「えっ？いいの？」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第１の高さｈ１は第２の高さｈ２よりも大きい。例文帳に追加

The first height h1 is higher than the second height h2. - 特許庁

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶の成長方法およびＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶基板例文帳に追加

METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN CRYSTAL, AND AlxGa1-xN CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

反応性イオンエッチング装置と基板のエッチング方法例文帳に追加

REACTIVE ION ETCHING DEVICE, AND METHOD OF ETCHING SUBSTRATE - 特許庁

そして、第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘは共に０．３より大きく、かつ第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘの差は０より大きく０．６より小さい。例文帳に追加

Both the Al compositions X of the first and second Al_xGa_1-xN layers 14a and 14b are greater than 0.3, and differences in Al compositions X between the first and second Al_xGa_1-xN layers 14a and 14b are greater than 0 and smaller than 0.6. - 特許庁

第１の距離（ｘ−Δｘ）は、第２の距離（ｘ＋Δｘ）と異なっている。例文帳に追加

The first distance (x-Δx) is different from a second (x+Δx). - 特許庁

第１開口部の径をＸ１とし、第２開口部の径をＸ２とし、第３開口部の径をＸ３としたとき、Ｘ２＜Ｘ３≦Ｘ１である。例文帳に追加

When X1, X2 and X3 respectively represent the diameters of the first, second and third apertures, X2<X3≤X1 is satisfied. - 特許庁

その位置をＲ１(Ｘ１，Ｙ１)、Ｒ２（Ｘ２，Ｙ２）とする。例文帳に追加

These positions are set to R1 (X1, Y1) and R2 (X2, Y2). - 特許庁

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ単結晶の成長方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN SINGLE CRYSTAL - 特許庁

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶の成長方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING AlxGal-xN CRYSTAL - 特許庁

さらに、第一相対位置Ｘ１と第二相対位置Ｘ２との差分ΔＸを算出する。例文帳に追加

A difference ΔX between the first relative position X1 and the second relative position X2 is calculated. - 特許庁

反応性イオンエッチング装置例文帳に追加

REACTIVE ION ETCHING APPARATUS - 特許庁

反応性イオンエッチング方法例文帳に追加

REACTIVE ION ETCHING METHOD - 特許庁

第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ層１９は、第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層２１とIII族窒化物半導体基板１３との間に位置する。例文帳に追加

The first Al_X1Ga_1-X1N layer 19 is positioned between the second Al_X2Ga_1-X2N layer 21 and the group III nitride semiconductor substrate 13. - 特許庁

反応性イオンエッチング方法および反応性イオンエッチング装置例文帳に追加

REACTIVE ION ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF - 特許庁

ＫＴａ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３およびＫ_１−ｙＬｉ_ｙＴａ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３のＣＶＤ法による結晶膜の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for producing crystal films of KTa_1-xNb_xO_3 and K_1-yLi_yTa_1-xNb_xO_3 by a CVD method. - 特許庁

そして（ＸＡ_１，…，ＸＡ_ｉ）の各成分と、（ＸＢ_１，…，ＸＢ_ｉ）の各成分との連結すべき組み合わせを、ＸＡとＸＡ’との相関値、およびＸＢとＸＢ’との相関値に基づいて算出する。例文帳に追加

Then, the device calculates combinations to couple each component of (XA_1, ..., XA_i) to any of the components (XB_1, ..., XB_i) based on a correlation value between XA and XA', and that between XB and XB'. - 特許庁

六方晶系Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮのｍ面が所定の軸Ａｘの方向に向いている。例文帳に追加

An m surface of the hexagonal In_XGa_1-XN faces towards the predetermined Ax axis. - 特許庁

六方晶系Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮのａ面が所定の軸Ａｘの方向に向いている。例文帳に追加

An (a) plane of the hexagonal In_XGa_1-XN faces towards the predetermined Ax axis. - 特許庁

第１の電極１７は、第１のＡｌ_Ｘ１Ｉｎ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ層１３ａにショットキ接合を成す。例文帳に追加

A first electrode 17 forms a Schottky junction in the first Al_X1In_X2Ga_1-X1-X2N layer 13a. - 特許庁

そして、α=(ｙ_２-ｙ_１)/(ｘ_２-ｘ_１)を用いて直線の傾き係数αを求め、その係数αを用いて任意の点Ｘｘ(０〜２５５)で取得した出力電圧Ｙｘにおける補正後の値ｙ′を、ｙ′=Ｙｘ-αＸｘより求める。例文帳に追加

Then linear tilt coefficient α is computed using:α=(y_2-y_1)/(x_2-x_1), and this coefficient α is used to compute the value y' after compensation in the output voltage Yx obtained in arbitrary point Xx(0-255) by using: y'=Yx-αXx. - 特許庁

窒化物系化合物半導体は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。例文帳に追加

The nitride-based compound semiconductor is expressed by formula: Al_xIn_yGa_1-x-yN(where, 0≤x+y≤1). - 特許庁

ＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜製造のための低温ＭＯＣＶＤ処理例文帳に追加

LOW-TEMPERATURE MOCVD PROCESSING FOR MANUFACTURING PrxCa1-xMnO3 THIN FILM - 特許庁

第２の層をエッチングマスクとして、第１の層をエッチングする。例文帳に追加

The first layer is etched using the second layer as the etching mask. - 特許庁

この本にはダイエットのいいヒントがたくさん載っている例文帳に追加

This article has lots of good dieting tips. - Eゲイト英和辞典

ＡｌＧａＮクラッド層１７は、第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ（０＜Ｘ１＜１）層１９および第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（Ｘ１＜Ｘ２）層２１とを含む。例文帳に追加

