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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > heterointerfaceの意味・解説 > heterointerfaceに関連した英語例文

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heterointerfaceを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 10



例文

To obtain a semiconductor device consisting of a nitride semiconductor having a high mobility in which a steep heterointerface is formed.例文帳に追加

急峻なヘテロ界面が形成され、高い移動度を有する窒化物半導体からなる半導体装置を得る。 - 特許庁

As a result, the plane orientation of a heterointerface 19 between the p-GaN layer 1 and the n-AlGaN layer 2 is determined to be (1-101) or (11-20).例文帳に追加

これにより、p−GaN層1とn−AlGaN層2とのヘテロ界面19の面方位は、(1−101)又は(11−20)となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III-V(N) compound semiconductor multilayer object such as GaNAs having strong potential modulation and steep concentration gradient of N atoms even on a heterointerface.例文帳に追加

強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Electrons supplied from the n-type dopant such as the silicon or the like inside the region B are drawn to a heterointerface by a strong channel electric field so as to contribute to conduction as the two-dimensional electrons.例文帳に追加

領域B内のシリコンなどのn型ドーパントから供給される電子は、強いチャネル電界によりヘテロ界面に引き寄せられ、2次元電子として伝導に寄与する。 - 特許庁

例文

Even when the effective neutral base is enlarged by the increase of collector current, no energy barrier is formed in a conduction band at the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer.例文帳に追加

コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、n型単結晶SiGe層とp型単結晶SiGeC層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。 - 特許庁


例文

A structure in which a depolarized field is not created is obtained by touching the opposite sides of a thin ferroelectric film to a semiconductor thereby realizing charge compensation on the heterointerface of the ferroelectric and the semiconductor.例文帳に追加

強誘電体薄膜の両面を半導体に接触させることで強誘電体と半導体のヘテロ界面で電荷補償を実現し、減分極電界が発生しない構造とした。 - 特許庁

At the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer, a band gap of the p-type single crystal SiGeC layer is not smaller than the n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加

n型単結晶SiGe層とp型単結晶SiGeC層のヘテロ界面において、p型単結晶SiGeC層のバンドギャップは、n型単結晶SiGe層以上である。 - 特許庁

To provide an MQW structure having a heterointerface in which degradation of well layers are suppressed and crystallinity of barrier layers are improved, and to provide a method of manufacturing the structure.例文帳に追加

井戸層の劣化を抑制しつつ障壁層の結晶性を向上させた、ヘテロ界面を有するMQW構造と該構造の製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor solving the problem that carriers in an electron transit layer concentrate on the vicinity of a heterointerface of small mobility to make it difficult to increase electron mobility and also solving the problem that the mobility cannot be made high because of impurity scattering.例文帳に追加

本発明の目的は、電子走行層内のキャリアが、移動度の小さいヘテロ界面近傍に集中し、電子移動度を高くすることができないという問題を解決し、さらに、不純物散乱により移動度が高められないという問題を解決する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor light receiving element in which carriers excited to the level of crystal defect in the heterointerface of lattice mismatch are not trapped but can migrate smoothly and can respond quickly, a recombination current caused by the level of crystal defect, i.e.,, a dark current in applying a reverse bias voltage, is reduced and noise of the element is suppressed.例文帳に追加

格子不整合のヘテロ界面での結晶欠陥による準位に励起されたキャリアがトラップされることなく、円滑に移動ができて高速応答ができ、結晶欠陥による準位に起因する再結合電流、すなわち逆バイアス電圧を印加したときの暗電流を低減させ、素子の雑音を抑えた半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

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