「えっ？いいの？」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

ｎ型下部クラッド層４中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層５が形成され、ｐ型上部クラッド層７中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層８が形成されている。例文帳に追加

In an n-type lower clad layer 4, thin buffer layers 5 of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) are formed, and in a p-type upper clad layer 7, thin buffer layers 8 of Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are formed. - 特許庁

Ｘ線管１０の管電圧をＸｋＶp（１＜Ｘ≦５００）として被写体１５のＸ線撮影を行い、Ｘ線画像検出器２０によってディジタルの第１の画像信号を生成する。例文帳に追加

The first digital image signal is generated using an X-ray image detector 20 by X-ray photographing a subject 15 treating a bulb voltage of an X-ray tube 10 as XkVp (1<X≤500). - 特許庁

このパターニング工程は、第１のエッチング条件で前記被処理膜のエッチングを行なう第１エッチング工程、および、第１のエッチング条件とは異なる第２エッチング条件で前記被処理膜のエッチングを更に行なう第２エッチング工程を含む。例文帳に追加

The patterning process includes a first etching process for etching the processed film in a first etching condition and a second etching process for etching further the processed film in a second etching condition different from the first etching condition. - 特許庁

イネの感光性遺伝子Ｅｈｄ３とその利用例文帳に追加

PHOTOSENSITIVE GENE Ehd3 OF RICE PLANT AND USE THEREOF - 特許庁

ＧａＮ層１７は、ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層１３との間に設けられている。例文帳に追加

A GaN layer 17 is provided between the GaN wafer 11 and In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N buffer layer 13. - 特許庁

最小値と最大値との流量比Ｘｍｉｎ／ＹｍａｘおよびＹｍｉｎ／Ｘｍａｘを、０．５０倍以下にして溶鋼を撹拌する。例文帳に追加

The flowing quantity ratios of the minimum values and the maximum values Xmin/Ymax and Ymin/Xmax are defined as ≤0.5 times to stir the molten steel. - 特許庁

エッジ分類処理部は第１エッジ判定部と第２エッジ判定部との判定結果に基づき線種に応じてエッジを分類する。例文帳に追加

The edge classification processing part classifies the edges according to a line type based on determination results by the first and second edge determination parts. - 特許庁

この合成画像ｆa（ｘ、ｙ）は、式ｆa（ｘ，ｙ）＝（１−Ｂ）・ｆa（ｘ，ｙ）＋Ｂ・ｆt+k（ｘ，ｙ）により生成する（S60）。例文帳に追加

The composite image fa(x, y) is generated according to an expression fa(x, y)=(1-B)×fa(x, y)+B×ft+k(x, y) (S60), wherein B is a blend rate, (k) is the number of combination operations and an initial value of fa(x, y) is the frame image ft(x, y). - 特許庁

青色樹脂層８はガラスプレート縁部Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４及び素子間隙部Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３の全部に設けられている。例文帳に追加

The blue resin layer 8 is provided on each of edge portions X1, X2, X3, X4 of the glass plate and gap portions Y1, Y2, Y3 between each of the light-emitting elements. - 特許庁

縦エッジ線検出部１２は、各画像から縦エッジ線を検出し、各縦エッジ線のＸ座標を表す水平位置ｕを検出する。例文帳に追加

A longitudinal edge line detecting section 12 detects a longitudinal edge line from each image, and detects a horizontal position (u) showing the X coordinate of each longitudinal edge line. - 特許庁

Ｘ線透視しながら、Ｘ線撮影位置やＸ線撮影方向などのＸ線撮影態様を調整する際に、Ｘ線透視用のＸ線画像の明るさが大きく乱れるのを簡単に防げるようにする。例文帳に追加

To easily prevent the brightness of X-ray images for fluoroscopy from being largely disturbed when adjusting the X-ray radiographing forms of an X-ray radiographing position and an X-ray radiographing direction, etc., while performing fluoroscopy. - 特許庁

ＮＯｘセンサ診断装置は、ＮＯｘ濃度の平均値（ＲＥＮＯｘＡＶＥ）と、ＮＯｘ濃度の最低値（ＲＥＮＯｘ１）との変化量である差分が所定範囲からずれていると、ＮＯｘセンサを異常であると診断する。例文帳に追加

