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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > えっ?いいの?の意味・解説 > えっ?いいの?に関連した英語例文

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えっ?いいの?の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 15406



例文

今度の休暇は余り楽しくない。帰った方がいい例文帳に追加

This holiday isn't much fun - we should have gone home. - Tatoeba例文

今度の休暇は余り楽しくない。帰った方がいい例文帳に追加

This holiday isn't much fun - we might as well head back home. - Tatoeba例文

今度の休暇は余り楽しくない。帰った方がいい例文帳に追加

This holiday isn't much fun - we should have gone home.  - Tanaka Corpus

素材1を複数の要素1a〜1hに区分し、各要素1a〜1hの長さを求める。例文帳に追加

The stock 1 is divided into plural elements 1a-1h, a length of each element is obtained. - 特許庁

例文

具体的にはIn_x1Ga_1−x1As層の臨界膜厚の15倍以上50倍以下とする。例文帳に追加

To be concrete, the thickness is set to be15 times and ≤50 times of the critical thickness of the In_x1Ga_1-x1As layer. - 特許庁


例文

この場合、第1段の各加算器に「Xt」のビット列であるx0〜x5を入力することにより「Xt」の加算処理が実行さえる。例文帳に追加

In this case, x0 to x5 being a bit string of "Xt" are input to respective adders in the first stage to execute addition processing of "Xt". - 特許庁

シリコン基板101上に、Si_1−xGe_x層103を形成し、このSi_1−xGe_x層103にMISFETを形成する。例文帳に追加

The Si_1-xGe_x layer 103 is formed on the silicon substrate 101, and the MISFET is formed on the Si_1-xGe_x layer 103. - 特許庁

Ta1−XTiXO混成誘電体薄膜の製造方法及びTa1−XTiXO混成誘電体薄膜例文帳に追加

Ta1-XTiXO HYBRID DIELECTRIC THIN FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

(Ni_(1−x−y)Co_xMn_y)OOH(ここでX、Yは次の関係を満たす。1/20≦x≦1/3、1/20≦y≦1/3)例文帳に追加

In the formula, x and y satisfy the relationship of 1/20≤x≤1/3 and 1/20≤y≤1/3. - 特許庁

例文

Mが4価のCeであるとき、0<x<0.2、y=1+xであり、そしてMがアルカリ土類金属元素であるとき、0<x<1、y=1−xである。例文帳に追加

In the formula, Ln represents a trivalent rare earth element, M represents quadrivalent Ce or an alkaline earth metal element, and A represents Li or Na. - 特許庁

例文

あなたはこのお菓子を持って帰ってもいいですよ。例文帳に追加

You can take these sweets back home with you. - Weblio Email例文集

家にいるのはいい, 家に帰ってくるとほっとする.例文帳に追加

It's good to be home.  - 研究社 新英和中辞典

授業が終わったので帰ってもいい例文帳に追加

Now that school is over, you can go home. - Tatoeba例文

汚さない限り、この本を持ち帰ってもいいですよ。例文帳に追加

You may take this book as long as you keep it clean. - Tatoeba例文

その仕事が終わったら帰っていいよ。例文帳に追加

You may leave when you've finished the work. - Tatoeba例文

授業が終わったので帰ってもいい例文帳に追加

Now that school is over, you can go home.  - Tanaka Corpus

汚さない限り、この本を持ち帰ってもいいですよ。例文帳に追加

You may take this book as long as you keep it clean.  - Tanaka Corpus

この方法により、窒化インジウムガリウム(In_xGa_1−xN:0<X≦1)中のInの比率Xが0.5以上である。例文帳に追加

The ratio x of In in indium nitride gallium (In_xGa_1-xN:0<X≤1) by the method is 0.5 or larger. - 特許庁

第1のリセスエッチング工程では、異方性エッチングを実施し、第2のリセスエッチング工程では、異方性のないエッチングを実施する。例文帳に追加

In the first recess etching process, anisotropic etching is performed, and in the second recess etching process, etching free from anisotropy is performed. - 特許庁

クラッド帯150は、コア部111〜148のX1側のクラッド帯部151X1とX2側のクラッド帯部151X2とを有する。例文帳に追加

The clad band 150 has an X1 side clad band part 151X1 and an X2 side clad part 151X2 of core parts 111-148. - 特許庁

一対の第1貫通穴h1・h1〜h3・h3には、地際穴の外周を標示する一組の副ポールP2・P2を立設できる。例文帳に追加

The pair of the first through-holes h1, h1-h3, h3 has a set of sub-poles P2, P2 marking the outer peripheries of the district court holes erected. - 特許庁

