「えっ？いいの？」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

また、下り信号の周波数帯域を全てのＴＶ局に共通な７ｃｈ、８ｃｈ（１８８〜１９８ＭHz）の空き帯域とする。例文帳に追加

Furthermore, as the frequency band of an downstream signal, an idle band of 7ch, 8ch (188-198 MHz) in common to all TV stations is used. - 特許庁

第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの格子定数はその上の第１、第２の材料層１５，１６，１７の格子定数に整合されている。例文帳に追加

Lattice constants of the first and second Si_1-xGe_x (0≤x≤1) layers 14a, 14b and 14c are matched with lattice constants of the first and second material layers 15, 16 and 17 on them. - 特許庁

第１のラックブッシュ２０の内周面３６は、所定の付勢方向Ｆとは平行な第１の方向Ｘ１に径が相対的に大きく、第１の方向Ｘ１とは直交する第２の方向Ｘ２に径が相対的に小さくされている。例文帳に追加

The diameter of the inner circumferential surface 36 of the first rack bush 20 is relatively large in the first direction X1 parallel to the predetermined urging direction F and relatively small in the second direction X2 orthogonal to the first direction X1. - 特許庁

ＮＯｘトラップ触媒１１の担体温度とＮＯｘトラップ量とを検出し、これらからＮＯｘトラップ触媒１１のＮＯｘトラップ許容度を演算する。例文帳に追加

The NOx trap tolerance limit of the NOx trap catalyst 11 is calculated by detecting the carrier temperature of the NOx trap catalyst 11 and the NO trap amount. - 特許庁

Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材およびエピタキシャルウエハ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING Si(1-v-w-x)CwALxNv SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER, Si(1-v-w-x)CwAlxNv SUBSTRATE, AND EPITAXIAL WAFER - 特許庁

そこで、各配線パターン１４０Ｉ、１４０ＩＸ、１４０Ｑ、１４０ＱＸをそれぞれ固有の折れ曲がったパターンでレイアウトし、各配線パターン１４０Ｉ、１４０ＩＸ、１４０Ｑ、１４０ＱＸの長さを一致させる。例文帳に追加

Wire patterns 140I, 140IX, 140Q, 140QX are laid out with respectively particular folded patterns and the length of the wire patterns 140I, 140IX, 140Q, 140QX is made identical. - 特許庁

液溜(24,16)内の液面は第１レベルｈ1にあって第１圧力ｐ1を受けており、膨張後の留分は第２レベルｈ2（ｈ2＞ｈ1）にて第２圧力ｐ2（ｐ2＜ｐ1）で別工程(5,23)に供給する。例文帳に追加

A liquid level in the reservoirs 24 and 16 is under a first pressure p1 at a first level h1, while fractions after the expansion are supplied to the separate processes 5 and 23 under a second pressure p2(p2<p1) at a second level h2 (h2>h1). - 特許庁

（Ｒ^１〜Ｒ^４、Ｒ^１１及びＲ^１２：水素又は炭化水素基、Ｘ^１〜Ｘ^４、Ｘ^１１及びＸ^１２：酸素原子又は硫黄原子、Ｙ１：２価の金属原子、Ｕ：一価の金属原子、ｋ１：１）例文帳に追加

(In the formulas, R1 to R4, and R11 and R12 are each hydrogen or a hydrocarbon group; X1 to X4, and X11 and X12 are each an oxygen atom or a sulfur atom; Y1 is a divalent metal atom; U is a monovalent metal atom; and k1 is 1). - 特許庁

エッジは、投影レンズ４の焦点Ｆ３もしくはその近傍に位置する第１エッジ１７と、第１エッジ１７よりも投影レンズ４側に位置する第２エッジ１８と、を有する。例文帳に追加

The edges have a first edge 17 which is located at a focus F3 of a projection lens 4 or in the vicinity of it and a second edge 18 which is located on the projection lens 4 side than the first edge 17. - 特許庁

