「threshold effect」を含む例文一覧(328)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 次へ＞- When the output voltage of the DC power supply 2 exceeds the voltage detection threshold, the transistor control circuit 13 changes the control of the field effect transistor 11 from the fixed current control to the fixed voltage control.
そして、直流電源２の出力電圧が電圧検出閾値を超えると、トランジスタ制御回路１３は、電界効果トランジスタ１１の制御を定電流制御から定電圧制御に切換える。 - 特許庁 - When the effect of an external magnetic source is weak, an azimuth difference between a first azimuth and a second azimuth is below a threshold, because geomagnetism can be normally caught by both the electronic compasses.
外部の磁気源の影響が弱い場合には、両電子コンパスにより地磁気を正常に捉えることができるため、第１の方位角と第２の方位角との方位差はしきい値未満となる。 - 特許庁 - When the inter-plate voltage of the capacitor 104 drops below a threshold voltage Vref, a control means 134 detects the fact as earth leakage and notifies the control section 212 of an air conditioner 200 to this effect.
コンデンサ１０４の極板間電圧が閾値電圧Ｖｒｅｆを下回ると、制御手段１３４が漏電として検出し、その旨を空気調和機２００の制御部２１２に出力する。 - 特許庁 - A resistance track, in which the piezoresistance effect appears in either the region, where a stress lower than a threshold specified between a maximum and a minimum stress (namely, the non-concentrated region of stress) or the region, where a stress higher than the threshold (namely, the concentrated region of stress) is formed selectively.
最大応力と最小応力の間に設定されている閾値よりも低い応力が分布している領域（すなわち応力非集中領域）と前記閾値よりも高い応力が分布している領域（すなわち応力集中領域）のいずれか一方に、ピエゾ抵抗効果を発揮する抵抗路が選択的に形成されている。 - 特許庁 - The method for radiation monitoring includes: applying a backgate voltage to a radiation monitor, the radiation monitor comprising a field effect transistor (FET); exposing the radiation monitor to radiation; determining a change in a threshold voltage of the radiation monitor; and determining an amount of radiation exposure based on the change in threshold voltage.
放射線モニタリングのための方法が、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む放射線モニタにバックゲート電圧を印加すること、放射線モニタを放射線に曝露することと、放射線モニタの閾値電圧の変化を求めることと、閾値電圧の変化に基づいて放射線曝露量を求めることとを含む。 - 特許庁 - When the temperature of the diode 3 detected becomes higher than a protection control start temperature, the forward voltage Vf of the diode 3 becomes lower than the threshold voltage Vth of a threshold-producing circuit 13 and a comparator 9 outputs an overheat-detecting signal of L level, while an MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 2 goes into a current cut-off state.
ダイオード３の検出温度が保護制御開始温度よりも高くなると、ダイオード３の順方向電圧Ｖｆがしきい値生成回路１３のしきい値電圧Ｖthよりも低くなり、コンパレータ９はＬレベルの過熱検出信号を出力し、ＭＯＳＦＥＴ２は電流遮断状態となる。 - 特許庁 - When control is performed so that the period for making the sampling transistor into the conducted state, since termination of threshold correction comes to be prescribed by OFF of the sampling transistor, coupling of a scanning drive pulse for turning on/off of light emission control transistor is not generated and the adverse effect of the shading phenomenon in accordance with the threshold correction is not generated.
サンプリングトランジスタを導通状態とする期間が支配的となるように制御すると、閾値補正終了がサンプリングトランジスタのオフで規定されるようになるので、発光制御トランジスタをオン／オフする走査駆動パルスのカップリングが生じることはなく、閾値補正に伴うシェーディング現象の弊害は起きない。 - 特許庁 - To provide an image processing apparatus that can set an optimum threshold level to enhance the resolution of a binary image by utilizing the fact that either of lightness and threshold setting exhibits nearly equivalent effect on functions of adjusting image quality, and adopting an exposure correction function having already been in existence in a camera as a lightness adjustment function.
