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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > JMdict > きょぜつはんのうの英語・英訳 

きょぜつはんのうの英語

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JMdictでの「きょぜつはんのう」の英訳

拒絶反応

読み方:きょぜつはんのう

(1)

文法情報名詞
対訳 (transplant) rejection

(2)

文法情報名詞
対訳 strong reaction (against)


「きょぜつはんのう」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 49987



例文

絶滅の危機にひんしたチョウを繁殖例文帳に追加

Breeding Endangered Butterflies発音を聞く  - 浜島書店 Catch a Wave

前記曲率半径TR2は、前記曲率半径TR1の0.6〜0.95倍の範囲である。例文帳に追加

The curvature radius TR2 is 0.6 to 0.95 times the curvature radius TR1. - 特許庁

次に、ドリル穴200a,200b,および200cに2つの半月状のスペーサ700を挿入する。例文帳に追加

Then, two semicircular spacers 700 are inserted into the drill holes 200a, 200b, and 200c. - 特許庁

移植片拒絶反応抑制剤例文帳に追加

GRAFT REJECTION DEPRESSOR - 特許庁

腎移植拒絶反応抑制剤例文帳に追加

KIDNEY TRANSPLANTATION REJECTION SYMPTOM INHIBITOR - 特許庁

ついで、半導体基板100に700℃以上900℃以下の第2の熱処理を行う。例文帳に追加

Then, second heat treatment is performed in which the temperature of the semiconductor substrate 100 is 700°C or higher and 900°C or lower. - 特許庁

例文

ここで、熱可塑性樹脂の重量平均分子量Mwは、20000〜80000の範囲内にある。例文帳に追加

In this case, the weight-average molecular weight Mw of the thermoplastic resin is within a range of 20,000-80,000. - 特許庁

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ライフサイエンス辞書での「きょぜつはんのう」の英訳

拒絶反応

**** きょぜつはんのう シソーラス Scholar, Entrez, Google, WikiPedia
関連語
同義語(異表記)

日英・英日専門用語辞書での「きょぜつはんのう」の英訳

拒絶反応


「きょぜつはんのう」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 49987



例文

1つの範疇の全てのものに共通する特質例文帳に追加

an attribute that is common to all members of a category発音を聞く  - 日本語WordNet

上記円弧状の曲率半径は100〜200mmとする。例文帳に追加

A radius of curvature of the circular arc shape is 100-200 mm. - 特許庁

また、屈折率は波長300〜800nmの範囲で1.9以上である。例文帳に追加

Its refraction index is not smaller than 1.9 in a frequency range of 300-800 nm. - 特許庁

金融犯罪、有害な税の競争及び国際的な脱税例文帳に追加

Financial Crime, Harmful Tax Competition and International Tax Evasion発音を聞く  - 財務省

前記搬送部内の圧力は、90kPa以上である。例文帳に追加

The pressure in the conveying part is at least 90 kPa. - 特許庁

慢性拒絶反応抑制剤例文帳に追加

CHRONIC REJECTION INHIBITOR - 特許庁

貫通電極60は、無機絶縁膜50と半導体チップ20の半導体基板とを貫通している。例文帳に追加

The feedthrough electrode 60 penetrates the inorganic insulating films 50 and the semiconductor substrates of the semiconductor chips 20. - 特許庁

例文

次に半導体用基板100のイオン注入層102側の絶縁層150が露出するように半導体用基板100を除去する。例文帳に追加

Subsequently, the substrate 100 is removed so as to expose the insulating layer 150 on a side of an ion implantation layer 102 of the substrate 100. - 特許庁

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