２点ｘ１，ｘ２間は２点Ｘ１，Ｘ２間のカラーピクセル値でカラー表示され、２点ｙ１，ｙ２間は２点Ｙ１，Ｙ２間のカラーピクセル値でカラー表示される。例文帳に追加

A zone between the two points x1, x2 is color- displayed with a color-pixel value between the two points X1, X2, while a zone between the two points y1, y2 is color-displayed with a color-pixel value between the two points Y1, Y2. - 特許庁

リッチスパイク実行後のリーン制御開始時から、ＮＯｘセンサ３４によって検出されたＮＯｘ濃度が所定値に達するまでの間の、ＮＯｘ触媒１６における吸蔵ＮＯｘ量を計測し、この計測値に基づいてＮＯｘ触媒１６の劣化を診断する。例文帳に追加

An Nox storage reduction amount of the NOx catalyst 16 is measured from when lean control starts after executing a rich spike to when an NOx concentration detected by the NOx sensor 34 reaches a predetermined value, so as to diagnose deterioration of the NOx catalyst 16 based on a measured value. - 特許庁

第１固定孔３４ｈ及び第２固定孔１３ｈは、シールド側固定孔２２ｈよりも大きくなっており、シールド側固定孔２２ｈの周縁部に生じたバリや波打ち変形部分等は、第１固定孔３４ｈ及び第２固定孔１３ｈ内に配設される。例文帳に追加

The sizes of the first and second stationary holes 34h, 13h are larger than the size of the shield side stationary holes 22h, so that burrs or wavily-distorted parts formed at the peripheral edges of the shield side stationary holes 22h are located within the first and second stationary holes 34h, 13h. - 特許庁

１つのｘ軸用マークとそれに対応するマスクのマークとのｘ軸方向の位置合わせ誤差Δｘ_1に基づいてｘ軸方向の相対位置を調節する。例文帳に追加

The relative position the in x-axis direction is adjusted based on an alignment error Δx1 in the x-axis direction between one x-axis mark and a mark of the mask corresponding to it. - 特許庁

Ｘ線発生装置が発生するＸ線のスペクトルの連続Ｘ線領域の主要部分がＸ線エネルギーの３〜２０ｋｅＶの範囲内にあるようにする。例文帳に追加

A primary part in a continuous X-ray range of spectra of the X-rays generated from the X-ray generation system is set to be in the range of 3-20 keV of the X-ray energy. - 特許庁

拡張ドレイン領域の第一トレンチ底面からの拡散深さｘ_drain 、第二トレンチの深さT_2、ベース領域の第二トレンチ底面からの拡散深さｘ_baseについて、 ｘ_drain ＜ T_2 ＋ｘ_base とする。例文帳に追加

The extension depth x_drain of the extended drain region from the bottom of the first trench, the depth T_2 of the second trench and the diffusion depth x_base of a base region from the bottom of the second trench are made x_drain<T_2+x_base. - 特許庁

エンコーダ１８の一定パルスごとにエッジ位置を計測し、計測した位置の変化量をΔｙ、一定パルス間の封筒Ｅ１の移動量をΔｘとして、エッジの傾きΔｙ／Δｘを算出する。例文帳に追加

The inclination of the edge Δy/Δx can be calculated by measuring the edge position for every constant pulse of an encoder 18, provided that the amount of change of the measured position is indicated as Δy and the amount of transfer of the envelope E1 is indicated as Δx between the constant pulses. - 特許庁

Ｘテーブル３に関して、ナット６のボールねじ５に対するバックラッシュの大きさの１／２に相当する誤差量αｘと、第１の許容値Ｍｘと、第２の許容値Ｎｘを、判定器３０に記憶させておく。例文帳に追加

As for an X table 3, the quantity of errors (αx) equivalent to one half of the backlash size of a nut 6 relative to a ball screw, a first allowance value (Mx) and a second allowance value (Nx), are stored in a judgement unit 30. - 特許庁