明るさと閾値の設定は、どちらでも画像品質を調整する機能に対して略同等の効果を示すことを利用して、明るさの調整機能として既にカメラに存在する露出補正機能を活用し、最適な閾値レベルを設定し２値画像の解像度を高めた画像処理装置を提供。 - 特許庁 - In this NMOS transistor 10, as a leakage current in the P-N interface is little under a prescribed gate voltage and a reverse short-channel effect is little, the transistor 10 has a large margin to the dimension of a gate length and a prescribed threshold voltage.
本ＮＭＯＳ１０は、所定ゲート電圧下でｐｎ接合リーク電流が小さく、また、逆短チャネル効果が小さいので、ゲート長の寸法に対する大きなマージンを有しつつ所定のしきい値電圧を示す。 - 特許庁 - Based on a fault decision threshold value L established from a relationship between a duty cycle for driving the field effect transistor Tr and the voltage Vc between terminals of a capacitor of the CR circuit 14, it is decided whether the solenoid is normal or not.
そして、電界効果トランジスタＴｒを駆動するデューティー比とＣＲ回路１４のコンデンサ端子間電圧Ｖｃとの関係からなる異常判定閾値Ｌに基づき、ソレノイドの異常判定を行う。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light emitting element in which a lowering in recombination probability of electron and hole due to piezoelectric effect can be suppressed without causing such a problem as a lowering in response or an increase in threshold current density.
応答速度の低下や閾値電流密度の増加などの問題点を発生させることなく、ピエゾ効果による電子−正孔の再結合確率の低下を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - When the exposure time E is the threshold R or longer, the selector 44 is controlled to select the output of the LPF 42 whose cut-off frequency is lower than that of the LPF 40 and whose noise component elimination effect is larger than that of the LPF 40.
露光時間ＥがＲ以上である場合には、ＬＰＦ４０に比べてカットオフ周波数が低くノイズ成分の除去効果の大きいＬＰＦ４２の出力を選択するようにセレクタ４４が制御される。 - 特許庁 - When the counter value is larger than the upper limited value, the copying enable signal of the copying machine 1 is made to fall, and when the counter value is larger than the 2nd or the 1st warning threshold, the copying machine 1 is informed of that effect.
上限値よりもカウンタ値の方が大きければ、複写機１のコピーイネーブル信号を落とし、第２あるいは第１の警告閾値よりもカウンタ値の方が大きければ、複写機１に対してその旨通知する。 - 特許庁 - Further, when the air conditioner ECU is set in the economy mode, a threshold set to the economy mode is selected and air-conditioning control and an engine start request/cancel are performed to enhance a fuel consumption saving effect.
また、エアコンＥＣＵでは、エコモードに設定されると、エコモードに対して設定されている閾値を選択して空調制御及びエンジン始動要求／解除を行うことにより、省燃費効果の向上が図られるようにする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the diffusion of impurity in an impurity area and a gate electrode is suppressed to prevent the variance of short channel effect and threshold voltage.
不純物領域およびゲート電極中の不純物の拡散を抑制することによって、短チャネル効果および閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can be suppressed in variation of threshold voltage by separating the active region of a field effect transistor and the ion-implanted region of a body contact without forming a parasitic MOS.
電界効果トランジスタの活性領域とボディコンタクト部のイオン注入領域とを寄生ＭＯＳ部を設けることなく分離させて、閾値電圧の変動を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a light-emitting display apparatus which includes a pixel circuit capable of compensating a threshold voltage of a driving transistor and which reduces the effect of kickback generated by parasitic capacitance existing in the pixel circuit.