The NOx sensor diagnostic device diagnoses that the NOx sensor is abnormal if difference which is change quantity of the average value (RENOxAVE) of the concentration of NOx and the minimum value (RENOx1) of the concentration of NOx slips from a designated range. - 特許庁

第２のランド１３ｃのＸ位置は、第１のランド１３ａのＸ位置に対してずれる。例文帳に追加

X positions of the second lands 13c shift from X positions of the first lands 13a. - 特許庁

まず、エッチングレートの早い第１のエッチング液２３で、ガラス基板１１，１２の表面１１ａ，１２ａをエッチング処理する。例文帳に追加

At first, the surfaces 11a, 12a of the glass substrates 11, 12 are etched with the first etchant 23 with a faster rate of etching. - 特許庁

コンパレータ７’に第１の閾値Ｖｔｈ１と第１の閾値Ｖｔｈ１よりも低い第２の閾値Ｖｔｈ２とを設定する。例文帳に追加

A first threshold Vth1 and a second threshold Vth2, which is lower than the first threshold Vth1 are set at the comparator 7'. - 特許庁

被検体１のＸ線照射部３０にＸ線６を照射して被検体１の表面形状の検査を行なうＸ線検査装置である。例文帳に追加

The X-ray inspection device irradiates an X-ray irradiation section 30 of an analyte 1 with X-rays 6 and inspects the surface shape of the analyte 1. - 特許庁

ＮＯｘセンサ３４の下流側に別のＮＯｘ触媒１８を設け、劣化診断時にＮＯｘ触媒１６から流出したＮＯｘを別のＮＯｘ触媒１８により浄化処理する。例文帳に追加

The other NOx catalyst 18 is provided on a downstream side of the NOx sensor 34, and NOx flowing from the NOx catalyst 16 when deterioration is diagnosed is purified by the other NOx catalyst 18. - 特許庁

第１エッチング工程において、バッファード弗酸を主成分として含有する第１エッチング組成物を用いて水晶材料の表面をウエットエッチングし、広い範囲で必要なエッチング量だけエッチング加工する。例文帳に追加

In a first etching process, the surface of a crystal material is wet-etched using a first etching composite containing a buffered hydrofluoric acid as a main component to perform an etching process over a wide area by a required etching quantity. - 特許庁

一般式Ａ_１＋４ＸＢｉ_４−４Ｘ（Ｔｉ_１−ＸＮｂ_Ｘ)_４Ｏ_１５、（ただし、Ａ＝Ｂa、Ｓr、Ｃa）において、モル比ｘが０≦ｘ＜０.２５の範囲である圧電体磁器組成物とする。例文帳に追加

This composition has a chemical composition represented by the general formula, A1+4xBi4-4x(Ti1-xNbx)4O15 (wherein, A is Ba, Sr or Ca; and (x) is a molar ratio within the range of 0≤x<0.25). - 特許庁

Ｂａ_ｘＸ_（１−ｘ）２（Ｍｇ_ｙＹ_（１−ｙ））（ＢＯ_３）_２で表すものとし、Ｘ，Ｙは共にアルカリ土類元素で空間群Ｒ３−ｍに属する構成とし、ｘ，ｙは０＜ｘ，ｙ≦１を満たす数とする。例文帳に追加

The alkali earth metal borate based birefringent material is expressed by Ba_xX_(1-x)2(Mg_yY_(1-y))(BO_3)_2, wherein X and Y are alkali earth metals in common, belong to a space group R3-m in construction, and x and y are numerical values satisfying 0<x, y≤1. - 特許庁

反応性イオンエッチングの際のエッチング室内のガス圧を９．３〜１０．７Ｐａとする。例文帳に追加

Gas pressure in an etching chamber in the case of the reactive ion etching is set to be 9.3-10.7 Pa. - 特許庁

第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。例文帳に追加

A second etching step employs an etching method in which the etching rate to the first film is higher than that in the first etching step and the etching rate to "the layer in contact with the bottom of the first film" is lower than that in the first etching step. - 特許庁

