heterointerfaceとは 意味・読み方・使い方

To obtain a semiconductor device consisting of a nitride semiconductor having a high mobility in which a steep heterointerface is formed.例文帳に追加

急峻なヘテロ界面が形成され、高い移動度を有する窒化物半導体からなる半導体装置を得る。 - 特許庁

As a result, the plane orientation of a heterointerface 19 between the p-GaN layer 1 and the n-AlGaN layer 2 is determined to be (1-101) or (11-20).例文帳に追加

これにより、ｐ−ＧａＮ層１とｎ−ＡｌＧａＮ層２とのヘテロ界面１９の面方位は、（１−１０１）又は（１１−２０）となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III-V(N) compound semiconductor multilayer object such as GaNAs having strong potential modulation and steep concentration gradient of N atoms even on a heterointerface.例文帳に追加

強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Electrons supplied from the n-type dopant such as the silicon or the like inside the region B are drawn to a heterointerface by a strong channel electric field so as to contribute to conduction as the two-dimensional electrons.例文帳に追加

領域Ｂ内のシリコンなどのｎ型ドーパントから供給される電子は、強いチャネル電界によりヘテロ界面に引き寄せられ、２次元電子として伝導に寄与する。 - 特許庁

Even when the effective neutral base is enlarged by the increase of collector current, no energy barrier is formed in a conduction band at the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer.例文帳に追加

コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。 - 特許庁

A structure in which a depolarized field is not created is obtained by touching the opposite sides of a thin ferroelectric film to a semiconductor thereby realizing charge compensation on the heterointerface of the ferroelectric and the semiconductor.例文帳に追加

強誘電体薄膜の両面を半導体に接触させることで強誘電体と半導体のヘテロ界面で電荷補償を実現し、減分極電界が発生しない構造とした。 - 特許庁

At the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer, a band gap of the p-type single crystal SiGeC layer is not smaller than the n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加

ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面において、ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のバンドギャップは、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層以上である。 - 特許庁