第１の光検出器２０ａは、くさび型エタロン１８の第１の部分１８ｘからの光を受ける。例文帳に追加

The first photo detector 20a receives the light from the first part 18x of the wedge-type etalon 18. - 特許庁

ただし、第２の継鉄２ｙの柱状部２１ｙの寸法は、第１の継鉄２ｘの柱状部２１ｘの寸法に比べて短くされており、第２の継鉄２ｙが第１の継鉄２ｘの内側に位置する関係とされる。例文帳に追加

Here, the dimension of columnar parts 21y of the second yoke 2y is shorter than that of the first columnar parts 21x of the yoke 2x, and the second yoke 2y is located inside of the first yoke 2x. - 特許庁

第１車体構成部材としての車体本体２に閉空間Ｘ２，Ｘ３を設けると共に、第１車体構成部材としてのバックドアＸ１の閉空間と車体本体２の閉空間Ｘ２，Ｘ３とを連通させる連通手段としての管部材４１，４２を設ける。例文帳に追加

The closed spaces X2, X3 are provided on a vehicle body 2 as the first vehicle body constitution member, and pipe members 41, 42 as communication means for communicating the closed spaces of a back door X1 as the first vehicle body constitution member and the closed spaces X2, X3 of the vehicle body 2 are provided. - 特許庁

実施形態に記載のＸ線ＣＴ装置の撮影条件処理方法は、Ｘ線ＣＴ装置における第１のＸ線曝射条件と第１のＸ線曝射条件とは異なる第２のＸ線曝射条件とが処理部に入力されるステップを有する。例文帳に追加

The method for disposing the photographing conditions for an X-ray CT apparatus in the Embodiment includes a step to input the second X-ray irradiation conditions different from the first X-ray irradiation conditions for the X-ray CT apparatus to its condition processor. - 特許庁

トナーと同極性側のデューティーをｘ（％）、第１の周期の周波数をｙ（ｋＨｚ）としたとき、３９≦ｘ≦４９、ｙ≦０．５ｘ−２．５、ｙ≦−１．２５ｘ＋７６、ｙ≧−０．０５ｘ＋１３を満たす範囲内に、デューティーおよび第１の周期の周波数を設定する。例文帳に追加

When duty on the same polarity side as the toner is defined as x(%), and frequency of the first cycle is defined as y(kHz), the duty and the frequency of the first cycle are set within a range satisfying 39≤x≤49, y≤0.5x-2.5, y≤-1.25x+76 and y≥-0.05x+13. - 特許庁

検出用の光学系としての結像光学系を介して、同一線幅ｄ１の２本の凹パターンＭ１Ｘａ，Ｍ１Ｘｂからなる第１マークＭ１Ｘをフォーカス位置を変化させながら撮像し、両凹パターンＭ１Ｘａ，Ｍ１Ｘｂの相対位置ＭＤ１を計測する。例文帳に追加

A first mark M1X consisting of two recessed patterns M1Xa and M1Xb of the same line width dI is imaged via an imaging optical system, which is used as an optical system for detection, while the position of a focus is changed and the relative positions MD1 of both patterns M1Xa and M1Xb are measured. - 特許庁

窒化物半導体においてＡｌを含む層、すなわちＡｌ_xＧａ_yＩｎ__1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）をエッチングストップ層として用い、かつ少なくとも酸素と塩素とを含むエッチングガスによりエッチングを行う。例文帳に追加

A layer containing Al in the nitride semiconductor or containing Al_xGa_yIn_1-x-yN (0≤x, 0≤y, x+y≤1) is employed as the etching stop layer, while etching is effected by etching gas containing at least oxygen and chlorine. - 特許庁

尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。例文帳に追加

Here, the slice etching processing is to etch the first film (211) more gently, in other words, more mildly than normal wet etching and dry etching by bringing an etchant into contact with the first film (211) from on the first film (211). - 特許庁