第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。例文帳に追加

A second etching step employs an etching method in which an etching rate to the first film is higher than that in the first etching step, and an etching rate to "a layer provided below and in contact with the first film" is lower than that in the first etching step. - 特許庁

そんな事に干渉しない方がいいよ, と忠告してやったのにかえって逆恨みされてしまった.例文帳に追加

I meant to be kind and advised him not to meddle in it, and earned [incurred] his resentment instead.  - 研究社 新和英中辞典

彼は口下手で、お世辞にも要領がいいとは言えませんが、それだけかえって私は彼が好きなのです。例文帳に追加

He may be a poor talker and far from shrewd, but I like him all the better for that. - Tatoeba例文

彼は口下手で、お世辞にも要領がいいとは言えませんが、それだけかえって私は彼が好きなのです。例文帳に追加

He may be a poor talker and far from shrewd, but I like him all the better for that.  - Tanaka Corpus

次に、磁気回転子１の個々毎に、Ｘ１−Ｘ１線、Ｙ１−Ｙ１線に沿って切断する。例文帳に追加

Next, the product is cut along X1-X1 lines and Y1-Y1 lines for each magnetic rotor 1. - 特許庁

詳細に測定するとＶｔｈＩｅとＶｔｈＩｄとの差が０．３Ｖ以内にあった。例文帳に追加

When measured in detail, a difference between VthIe and VthId is within 0.3 V. - 特許庁

第１マスク１６をエッチング室１２の第１位置でエッチングしてマスクパターンを形成する。例文帳に追加

The mask pattern is formed by etching a first mask 16 in a first position of an etching chamber 12. - 特許庁

Ｘ_org ，Ｙ_org ，Ｚ_org を入力三刺激値、ｘ_w ，ｙ_w を画像中の白色点のｘｙ色度値とし、かつＸ，Ｙ，ＺをＸ_org ，Ｙ_org ，Ｚ_org と、Ｘ_w ，Ｙ_org ，Ｚ_w の２点を通る直線上にあるとする。例文帳に追加

Let X_org, Y_org, Z_org be input tristimulus values, and x_w, y_w be xy chromaticity values of a white color point in an image, then X,Y,Z is located on a straight line passing through two points of the X_org, Y_org, Z_org and the x_w, Y_org, y_w. - 特許庁

第１固定孔３４ｈの周縁部、シールド側固定孔２２ｈの周縁部、第２固定孔１３ｈの周縁部を重ね合せた状態で、それら各孔３４ｈ、２２ｈ、１３ｈにねじが通されて固定される。例文帳に追加

Under such a condition that the peripheral edges of the first stationary holes 34h, the peripheral edges of the shield side stationary holes 22h, and the peripheral edges of the second stationary holes 13h, are stacked; and screws are passed through these holes 34h, 22h, 13h and then fixed. - 特許庁

反応性イオンビームエッチング装置とその加工方法例文帳に追加

REACTIVE ION BEAM ETCHING SYSTEM AND PROCESSING METHOD THEREFOR - 特許庁

Ｃ光源および２°視野の条件において、ＸＹＺ表色系色度図における色度座標（ｘ、Ｙ）が、４８１６ｘ^3 −４８５５ｘ^2 ＋１２９４ｘ＋３ ＞Ｙ ＞ ４６５４ｘ^3 −４５７９ｘ^2 ＋１１６２ｘ＋９、かつ０．３５０≦ｘ≦０．５００を満たす赤色画素を含むことを特徴とするカラーフィルター。例文帳に追加

The color filter is characterized by containing red pixels of which the chromaticity coordinate (x, y) in the XYZ colorimetric system chromaticity diagram satisfies inequalities 4816x3-4855x2+1294x+3>Y>4654x3-4579 x2+1162x+9 and 0.350≤x≤0.500 under a condition of an illuminant C and 2° visual field. - 特許庁

Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｙ１Ｇａ_１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層１３とＩｎ_Ｘ２Ａｌ_Ｙ２Ｇａ_１−Ｘ２−Ｙ２Ｎバリア層１５との間のエネルギーギャップ差Ｅｇ１は、２．４×１０^−２０Ｊ以上４．８×１０^−２０Ｊ以下である。例文帳に追加