The AlGaN clad layer 17 comprises a first Al_X1Ga_1-X1N (0<X1<1) layer 19, and a second Al_X2Ga_1-X2N (X1<X2) layer 21. - 特許庁

エッチングレートが異なる第１のエッチング液２３および第２のエッチング液２４を用いる。例文帳に追加

A first etchant 23 and a second etchant 24 with respectively different rates of etching are used. - 特許庁

濾材１は円形で、その直径をＸとすると、振幅運動の振幅はＸ／６０〜Ｘ／２００。例文帳に追加

The filter medium 1 is circular and the amplitude of the vibration motion is X/60 to X/200 (wherein X is a diameter of the circular filter medium). - 特許庁

第１のＡｌ_Ｘ１Ｉｎ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ層１３ａの炭素濃度Ｎ_Ｃ１３は１×１０^１７ｃｍ^−３未満である。例文帳に追加

A carbon concentration N_C13 of the first Al_X1In_X2Ga_1-X1-X2N layer 13a is less than 1×10^17 cm^-3. - 特許庁

Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮの自発分極が組成に依存するため、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第１グレーデッド層１０４には負の荷電が発生し、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第２グレーデッド層１０５には正の荷電が発生する。例文帳に追加

Since the spontaneous polarization of Al_XGa_1-XN depends on the composition, negative charges are generated in the Al_XGa_1-XN first graded layer 104 and positive charges are generated in the Al_XGa_1-XN second graded layer 105. - 特許庁

上記接合部７の組成はＳｉ_１−ｘＣ_ｘ（０＜ｘ＜１）で表わされることが好ましい。例文帳に追加

A composition of the junction 7 is preferably represented by Si_1-xC_x (0<x<1). - 特許庁

エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。例文帳に追加

In the etching process, a first etching process employs dry etching in which etching gas is used and a second etching process employs wet etching in which etching liquid is used. - 特許庁

エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。例文帳に追加

In etching steps, a first etching step is performed by wet etching in which an etchant is used, and a second etching step is performed by dry etching in which an etching gas is used. - 特許庁

オペレータは、マイクロメータＭＭＸ１、ＭＭＸ２、ＭＭＸＹ１、ＭＭＹ２を駆動して、筐体５０上の走査モジュール１のＸＹ位置を調整する。例文帳に追加

An operator drives micrometers MMX1, MMX2, MMXY1 and MMY2 to adjust the XY position of the scanning module 1 on the casing 50. - 特許庁

Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｙ１Ｇａ_１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層２５のインジウム組成Ｘ１はＩｎ_Ｘ３Ａｌ_Ｙ３Ｇａ_１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ緩衝層１９のインジウム組成Ｘ３より小さい。例文帳に追加

A proportion X1 of indium in the In_X1Al_Y1Ga_1-X1-Y1N well layer 25 is smaller than a proportion X3 of indium in the In_X3Al_Y3Ga_1-X3-Y3N buffer layer 19. - 特許庁

第ＩＸ因子／第ＩＸａ因子の抗体および抗体誘導体例文帳に追加

FACTOR IX/FACTOR IXA ANTIBODY AND ANTIBODY DERIVATIVE - 特許庁

Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ層は組成の異なる多層膜とする。例文帳に追加

The In_xGa_1-xN layer is made of a multilayer film with a different composition. - 特許庁

イネ白葉枯病耐性遺伝子Ｘａ３及びＸａ４のＤＮＡマーカー例文帳に追加

DNA MARKER FOR RICE PLANT BACTERIAL LEAF BLIGHT-RESISTANT GENES XA3 AND XA4 - 特許庁

Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層１０は基板１１の表面を覆っている。例文帳に追加

The Al_X2Ga_1-X2N layer 19 covers the surface of the substrate 11. - 特許庁

エッジ抽出手段は、第１クロックのエッジを抽出する。例文帳に追加

An edge extraction means extracts an edge of a first clock. - 特許庁

半導体柱をエッチングし、第１の絶縁膜をエッチングする。例文帳に追加

The semiconductor pillar is etched and the first insulating film is etched. - 特許庁

「ええっと、コヴェント・ガーデンの販売員から2ダース仕入れましたよ」例文帳に追加

"Well, I got the two dozen from a salesman in Covent Garden."  - Arthur Conan Doyle『ブルー・カーバンクル』

二ヤードのペグまでくると、女王さまはふりかえってこう言いました。例文帳に追加

At the two-yard peg she faced round, and said,  - LEWIS CARROLL『鏡の国のアリス』

［ｂ］ＣｅおよびＢｉのモル比を、Ｃｅ：Ｂｉ＝（１−ｘ）：ｘとするとき、０.１≦ｘ≦０.７が成立する。例文帳に追加

[b]: 0.1≤x≤0.7 when the molar ratio of Ce and Bi is Ce:Bi=(1-x):x. - 特許庁

［ａ］ＣｅおよびＢｉのモル比を、Ｃｅ：Ｂｉ＝（１−ｘ）：ｘとするとき、０＜ｘ≦０.９が成立する。例文帳に追加

[a]: 0<x≤0.9 when the molar ratio of Ce and Bi is Ce:Bi=(1-x):x. - 特許庁

エッチングは第１エッチング工程と第２エッチング工程の２段階に分ける。例文帳に追加

The etching includes two steps of a first etching step and a second etching step. - 特許庁