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N-single crystalとは 意味・読み方・使い方
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該当件数 : 224件
n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
ｎ型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL, n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL PREPARED THEREBY AND USE THEREOF例文帳に追加
ｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法、それによって得られるｎ型ＳｉＣ単結晶およびその用途 - 特許庁
ELECTRONIC ELEMENT CONTAINING N-TYPE ORGANIC SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
ｎ型有機半導体単結晶を含む電子素子 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF P-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND P-DOPED N TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加
Ｐドープシリコン単結晶の製造方法及びＰドープＮ型シリコン単結晶ウェーハ - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶および結晶基板 - 特許庁
A high-concentration n-type single crystal semiconductor layer 8, an n-type single crystal semiconductor layer 4, a p-type single crystal semiconductor substrate 1 and a high-concentration p-type single crystal semiconductor layer 10 are function as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加
高濃度ｎ型の単結晶半導体層８、ｎ型の単結晶半導体層４、ｐ型の単結晶半導体基板１、高濃度ｐ型の単結晶半導体層１０は、光電変換層として機能する。 - 特許庁
At the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer, a band gap of the p-type single crystal SiGeC layer is not smaller than the n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加
ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面において、ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のバンドギャップは、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層以上である。 - 特許庁
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「N-single crystal」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 224件
An exemplary SiGeC heterojunction bipolar transistor has a collector comprising an n-type single crystal Si layer and an n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加
ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。 - 特許庁
An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加
高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁
An oxide film 2 is selectively formed on an n^--single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加
ｎ^-単結晶シリコン基板１上に酸化膜２を選択的に形成する。 - 特許庁
The first layer 11 comprises an n-type single crystal gallium nitride(GaN).例文帳に追加
第１層１１はｎ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁
The semiconductor substrate 1 is composed of n^+ type single crystal silicon.例文帳に追加
半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND N-TYPE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
シリコン単結晶の製造方法及びＮ型高ドープ半導体基板 - 特許庁
A threshold voltage of the single crystal silicon TFTs Q_1-Q_n is set to become larger sequentially.例文帳に追加
単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n の閾値電圧は順次高くなるように設定する。 - 特許庁
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