ガントリ１は、Ｘ線管球１２とＸ線検出器１３を含む第１のスキャン系と、Ｘ線管球２２とＸ線検出器２３を含む第２のスキャン系と、Ｘ線管球３２とＸ線検出器３３を含む第３のスキャン系とを有する。例文帳に追加

A gantry 1 comprises: a first scanning system which includes an X-ray tube 12 and an X-ray detector 13; a second scanning system which includes an X-ray tube 22 and an X-ray detector 23; and a third scanning system which includes an X-ray tube 32 and an X-ray detector 33. - 特許庁

ＸＭＬ文書分割部１１２ｂは、ＸＭＬ文書１１４の読み取りと並行して動作し、読み取られたＸＭＬ文書１１４のデータを順に処理することにより、当該ＸＭＬ文書１１４を、ＸＭＬとしての構造を持つ新たなＸＭＬ文書１１４−ｉ（ｉ＝１，２…）に分割・整形する（Ｓ２）。例文帳に追加

An XML document dividing part 112b divides the XML document 114 into new XML documents 114-1 (i = 1, 2...) having a structure of an XML and shapes the new XML documents 114-1 (S2) by operating in parallel with reading of the XML document 114 and sequentially processing the data of the read XML document 114. - 特許庁

反応性イオンエッチングによる磁気抵抗センサキャップの除去方法例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING MAGNETORESISTANCE SENSOR CAP DUE TO REACTIVE-ION ETCHING - 特許庁

体位保持具を取り付けたテーブル上でのＸ線撮影を可能にする。例文帳に追加

To make X-ray radiographing possible on a table whereon a posture holder is mounted. - 特許庁

Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ−ＯＲ型機能メモリ及びその読出し方法例文帳に追加

EXCLUSIVE-OR TYPE FUNCTIONAL MEMORY AND ITS READ METHOD - 特許庁

主面の少なくとも１つの被加工領域における第１方向ｘの長さをＸとしたとき、少なくとも１つの被加工領域の各々の第１方向ｘにおける中心から±Ｘ／４の範囲内で、第１層３に対して少なくとも１つのアライメントマークＭＫが形成される。例文帳に追加

When the length in the first direction x is X in at least one processed region of the principal surface, at least one alignment mark MK is formed for the first layer 3 within a range of ±X/4 from the center each of the at least one processed region in the first direction x. - 特許庁

第１の領域で反射する時のＸ線の入射角が第２の領域で反射するときのＸ線の入射角よりも大きい。例文帳に追加

The incident angle of X-ray in the reflection in the first area is larger than the incident angle of X-ray in the reflection in the second area. - 特許庁

この時の軸方向隙間（Ｘ）の大きさは、ボール４の直径（Ｙ）に対して、０．２×１０^-3＜（Ｘ／Ｙ）＜１．０×１０^-3の範囲内の大きさである。例文帳に追加

The size of the axial clearance X at this time, falls in the range of 0.2×10-3<X/Y<1.0×10-3 in relation to the diameter Y of the ball 4. - 特許庁

反応性イオンエッチングにより基板に貫通孔を開ける際、イオン等のエッチング種を逃がすための導電層を形成する。例文帳に追加

To form a conductive layer for setting etching species of an ion free at the time of making a through hole on a substrate by reactive ion etching. - 特許庁

本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング方法では、アモルファスＴｉＯ_２をエッチングするに際して、ラジカル反応が支配的な第１のエッチング工程と、イオン照射が支配的な第２のエッチング工程を含む。例文帳に追加

A plasma etching method according to an embodiment of the invention comprises, upon etching amorphous TiO_2, a first etching step where a radical reaction is dominant; and a second etching step where an ion irradiation is dominant. - 特許庁

第１の半導体領域をエッチングするとともに、第１の半導体領域のエッチング量および第１のマスク層のエッチング量を測定する。例文帳に追加

A first semiconductor region is etched, and an etching amount of the first semiconductor region and an etching amount of a first mask layer are measured. - 特許庁