駆動トランジスタのスレッショルド電圧を補償することができる画素回路を含み、画素回路内に存在する寄生キャパシタンスによって発生するキックバック影響を低減可能な発光表示装置を提供する。 - 特許庁 - In this way, there is almost no effect on behavior of the whole thin film transistor, even if threshold voltages Vth in channel center portion and in channel edge portion differ from each other, and thereby indication failure resulting from the hump can be avoided.
これにより、チャネル中央部とチャネルエッジ部とでしきい値電圧Ｖｔｈが異なる特性であっても、薄膜トランジスタ全体の特性には殆ど影響がなく、ハンプに起因する表示不良が回避される。 - 特許庁 - An alarm informing part 116 warns a driver of the effect that the air pressure of the tire is reduced when the resonance frequency detected by the resonance frequency extraction part 108 is less than the alarm threshold in the traveling of the vehicle.
警報通知部１１６は、車両走行時において共振周波数抽出部１０８が検出した共振周波数が警報閾値を下回ると、タイヤの空気圧が低下している旨をドライバーに警告する。 - 特許庁 - This alleviates the concentration of the electric filed to the top end (angular portion) of the fin-shape active region, thus making it possible to maintain the current drive capability of the fin effect field transistor and simultaneously inhibit the decrease in threshold voltage.
これにより、フィン状の活性領域の上端部（角部）における電界集中が緩和されることから、フィントランジスタの電流駆動能力を維持しつつ、閾値電圧の低下を抑制することが可能となる。 - 特許庁 - To suppress a leak current of a GIDL current, a BTBT current or the like while suppressing a short channel effect of a MISFET, in a chip in which a plurality of the MISFETs which are relatively low in threshold voltage mixedly exist.
しきい値電圧が異なる複数のＭＩＳＦＥＴが混在するチップにおいて、ＭＩＳＦＥＴの短チャネル効果を抑制しつつＧＩＤＬ電流およびＢＴＢＴ電流等のリーク電流を抑制する。 - 特許庁 - Light piping is lengthened by shading of memory array 33 and several characteristics of the image sensor, holding time of memory cell being lengthened under the effect of sub threshold current that increases according to light and photocharge in the substrate.
メモリアレイ３３の遮光と画像センサの幾つかの特徴とにより、光パイピング、光により増加するサブスレショルド電流、及び基体における光電荷の影響をさせることにより、メモリセルの保持時間が長くなる。 - 特許庁 - In the two voltage source circuits, the output voltage from each voltage source circuit is similarly heightened/lowered corresponding to a change from the upper limit to the lower limit of manufacturing dispersion of a threshold voltage of the depression field effect transistor.
前記２つの電圧源回路において、デプレッション電界効果トランジスタのしきい値電圧の製造ばらつきの上限から下限までの変化に対応して各電圧源回路の出力電圧が同様に増減する。 - 特許庁 - To provide the structure of an element wherein threshold voltage can be controlled and normally-off operation can also be established in a field effect transistor having a hetero-junction structure comprised of a channel layer and a barrier layer that are made of nitride semiconductor.
窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御可能であり、ノーマリーオフ動作が可能な素子構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a liquid crystal display device which can be stabilized in a threshold voltage for a thin-film field effect transistor and improved in durability and reliability of capacitance of a conductive layer as a component formed of the same layer as a channel area of the thin- film field effect transistor.
薄膜電界効果トランジスタのしきい値電圧を安定化させ、かつこの薄膜電界効果トランジスタのチャネル領域と同一レイヤによって構成される導電層を構成要素とする容量の耐久性および信頼性を向上させることが可能な半導体装置、液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - When a connection destination of the operational amplifier 37A is switched from a data line 31A to a data line 31B, the control part applies a voltage of VSS<V≤VMM+Vt (Vt is a threshold voltage of a SW2) to a gate of an n-channel type field-effect transistor SW2 to make the n-channel type field-effect transistor SW2 transit to a conduction state.
