効果型トランジスタの閾値の変化により情報を記憶する。 - 特許庁 - When discharge current Id flowing through a battery 11 exceeds a threshold, a switch-type hall IC outputs a wake-up signal S2 to that effect.
スイッチタイプのホールＩＣがバッテリ１１に流れる放電電流Ｉｄが閾値を超えたときその旨を示すウエイクアップ信号Ｓ２を出力する。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor wherein a breakdown voltage is high, a threshold voltage is stable and a transition current for a gate electrode is small.
ブレイクダウン電圧が高く、閾値電圧が安定で、かつゲート電極についての遷移電流が小さい電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁 - When the voltage of the cross-talk signal is greater than the threshold voltage, the cable 16 is not good, and a report to the effect is transmitted by a user interface unit 48.
クロストーク信号の方が大きい場合は、ケーブル１６が不良であり、不適切であるため、ユーザインターフェイス部４８により報知する。 - 特許庁 - To provide a field-effect transistor which has high mobility, high reliability (small ΔVth), and small absolute value of a threshold voltage (Vth).
移動度が高く、信頼性が高く（ΔＶｔｈが小さく）、閾値電圧（Ｖｔｈ）の絶対値が小さい電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁 - The emitter resistor hardly displays an effect on threshold voltage under normal operating conditions, but rapidly saturates a device during the short-circuit state.
エミッタ抵抗器は、通常の動作条件下では閾値電圧に殆ど効果を示さないが、短絡状態中では装置を急速に飽和させる。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