好ましくは、2.0≦Y/X≦2.5、かつ10mass%≦X+Y≦15mass%である。例文帳に追加

Preferably, expressions of 2.0≤Y/X≤2.5 and 10 mass%X+Y15 mass% are satisfied. - 特許庁

半導体発光素子1は、発光領域3と、第1のAl_X1Ga_1−X1N半導体(0≦X1≦1)層5と、第2のAl_X2Ga_1−X2N半導体(0≦X2≦1)層7とを備える。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element 1 is provided with a light emitting region 3, a first Al_X1Ga_1-X1N semiconductor (0≤X1≤1) layer 5, and a second Al_X2Ga_1-X2N semiconductor (0≤X2≤1) layer 7. - 特許庁

半導体発光素子1は、発光領域3と、第1のAl_X1Ga_1−X1N半導体(0≦X1≦1)層5と、第2のAl_X2Ga_1−X2N半導体(0≦X2≦1)層7とを備える。例文帳に追加

The semiconductor light emitting device 1 includes: a light emitting region 3; a first Al_X1Ga_1-X1N semiconductor (0≤X1≤1) layer 5; and a second Al_X2Ga_1-X2N semiconductor (0≤X2≤1) layer 7. - 特許庁

今までとんとん拍子にきたのだから, ここでワンクッション置くのもかえって君のためにいいよ.例文帳に追加

You have risen very rapidly so far. So it may be better for you to mark time for a while in preparation for another leap.  - 研究社 新和英中辞典

ここで、第1ステップのエッチングで、上記第1の酸化膜が所定の深さまでエッチングされる。例文帳に追加

In this case, by the etching of a first step, the first oxidized film is etched to a prescribed depth. - 特許庁

第1の記録媒体Xからの反射光に基づき第1の輝度値(I(X))が取得される。例文帳に追加

A first luminance value (I(X)) is acquired based on reflected light from a first recording medium X. - 特許庁

第1のマスク膜をマスクとして、第1の被エッチング膜をエッチングすることにより、第1の被エッチング膜にビアパターン33を形成する。例文帳に追加

While the first mask film is being used as a mask, the first film 24 is etched to form a via pattern 33 in the first film 24. - 特許庁

継ぎ棒J1、J2の両端部内側に、その軸線方向に伸びる穴部r1x、f1x、r2x、f2xを形成してもよい。例文帳に追加

Hole parts r1x, f1x, r2x and f2x extending to the axial direction may be formed at the inside of both ends of the joint bars J1 and J2. - 特許庁

出血性障害の処置のための第IXA因子例文帳に追加

FACTOR IXA FOR TREATMENT OF BLEEDING DISORDER - 特許庁

第1の抵抗値は、第2の抵抗値の1/x倍である。例文帳に追加

The first resistance value is 1/x times the second resistance value. - 特許庁

《諺》 高望みをするとかえって損をする, いいかげんのところで我慢をするのがよい.例文帳に追加

You may go farther and fare worse.  - 研究社 新英和中辞典

第1のワイプ集合体40のワイプの中央パネル42x及びトレーリングエッジパネル43xが、第2のワイプ集合体50のワイプのリーディングエッジパネル51xと中央パネル52xとの間に挟み込まれる。例文帳に追加

The center panel 42x and the trailing edge panel 43x of a first wipe collective body 40 are put in between the leading edge panel 51x and the center edge panel 52x of a second wipe collective body 50. - 特許庁

第2のワイプ集合体50のワイプのリーディングエッジパネル51x及び中央パネル52xが、第1のワイプ集合体40のワイプのトレーリングエッジパネル43xと中央パネル42xとの間に挟み込まれる。例文帳に追加

A reading edge panel 51x and central panel 52x of the wipe of a second wipe manifold 50 are interposed between a training edge panel 43x and central panel 42x of the wipe of a first wipe manifold 40. - 特許庁

この特徴ある構成は、エッチング工程が酸エッチングする第1エッチング工程13aとこの第1エッチング工程の後にアルカリエッチングする第2エッチング工程13bとを含み、第1エッチング工程と第2エッチング工程との間に第1エッチング工程で形成されたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程14を含む。例文帳に追加

This characteristic constitution includes a first etching process 13a wherein acid etching is performed in the etching process and a second etching process 13b wherein alkaline etching is performed after the first etching process, and includes a back light polishing process 14 for polishing the uneven part of the back of the wafer which is formed by the first etching process, between the first etching process and the second etching process. - 特許庁

この積層体は、第1並びに第2の円弧形状のエッジ104,106を備え、第2のエッジは第1のエッジよりも小さい曲率を有している。例文帳に追加

The laminate has first and second arcuate edges 104, 106, with the second edge having a smaller curvature than the first edge. - 特許庁

