えっ？いいの？の英語

反応性イオンエッチング装置と基板のエッチング方法例文帳に追加

REACTIVE ION ETCHING DEVICE, AND METHOD OF ETCHING SUBSTRATE - 特許庁

そして、第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘは共に０．３より大きく、かつ第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘの差は０より大きく０．６より小さい。例文帳に追加

Both the Al compositions X of the first and second Al_xGa_1-xN layers 14a and 14b are greater than 0.3, and differences in Al compositions X between the first and second Al_xGa_1-xN layers 14a and 14b are greater than 0 and smaller than 0.6. - 特許庁

第１の距離（ｘ−Δｘ）は、第２の距離（ｘ＋Δｘ）と異なっている。例文帳に追加

The first distance (x-Δx) is different from a second (x+Δx). - 特許庁

第１開口部の径をＸ１とし、第２開口部の径をＸ２とし、第３開口部の径をＸ３としたとき、Ｘ２＜Ｘ３≦Ｘ１である。例文帳に追加

When X1, X2 and X3 respectively represent the diameters of the first, second and third apertures, X2<X3≤X1 is satisfied. - 特許庁

その位置をＲ１(Ｘ１，Ｙ１)、Ｒ２（Ｘ２，Ｙ２）とする。例文帳に追加

These positions are set to R1 (X1, Y1) and R2 (X2, Y2). - 特許庁

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ単結晶の成長方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN SINGLE CRYSTAL - 特許庁

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶の成長方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING AlxGal-xN CRYSTAL - 特許庁

さらに、第一相対位置Ｘ１と第二相対位置Ｘ２との差分ΔＸを算出する。例文帳に追加

A difference ΔX between the first relative position X1 and the second relative position X2 is calculated. - 特許庁