オペアンプ３７Ａの接続先をデータ線３１Ａからデータ線３１Ｂへ切り替える際、制御部は、ＶＳＳ＜Ｖ≦ＶＭＭ＋Ｖｔ（ＶｔはＳＷ２の閾値電圧）の電圧Ｖをｎチャネル型電界効果トランジスタＳＷ２のゲートに印加してｎチャネル型電界効果トランジスタＳＷ２を導通状態に遷移させる。 - 特許庁 - A non-steroidal type anti-inflammation drugs formulated by combining diclofenac or its salts with acetaminophen is publicly known, and it is known that the pain threshold value can be increased and the duration time of the effect can be extended in the analgestic effect test by adding compound X and compound Y to the non-steroidal type anti-inflammation drugs.
ジクロフェナク又はその塩類とアセトアミノフェンの組合せからなる非ステロイド系消炎鎮痛薬が公知であり、非ステロイド系消炎鎮痛薬に化合物 Xと化合物 Yを加えることにより、鎮痛作用試験において疼痛閾値を上昇させることができ、作用持続時間を延長することができることが知られている。 - 特許庁 - To provide a method for controlling the threshold voltage characteristics of a semiconductor device, especially a heterostructure modulation doped field-effect transistor fabricated on a semiconductor epitaxial film wafer containing InAlAs, without having a significant effect on other device characteristics, e.g. device shape.
本発明の目的は、半導体デバイス特にＩｎＡｌＡｓを含む半導体エピタキシャル膜ウェハに作製するヘテロ構造変調ドープ電界効果トランジスタのしきい値電圧特性を、デバイス形状変化等他のデバイス特性にも大きく影響をあたえることなく変え制御する方法を提供することである。 - 特許庁 - The SRAM device uses a field effect transistor as the selection transistor having a gate to drive the transistor and a terminal to control a threshold voltage, which are electrically separated from each other, and the SRAM device includes a circuit for gradually increasing, on a reading operation, a voltage to be supplied to a threshold control terminal of the selection transistor from a voltage at the start of the reading.
電気的に切り離されたトランジスタ駆動用のゲート及びしきい値制御用の端子を有する電界効果トランジスタを選択トランジスタとして用い、前記選択トランジスタのしきい値制御用端子に対して与える電圧を、読み出し動作時には、読み出し開始時の電圧から徐々に増加させていく回路を具備したＳＲＡＭ装置。 - 特許庁 - To provide an electron emission element which, while maintaining such an effect as lowering of a threshold voltage due to a patterning of a carbon group material and an electric field strength, has a high mechanical strength and stability, and provide its manufacturing method.
炭素系材料をパターニングすることによる闘電圧の低下や電界強度の増加といった効果を維持しつつ、機械的強度が高い、安定した電子放出素子及びその製法を提供することを解決課題とする。 - 特許庁 - To surely make the concentration of a channel diffusion layer higher while of an explicit short channel effect is suppressed accompanying miniaturization, and to suppress increase of leakage current caused by low threshold voltage and high concentration channel.
微細化に伴う短チャネル効果の顕在化を抑制しながらチャネル拡散層の濃度を確実に高くできるようにし、且つ低しきい値電圧及び高濃度チャネルに起因するリーク電流の増大を抑制できるようにする。 - 特許庁 - To obtain a MLC display based on an ECB effect, having only a small degree of defect of conventional technique or no defect at all, preferably an extremely high resistance value and a low threshold voltage at the same time.
従来技術の欠点を小さい程度でのみ有するか、または全く有しておらず、好ましくは非常に大きい抵抗値および低いしきい値電圧を同時に有するＥＣＢ効果に基づくＭＬＣディスプレイを提供する。 - 特許庁 - To provide a quantum effect semiconductor laser element which is manufactured by using a selecting growth method, in which a leakage current in a growth suppression layer position is hardly generated, and which can be oscillated at a low threshold voltage.