The energy gap difference Eg1 between the In_X1Al_Y1Ga_1-X1-Y1N well layer 13 and the In_X2Al_Y2Ga_1-X2-Y2N barrier layer 15 is ≥2.4×10^-20J and ≤4.8×10^-20J. - 特許庁

Ｓｒ_ｘＣａ_（１−ｘ）ＣｕＯ_ｙを１〜１０ｖｏｌ％含むこと、Ｓｒ_ｘＣａ_（１−ｘ）ＣｕＯ_ｙの平均粒径が５〜１００μｍであること、Ｓｒ_ｘＣａ_（１−ｘ）ＣｕＯ_ｙのｘが０．１２〜０．１６であり、ｙが２であることが好ましい。例文帳に追加

The friction material preferably contains 1-10 vol.% of the Sr_xCa_(1-x)CuO_y, and the preferable Sr_xCa_(1-x)CuO_y has 5-100 μm of average particle size and has 0.12-0.16 of x, 2 of y. - 特許庁

私がこの退院承諾書にサインしたら、もう帰ってもいいですか。例文帳に追加

After I sign these release papers, you'll be on your way. - Tatoeba例文

私がこの退院承諾書にサインしたら、もう帰ってもいいですか。例文帳に追加

After I sign these release papers, you'll be on your way.  - Tanaka Corpus

当然、この距離Ｙ1と距離Ｘ1 との間には、Ｙ１＞Ｘ１の関係が成立している。例文帳に追加

Naturally, relation of Y1>X1 is satisfied between the distance Y1 and the distance X1. - 特許庁

第１の半導体層１３は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる半導体表面２１ａの上に設けられる。例文帳に追加

The first semiconductor layer 13 is provided on a semiconductor surface 21a composed of Al_XGa_1-XN (0<X≤1). - 特許庁

信号処理部３６は、音響信号ｘ(t)の各帯域成分Ｘ[k,m]に当該帯域成分Ｘ[k,m]の要素値ｇ[k,m]を作用させる。例文帳に追加

A signal processing section 36 applies the element value g[k,m] of the relevant band component X[k,m] to each of the band components X[k,m] of the acoustic signal x(t). - 特許庁

まず、レジスト３０をマスクとして、第１のエッチング条件でキャップ膜２０を途中までエッチングする（第１のエッチング工程）。例文帳に追加

First, a resist 30 is used as a mask, and the cap film 20 is etched to partway under first etching condition (first etching step). - 特許庁

第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層上に対応して少なくとも第１、第２の材料層１５，１６，１７が形成されている。例文帳に追加

At least first and second material layers 15, 16 and 17 are formed in correspondence on the first and second Si_1-xGe_x (0≤x≤1) layers. - 特許庁

エッチング工程（１Ａ）がエッチング液の液温が６０℃以上の第一エッチング工程と、エッチング液の液温が２５℃以下の第二エッチング工程とで構成されていること。例文帳に追加

The etching process (1A) is composed of a first etching stage in which the solution temperature of an etching solution is controlled to 60°C or more and a second etching stage in which the solution temperature of an etching solution is controlled to 25°C or less. - 特許庁

基本回路１０ａの出力は、入力変数ｘがｘ_１（第１の入力値）からｘ_２（第２の入力値）まで変化するとき、ｇ（ｘ_１）（第１の出力値）からｇ_０ｘ（基準値）まで線形的に変化する。例文帳に追加

The output of the basic circuit 10a linearly changes from g(x_1) (a first output value) to g_0x (a reference value) when an input variable x changes from x_1 (a first input value) to x_2 (a second input value). - 特許庁

Ｘ方向において、第１回路領域Ａ１の両端部の位置ｘ１ａ，ｘ１ｂと第２回路領域Ａ２の両端部の位置ｘ２ａ，ｘ２ｂとは、少なくともいずれか一方が異なっている。例文帳に追加

In an X direction, at least one end position is different between the positions of both ends of the first circuit area A1, x1a and x1b, and the positions of both ends of the second circuit area A1, x2a and x2b. - 特許庁