「えっ？いいの？」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。例文帳に追加

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole. - 特許庁

サイドウォール５１形成時のエッチングをＲＩＥとウエットエッチングの二段階で行い、ＲＩＥでシリコン基板１のＬＤＤ層４上に酸化シリコン膜５Ａを残存させ、ウエットエッチングでこの酸化シリコン膜５Ａを除去する。例文帳に追加

Etching for forming a side wall 51 is performed by two steps of reactive ion etching (RIE) and wet etching, i.e. a silicon oxide film 5A is left on an LDD layer 4 on a silicon substrate 1 by the RIE and the silicon oxide film 5A is removed by the wet etching. - 特許庁

平面視で、一方の対の第１コア側部の頂部エッジ２０ｄは他方の対の第１コア側部の頂部エッジと平行であり、一方の対の第２コア側部の頂部エッジ２０ｃは、他方の対の第２コア側部の頂部エッジと平行である。例文帳に追加

From a plan view, the top edge 20d of one pair of the first core part is parallel to the top edge of another pair of the second core part, and the top edge 20c of one pair of the second core side part is parallel to the top edge of another pair of the second core part. - 特許庁

Ｘ線撮影システム１は、乳房を除くＸ線吸収率が小さい被写体Ｗに対し、平均Ｘ線エネルギーＥ（ｋｅＶ）が１５≦Ｅ≦３０であるＸ線を照射するＸ線管２と、前記照射されたＸ線のＸ線量に応じたＸ線画像を記録するＸ線検出器３１とを備える。例文帳に追加

The radiography system 1 includes an X-ray tube 2 for irradiating the object W with the low X-ray absorbing rate excepting a mamma with X-ray having average X-ray energy E (keV) of 15 to 30 and an X-ray detector 31 recording the X-ray image corresponding to the X-ray dosage of the irradiating X-ray. - 特許庁

反応性イオンエッチングによる貫通孔の形成方法及び反応性イオンエッチングにより形成された貫通孔を有する基板例文帳に追加

METHOD FOR FORMING THROUGH HOLE BY REACTIVE ION ETCHING AND SUBSTRATE HAVING THROUGH HOLE FORMED BY REACTIVE ION ETCHING - 特許庁

（ｃ）工程で、第１の耐エッチング膜３２を構成する原子を基板１０に拡散させることによって、第１の耐エッチング膜３２を形成する。例文帳に追加

In the process (c), the first etching-resistant film 32 is formed by diffusing atoms constituting the first etching-resistant film 32 into the substrate 10. - 特許庁

基材１の幅方向に並べて配設された、基材１に向けてエッチング液７を噴射する複数のエッチング液噴射管５を具備する。例文帳に追加

A plurality of etching liquid jetting pipes 5, which jet an etching liquid 7 towards the substrate 1, are provided side by side in the width direction of the substrate 1. - 特許庁

酸化触媒１４の温度に基づいて、ＮＯｘセンサ１８の出力値Ｖ１_ＮＯｘを補正する（ステップ１０６〜１１０）。例文帳に追加

Based on the temperature of the oxidation catalyst 14, an output value V1_NOx of the NO_x sensor 18 is corrected (steps 106-110). - 特許庁

ＲＩＥ処理による有機反射防止膜１５のエッチング、ＲＩＥ処理によるＡｌ_2Ｏ_3膜１４のエッチングを行う（（ｂ））。例文帳に追加

The organic antireflection film 15 is etched by RIE treatment, and the Al2O3 film 14 is etched by the RIE treatment (b). - 特許庁

レーザマーキング工程１０３で生じたウエハのマーク内の加工変質層をドライエッチング工程１で完全にエッチング除去する。例文帳に追加

A process modified layer generated in the mark of a wafer in a laser marking process is completely removed by etching in a dry-etching process 1. - 特許庁

第１焦点Ｆ１からは第１波長のＸ線が発生し、第２焦点Ｆ２からは第２波長のＸ線が発生する。例文帳に追加

From a first focal point F1, X-ray of a first wavelength is generated, and from a second focal point F2, X-ray of a second wavelength is generated. - 特許庁