選択成長法を用いて製造される量子効果型半導体レーザー素子において、成長抑制層位置でのリーク電流を生じにくく、ひいては低い閾電圧で発振可能な半導体レーザー素子を提供する。 - 特許庁 - The device 10 also has a shutter means 20 for shutting the forming passage 16, the means which are deactivatable under the effect of the pressure of the rubber upstream from the shutter means 20 exceeding a predetermined threshold.
装置（１０）は、形成通路（１６）を閉鎖する閉鎖手段（２０）を更に有し、この閉鎖手段は、閉鎖手段（２０）から見て上流側に位置するゴムの所定しきい値を超える圧力の影響を受けて作動停止可能である。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a multi-fin FET, wherein a short channel effect is suppressed by its structure, a threshold voltage is controlled, current driving force is excellent, and a high-speed operation is attained; and to provide its manufacturing method.
短チャネル効果を抑制できる構造であり、しきい値電圧を制御でき、電流駆動力に優れ、高速動作が可能なマルチフィンＦＥＴを有する半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁 - When an input audio signal switches from a consonant to a vowel and an input level of the switched vowel is greater than a threshold Lc, and a variable t is greater than time Ts, an audio effect signal A is generated.
入力された音声信号が子音から母音へ切り換わり、その切り換わった母音の入力レベルが閾値Ｌｃよりも大きく、更には、変数ｔが時間Ｔｓ以上である場合には、効果音声信号Ａを生成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device including an insulated gate field-effect transistor with an N-type channel MISFET and a P-type channel MISFET, each of whose gate electrodes has appropriate work function and easily controllable threshold voltage.
ＮチャネルＭＩＳＦＥＴのゲート電極およびＰチャネルＭＩＳＦＥＴのゲート電極が共に適切な仕事関数を持ち、しきい値電圧の制御が容易な絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置を実現する。 - 特許庁 - The transistor Mamp is constituted having its substrate separated from other transistors Msel and Mrst and gates Mccd, Mgx1, and Mgx2 to avoid the substrate effect and has its threshold set lower than other elements.
トランジスタＭａｍｐは、他のトランジスタＭｓｅｌ、ＭｒｓｔやゲートＭｃｃｄ、Ｍｇｘ１、Ｍｇｘ２とは基板が分離して構成されており、基板効果を避け、また、他の素子よりもしきい値が低く設定された構造とされている。 - 特許庁 - Furthermore, a frame memory area segmentation unit 7 and a threshold decision unit 11 are used to reduce the effect of luminance shading of a CRT 1, so as to enhance the accuracy of the luminance gravity calculation and thereby inspecting image quality, such as convergence.
また、フレームメモリ領域切出し器７としきい値決定器１１を用いて、ＣＲＴ１の輝度シェーディングの影響を少なくして輝度重心算出の精度を向上を行い、コンバージェンス等の画質検査を行う装置。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, semiconductor device, electro-optical device using the same, and electronic apparatus in which a threshold voltage of a field effect transistor can be optimized in accordance with a driving voltage or the like.
駆動電圧などに対応させて電界効果型トランジスタのしきい値電圧を最適化することが可能な半導体装置の製造方法、半導体装置、それを用いた電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁 - Moreover, when the air conditioner ECU is set in the economy mode, a threshold value set to the economy mode is selected and air-conditioning control and an engine start request/cancel are performed to improve a fuel consumption saving effect.
また、エアコンＥＣＵでは、エコモードに設定されると、エコモードに対して設定されている閾値を選択して空調制御及びエンジン始動要求／解除を行うことにより、省燃費効果の向上が図られるようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit for communication in which dispersion in an oscillation amplitude value of a voltage controlled oscillator for transmission TXVCO is compensated, the dispersion being caused by dispersion in a threshold voltage Vth of a field effect transistor (FET) for oscillation.