一対の第1貫通穴h1・h1〜h3・h3は、同心円C1〜C3の線上に設けている。例文帳に追加

The pair of the first through-holes h1, h1-h3, h3 are provided on the curved lines of the concentric circles C1-C3. - 特許庁

選択した参照画像に対応する光学画像について、第1のエッジに対応するエッジと、第2のエッジに対応するエッジとを検出する。例文帳に追加

Concerning an optical image which corresponds to the selected reference image, an edge which corresponds to the first edge and an edge which corresponds to the second edge are detected. - 特許庁

第1、第2の光制御板:凸状部の輪郭形状が0.95×Z_10(x)≦z_1(x)≦1.05×Z_10(x)〔Z_10(x)は、で定義される。例文帳に追加

The contour shape of the convex parts of the first and the second light-control plates is expressed by z_1(x) which satisfies the relation, 0.95×Z_10(x)≤z_1(x)≤1.05×Z_10(x). - 特許庁

そして、第1の交番磁界Hex1をエッジ56に印加し、第2の交番磁界Hex2をエッジ58に印加する。例文帳に追加

Then, the first and second alternating magnetic fields Hex1 and Hex2 are respectively applied to edges 56 and 58. - 特許庁

X線センサ、および、そのX線センサを用いたX線診断装置、および、X線センサの真空状態維持方法例文帳に追加

X-RAY SENSOR, X-RAY DIAGNOSTIC APPARATUS USING X-RAY SENSOR, AND METHOD OF MAINTAINING VACUUM STATE OF X-RAY SENSOR - 特許庁

第1〜第mのトランジスター列TA1〜TAmの各トランジスター列は、複数の入力信号XP(X1P〜XiP)、XN(X1N〜XiN)によってオン・オフされる。例文帳に追加

Each transistor train of the first to m-th transistor trains TA1-TAm is turned on/off by two or more input signals XP (X1P-XiP) and XN (X1N-XiN). - 特許庁

第2のエッジ後の時点は、ロータ位置信号のエッジ間の平均期間と、第1のエッジと第2のエッジの間の期間から第2のエッジ後の時点を第1のエッジ後の時点にロータ位置信号のエッジ間の平均期間を加算し、第1のエッジと第2のエッジの間の期間を差し引くことで定義される。例文帳に追加

The time after the second edge is defined using the average period between edges of the rotor-position signal and the period between the first and second edges, namely, by adding the average period between edges of the rotor-position signal to the time after the first edge, and subtracting the period between the first and second edges. - 特許庁

第1の変更機能は、第3のコーナーのX座標と第5のコーナーのX座標とを比較して、SX_0<PX_0の場合にSX_0をPX_0に変更する。例文帳に追加

A first change function compares an X coordinate of a third corner with an X coordinate of a fifth corner and changes SX_0 into PX_0 in the case of SX_0<PX_0. - 特許庁

帯電物体Xの除電対象面X1の両側辺X3,X4のうちの第1の辺X3側にイオン生成・送風手段2を配置し、第2の辺X4側に空気吸引手段3を配置する。例文帳に追加

An ion generation/blast means 2 is arranged on the side of a first side X3 within both sides X3 and X4 of a static elimination object surface X1 of the charged object X, and an air suction means 3 is arranged on the side of the second side X4. - 特許庁

反応性イオンエッチングシステムのためのレクチルアダプタ例文帳に追加

RETICLE ADAPTER FOR REACTIVE ION ETCHING SYSTEM - 特許庁

さらに、クロマ信号Cv1,Ch1,Ct1の相互差分の絶対値|Cv1−Ch1|,|Ch1−Ct1|,|Ct1−Cv1|を求める。例文帳に追加

Absolute values &verbar;Cv1-Ch1&verbar;, &verbar;Ch1-Ct1&verbar;, &verbar;Ct1-Cv1&verbar; of mutual differences between the chroma signals Cv1, Ch1, Ct1 are found. - 特許庁

君が望むなら僕は帰ってもいいですよ。例文帳に追加

If you want, I can come back. - Tatoeba例文

これにより、画素データが第1の閾値を越える第1および第2の横座標x_1 、x_2 を検出する。例文帳に追加

Thus, first and second lateral coordinates x1 and x2 where pixel data exceeds a first threshold are detected. - 特許庁

例文

複数の処理室10a〜10xの端部にキャリア授受部18a〜18xが整列して設けられる。例文帳に追加

Carrier delivery parts 18a-18x are aligned at the end parts of a plurality of process chambers 10a-10x. - 特許庁

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