第１の搬送方向を有する第１の搬送部Ｘ１と、折り部Ｘ２と、第１の搬送方向と直交する第２の搬送方向に搬送する第２の搬送部Ｘ３と、を備えている。例文帳に追加

The gluing device includes a first conveying unit X1 having a first conveying direction, a folding part X2, and a second conveying unit X3 for conveying paper sheets in the second conveying direction orthogonal to the first conveying direction. - 特許庁

第１のコマンド取得手段１２は、クロック信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジの何れかである第１のエッジに応じてコマンド入力手段１０から第１のコマンドを取得する。例文帳に追加

A first command obtaining means 12 obtains a first command from the command input means 10 in accordance with a first edge being either of a rise edge or a fall edge of the clock signal. - 特許庁

第１のＮＯ_Ｘ吸着部４５、第２のＮＯ_Ｘ吸着部４７およびＮＯ_Ｘ酸化部４６は、排気ガスが第１のＮＯ_Ｘ吸着部４５を通ってＮＯ_Ｘ酸化部４６に流入し、ＮＯ_Ｘ酸化部４６から流出する排気ガスが第２のＮＯ_Ｘ吸着部４７に流入するように配置されている。例文帳に追加

The first adsorption part 45, the second NO_x adsorption part 47 and the NO_x oxidation part 46 are arranged so that the exhaust gas flows in the NO_x oxidation part 46 through the first NO_x adsorption part 45 and the exhaust gas flowing out from the NO_x oxidation part 46 flows in the second NO_x adsorption part 47. - 特許庁

被塗布物に塗布液を吐出させるスロット５を有するエッジ支持体３、３と、スロット５に面するエッジ支持体３の先端部に取り付けられる超硬合金製のエッジ本体１３と、エッジ本体１３をエッジ支持体３に固定する締結体１４とを備える。例文帳に追加

The tool has an edge supporter 3, 3 having a slot 5 discharging an application solution onto an article to be applied with, an edge body 13 attached at the head of the supporter 3 opposing the slot 5 and a fastener 14 fixing the body 13 to the supporter 3. - 特許庁

その２段階のエッチングの際に用いる第１の気体（第１のエッチング用ガス）と第２の気体（第２のエッチング用ガス）の少なくともどちらか一方に、不活性気体を添加することを特徴とする。例文帳に追加

In this two-step etching, inert gas is added to at least one of primary gas (gas for the primary etching) and secondary gas (gas for the secondary etching). - 特許庁

また、ユーザは、電子ペン４を用いて機能選択ボタン２１１〜２２０のいずれかを押圧することにより肯定、否定、指示（代名詞的）、強調、疑問（ｙｅｓ−ｎｏ）、疑問（ｗｈｉｃｈ）、疑問（ｈｏｗ）、疑問（ｗｈａｔ）、疑問（ｗｈｅｒｅ）および疑問（ｗｈｅｎ）のうちいずれかを選択することができる。例文帳に追加

Also, a user is able to select any of affirmation, denial, instruction (pronominal), emphasis, question (yes-no), question (which), question (how), question (what), question (where) and question (when) by depressing any of function selection buttons 211 to 220 by using the electronic pen 4. - 特許庁

基板の面方向における第２の層のエッチングレートは、第１の層のエッチングレートより大きいことが望ましい。例文帳に追加

It is preferable that the etching rate of the second layer in the surface direction of the substrate is larger than the etching rate of the first layer. - 特許庁

１つの録画データＸ１をさらに削除すると容量不足を解消する録画データＸ１を検索し、Ｘ１がある場合には（初回のＳＴ２のＹＥＳ）、ＳＴ３でＸ１の候補を表示する。例文帳に追加

One video recording data X1 which eliminates the deficiency in capacity when further deleted is retrieved and when X1 is found (YES at ST2 on the first time), candidates for the X1 are displayed at ST3. - 特許庁

他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。例文帳に追加

After other processes, the second insulating film 16 is etched on the fuse layer 12 in a first etching process selectively for the etching stopper film 14 to expose a surface of the etching stopper film 14. - 特許庁