その結果、広帯域チャネルと狭帯域チャネルを割り当てる受信機の出力チャネル（Ｃｈ１〜Ｃｈ５）を任意に変更できる。例文帳に追加

As the result, output channels (Ch1-Ch5) of a receiver for assigning a wide band channel and a narrow band channel can be arbitrarily changed. - 特許庁

速度情報Ｖ’（Ｘ’）は、絶対位置座標Ｘ’の関数であり、運行パターンはマーカー６の絶対位置座標に基づいて規定されている。例文帳に追加

This speed information V' is a function of absolute position coordinate X', and the operating patterns are regulated based on the absolute position coordinate of the markers 6. - 特許庁

演算部は、第１及び第２の数列にＸＯＲやＸＮＯＲなどを適用して、偏りのない一様な乱数を生成する。例文帳に追加

The arithmetic part generates uniform random numbers without deviation by applying XOR and XNOR, etc., to the first and second sequences. - 特許庁

第１閾値を、細線画素群のエッジ画素を中心画素６１ａとしたときの第１処理領域６５に関するエッジ判断値以上とする。例文帳に追加

The first threshold is equal to or more than the edge determination value in the first processing area 65 when the edge pixel of a thin-line pixel group is the center pixel 61a. - 特許庁

Ｘ軸方向緩衝部５２は、Ｘ軸方向において第１フランジ４０と筐体１８の箇所との間に挟まれる。例文帳に追加

An X axis direction buffer part 52 is held between the first flange 40 and a case 18 in the direction of X axis. - 特許庁

血管内皮細胞増殖因子（本明細書中ではＶＥＧＦ−Ｘと呼ぶ）およびＶＥＧＦ−Ｘの配列中に存在するＣＵＢドメインの使用。例文帳に追加

A vascular endothelial growth factor (herein designated as VEGF-X) and a CUB domain present in the sequence of VEGF-X are used. - 特許庁

０．９５ ≦ Ｖ^１／２／Ｘ ≦ １．７５（ただし、Ｖ^１／２は前記円相当径の標準偏差であり、Ｘは前記円相当径の平均値である。）例文帳に追加

(Where V^1/2/X is the standard deviation of the equivalent circle diameter; X is the average value of the equivalent circle diameter). - 特許庁

段間整合回路１８は、第１，第２の送信信号ＴＸ1，ＴＸ2に対応した第１，第２の整合回路１９，２０を備える。例文帳に追加

The inter-stage matching circuit 18 includes first and second matching circuits 19 and 20 that correspond to first and second transmission signals TX1 and TX2. - 特許庁

第１ガス第１計測口Ｘ１−１と第２ガス第１計測口Ｘ２−１とは、前記風洞１１Ａの第１地点Ｘ１２−１に近接配置され、前記第１ガス１３と前記第２ガス２２は、互いに種類が異なる。例文帳に追加

The first-gas first measuring port X1-1 and the second-gas first measuring port X2-1 are arranged adjacently in the first point X12-1 of gas tunnel 11A, and the kind of the first gas 13 is different from that of the second gas 22. - 特許庁

第１の割合パラメータＡ（ｘ，ｙ）は、格納済み画素Ｓ（ｘ，ｙ）の割合及び重み付き値Ｗ（ｘ，ｙ）の相補的割合から重み付き画素Ｍ（ｘ，ｙ）を生成するために使用される。例文帳に追加

The first proportional parameter A(x, y) is used to generate a weighted pixel M(x, y) from a proportion of the stored pixel S(x, y) and a complementary proportion of the weighted value W(x, y). - 特許庁

基板１上にコア２を形成後、反応性イオンエッチングによりコア２の一部のエッチングを行い、エッチング面２ａを形成すると共に、エッチングされていないコア２の表面に溝３を形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the device having 3-dimensional tapered structure, after a core 2 is formed on a substrate 1, an etched surface 2a is formed by etching a part of the core 2 with reactive ion etching, and also grooves 3 are formed on the surface of the core 2 which is not etched. - 特許庁

第２の段階として、時点ｔ_０に、サーバは、回答者ｈ毎に、予想値ｘ_ｈと結果値ｒとの差に基づいて予測能力値ｗ_ｈを更新し、第１及び第２の段階を繰り返す。例文帳に追加

As the second step, the server updates the predicability value Wh on the basis of the difference between the estimated value Xh and a result value (r) in each answerer h at the time t0 and repeats the 1st and 2nd steps. - 特許庁