通信用半導体集積回路で、発振用の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のしきい値電圧Ｖｔｈのバラツキによる送信用電圧制御発振器ＴＸＶＣＯの発振振幅値のバラツキを補償すること。 - 特許庁 - Then, when the sulfur density at the upstream side of the catalyst becomes less than a designated value and designated discharge conditions for making the catalyst discharge sulfur contents from the catalyst come into effect, the deterioration determination threshold value OSCs is returned to the standard value OSCsb.
その後、その上流側硫黄濃度が所定値未満となり、且つ、触媒から硫黄分を放出させるような所定の放出条件が成立したときに、劣化判定しきい値ＯＳＣｓを基準値ＯＳＣｓｂに復帰させる。 - 特許庁 - In this current driving circuit, transistors 7, 9 which operate respectively in a linear region (non-saturation region) are provided between sources of transistors 6, 8 constituting a current mirror circuit and a power source line 1 to reduce the effect due to dispersion in threshold voltage of the transistors 6, 8.
カレントミラー回路を構成するトランジスタ６，８のソースと電源線１との間に、線形領域（非飽和領域）で動作するトランジスタ７，９を設け、トランジスタ６，８のしきい値電圧のばらつきによる影響を低減する。 - 特許庁 - To provide an active matrix type display realizing a high quality display by solving the problem of variation of current supplied to light emitting elements caused by variation of threshold voltage of transistors and the problem of an influence by an early effect.
トランジスタのしきい値電圧のばらつきによる発光素子への供給電流のばらつき問題や、アーリー効果による影響の問題を解決し、高品質なディスプレイを実現するアクティブマトリックス型ディスプレイを提供することにある。 - 特許庁 - The transistor Mamp has its substrate separated form other transistors Msel and Mrst and gates Mccd, Mgx1, and Mgx2 to avoid the substrate effect and has its threshold set lower than other elements.
トランジスタＭａｍｐは、他のトランジスタＭｓｅｌ、ＭｒｓｔやゲートＭｃｃｄ、Ｍｇｘ１、Ｍｇｘ２とは基板が分離して構成されており、基板効果を避け、また、他の素子よりもしきい値が低く設定された構造とされている。 - 特許庁 - To manufacture a single crystal silicon substrate which has a hollow inside with leaving a single crystal silicon layer at the surface side and can form insulation type field effect transistors each having a high threshold voltage and a low leak current, when used in constitution of a semiconductor integrated circuit device having the insulation type field effect transistors.
内部に、空洞が、表面側を単結晶シリコン層として残すように形成されている単結晶シリコン基板を、絶縁型電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置を構成するのに用いた場合に絶縁型電界効果トランジスタが高い閾値電圧と小さいリーク電流とを有するものに構成され得るものとして製造する。 - 特許庁 - A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a gate insulating film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate insulating film, and a plurality of kinds of field-effect transistor differing in threshold voltages, at least one kind of field-effect transistors having at least one kind of metal present in its gate insulating film.
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を含む閾値電圧が異なる複数種類の電界効果型トランジスタを備え、電界効果型トランジスタの少なくとも１種類は、ゲート絶縁膜に少なくとも１種類の金属が存在する。 - 特許庁 - To build in field effect transistors which are different in properties, especially, threshold voltage, and have high reliability on the same wafer without adopting such troublesome means as to repeat a complicated recess formation process or change the material of a source electrode and a drain electrode, concerning a method of manufacturing a field effect semiconductor device.
電界効果半導体装置の製造方法に関し、煩雑なリセス形成工程を繰り返したり、或いは、ソース電極及びドレイン電極の材料を変えたりする面倒な手段を採ることなく、同一ウエハ上で特性、特に、閾値電圧を異にし、しかも、信頼性が高い電界効果トランジスタを容易に作り込むことができるようにする。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor (FET), chief of which is diamond, which can accommodate high-frequency operation and an increase in current density and has an excellent controllability for threshold voltage, and has little variation in element characteristics in the plane of a wafer and little variation among lots.
ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。 - 特許庁