チャンネルｃｈ２〜ｃｈ８を選択した場合は送信電力を大きい値に設定し、帯域両端のチャンネルｃｈ１、ｃｈ９を選択した場合はｃｈ２〜ｃｈ８より小さい値に設定し、スプリアスの発生を低減する。例文帳に追加

In a case where the channel ch2-ch8 is selected, transmission power is set to a great value and when the channel ch1, ch8 of both band terminals is selected, the transmission power is set to a value smaller than that in the case of ch2-ch8, thereby reducing occurrence of spurious. - 特許庁

続いて絶縁膜１１０を除去し、第２のエッチング工程で第１，第２補助パターンをエッチングマスクとしてハードマスクパターンを形成し、それをエッチングマスクとして第３のエッチング工程でエッチング対象膜１０１をエッチングする。例文帳に追加

Next, the insulation film 110 is removed; in a second etching step, a hard mask pattern is formed by using the first and second auxiliary patterns as an etching mask; and in a third etching step, the etching target film 101 is formed, by using the hard mask pattern as an etching mask. - 特許庁

画像信号Ｖ１における注目位置の画素データの値ｘが、ｘ＞ＭＡＸまたはｘ＜ＭＩＮを満たす場合、混合回路１６６で、ｘと、ＭＡＸまたはＭＩＮとを、判別結果α（＝ｍ）に基づく混合比率で混合する。例文帳に追加

When a value x of the pixel data at the target position in the image signal V1 satisfies a relation of x>MAX or x<MIN, a mixer circuit 166 mixes the x with the MAX or MIN at a mixing ratio on the basis of the discrimination result α (=m). - 特許庁

この際、第２の金属膜３のウェットエッチングレートが第１の金属膜２のウェットエッチングレートより大きくなるように構成する。例文帳に追加

At this time, the wet etching rate of the second metal film 3 is specified to be higher than the wet etching rate o the first metal film 2. - 特許庁

エッジ検出部は、複数の撮影条件を用いて撮影された複数の画像のうちの第１の画像におけるエッジ部分を検出する。例文帳に追加

The edge detection section detects an edge part of a first image among the plurality of images photographed under the plurality of photographing conditions. - 特許庁

積み重ねた６枚の長方形の床材Ｘ…Ｘの長手方向両端部に段ボール紙製の平面視コ字状の保護部材１，１をあてがう。例文帳に追加

Protective members 1, 1 made of corrugated cardboard having a U-shape in plan view are applied to both the longitudinal ends of six sheets of layered rectangular flooring materials X, etc. - 特許庁

サイド・シールドは、第１のサイド・エッジおよび第２のサイド・エッジのうちの一方のみに近接する。例文帳に追加

A side shield is proximate to only one of the first side edge and second side edge. - 特許庁

２つの検査期日に、生物（４）の身体部位の第１のＸ線画像（２０）および第２のＸ線画像（３０）が作成される。例文帳に追加

On the two examination dates, a first X-ray image (20) and a second X-ray image (30) are created from the portion of the body of a creature (4). - 特許庁

次いで、パターン特定部１３において、あるエッジ方向に相当する第１画像ブロックと同じ大きさの第１のエッジ形状パターンをエッジ方向推定部１２で推定したエッジ方向と第１画像ブロック内の画素値とに基づいて選択し、かつ第１のエッジ形状パターンに対応するサイズの異なる第２のエッジ形状パターンを特定する。例文帳に追加

Then a pattern identification section 13 selects a first edge shape pattern of the same size as the first image block corresponding to an edge direction on the basis of the edge direction estimated by the edge direction estimate section 12 and the pixel value in the first image block, and identifies a second difference edge shape pattern of the size corresponding to the first edge shape pattern. - 特許庁

ここで、合金化領域２７，２９はＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＰ層９よりも上に設けられているので、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＰ層９内に設けられていない。例文帳に追加

Here, as the alloyed areas 27, 29 are provided above the In_xGa_1-xP layer 9, they are not within the In_xGa_1-xP layer 9. - 特許庁

たとえばMOSFET４１ｈの寄生ダイオードからなる第１ダイオード４２ｈからなる第１転流経路と並列に、第２ダイオード４３ｈとインダクタンス素子４４ｈとを直列接続してなる第２転流経路を設ける。例文帳に追加

A second communication path formed by serially-connecting a second diode 43h and an inductance element 44h is provided in parallel with a first commutating path composed of a first diode 42h consisting of a parasitic diode of, for example, a MOSFET 41h. - 特許庁

工作機に測定用のワークを設置し、初期位置（ｘ０，ｙ０）、第１位置（ｘ１，ｙ１）、第２位置（ｘ２，ｙ２）、第３位置（ｘ３，ｙ３）で加工を施す。例文帳に追加

A workpiece set as a measurement sample in a machine tool is machined at an initial position (x0, y0), a first position (x1, y1), a second position (x2, y2) and a third position (x3, y3). - 特許庁

操作体１には、Ｘ軸方向とＹ軸方向とにそれぞれ１対の第１の突起１Ｘ，１Ｘと１対の第２の突起１Ｙ，１Ｙが形成される。例文帳に追加

A pair of first projections 1X, 1X and a pair of second projections 1Y, 1Y are formed in respective directions of X axis and Y axis of the operating body 1. - 特許庁

Ｘ線造影糸５を平織りした従来のものに比して、Ｘ線造影糸５の引き抜き抵抗が極めて大きくなり、Ｘ線造影糸５の抜け落ちを防止できる。例文帳に追加

Compared to a conventional one wherein the X-ray contrast thread 5 is flatly woven, the pulling resistance of the X-ray contrast thread 5 becomes extremely large, and the X-ray contrast thread 5 can be prevented from slipping off. - 特許庁

基板１０の端部の第１ピン１８からの突出距離Ｘと、相互に最も接近する１つの第１ピン１８及び１つの第２ピン２０の間隔Ｄ_１は、０．５Ｘ＜Ｄ_１＜５Ｘの関係を有する。例文帳に追加

A projecting distance X from the first pins 18 at an end part of the substrate 10 and a spacing D_1 of the single first pin 18 and the single second pin 20 which come into closet distance of each other are related by the relation: 0.5X<D_1<5X. - 特許庁

この位置検出工程は、第１のエッチを検出する第１の検出ステップＳ１と、第２のエッチを検出する第２の検出ステップＳ２と、第３のエッチを検出する第３の検出ステップＳ３と、を含む。例文帳に追加

This position detection process contains: a first detection step S1 to detect a first paper end; a second detection step S2 to detect a second paper end; and a third detection step S2 to detect a third paper end. - 特許庁

ヘッド部材１１，１２のそれぞれを、塗布物Ｓに対向して配置されるように支持されるエッジ本体１４と、このエッジ本体１４を先端に支持するエッジ支持体１５とから構成する。例文帳に追加

Each of head members 11 and 12 is composed of an edge main body 14 supported to be arranged to face the substrate S and an edge support 15 which supports the edge main body 14 at the tip. - 特許庁

次いで、第１の結晶部材１にＸ線１０を導入し、第１の結晶部材１を透過又は回折して出射された透過Ｘ線及び回折Ｘ線を重畳させて定在波３０を形成する。例文帳に追加

Then, X-rays 10 are imported into the crystal member 1, and transmitted X-rays and diffracted X-rays launched after being transmitted or diffracted by the crystal member 1 are superimposed on each other to form a standing wave 30. - 特許庁

そして、Ｙ１とＸ１の差が所定のＡ１とＢ１の間にあるかどうかを判断する。例文帳に追加

It is judged whether the difference between the Y1 and X1 is between A1 and B1. - 特許庁

最初のＸ線Ｌの照射を、第１拍目の第１時相で行い、放射線画像を取得する。例文帳に追加

First irradiation with an X-ray L is performed in the 1st time phase of the 1st beat and a radiation image is acquired. - 特許庁

第１の演算回路２３ａは（Ｘ−２Ｙ＋Ｚ）の演算を行い第１の演算結果を出力する。例文帳に追加

A first operational circuit 23a calculates (X-2Y+Z) and outputs a first operation result. - 特許庁

第１の材料２の層は、エッチングされ、第１の材料２から作られるパターンが形成される。例文帳に追加

The layer of first material 2 is etched to form a pattern made from the first material 2. - 特許庁