「えっ？いいの？」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｘ電極Ｘ１ないしＸ４と検出電極Ｓｘ１ないしＳｘ４を有する第１の検知領域２５および、Ｙ電極Ｙ１ないしＹ３と検出電極Ｓｙ１ないしＳｙ３を有する第２の検知領域２６が、画像表示領域３とその外側の非表示領域とにまたがって配置されている。例文帳に追加

A first detection area 25 having X electrodes X1 to X4 and detection electrodes Sx1 to Sx4, and a second detection area 26 having Y electrodes Y1 to Y3 and detection electrodes Sy1 to Sy3 are disposed across an image display area 3 and an outer non-display area. - 特許庁

独立した４回の８ｘ８乗算または２回の１６ｘ１６乗算、複素乗算の実部／虚部、３２ｘ３２乗算の部分加算の対、１６ｘ３２乗算の部分和について、入力半ワードおよびバイト選択が可能である。例文帳に追加

Input half word and byte selection are possible for four independent 8×8 multiplication or two 16×16 multiplication, a real part/imaginary part of complex multiplication, a pair of partial addition of 32×32 multiplication and partial sum of 16×32 multiplication. - 特許庁

このＧａＮヘテロ接合電界効果トランジスタは、チャネル層１０３上に順次形成されたＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第１グレーデッド層１０４とＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第２グレーデッド層１０５を備えた。例文帳に追加

This GaN hetero-junction field effect transistor is provided with an Al_XGa_1-XN first graded layer 104 and an Al_XGa_1-XN second graded layer 105 which are successively formed on a channel layer 103. - 特許庁

接触角計１０２ａ〜１０２ｈは、ノズル１０１ａ〜１０１ｈにより滴下された水滴の接触角を検出する。例文帳に追加

Contact angle meters 102a-102h detect contact angles of water droplets fallen from the nozzles 101a-101h. - 特許庁

第１および第２の所定領域の中心位置におけるＸ座標をＸ１，Ｘ２として求め、これらの中心位置を物体１０の位置、差分値を物体１０の大きさ推定のための情報として求める。例文帳に追加

The X coordinate at the center positions of the first and second specified regions are acquired as X1 and X2, with the center positions provided as the position of the object 10 while a differential value as an information for estimating the size of the object 10. - 特許庁

縮小された第２のマスクパターンをエッチングマスクとして、第１のマスク膜をエッチングすることにより、第１のマスクパターン(14)を残す。例文帳に追加

A first mask pattern (14) is left by etching the first mask film using the reduced second mask pattern as an etching mask. - 特許庁

第１の高誘電率膜１４Ｘａは、第２の高誘電率膜１４ｘよりも窒素濃度が高く、且つ、第１の調整用金属を含まない。例文帳に追加

The first high dielectric constant film 14Xa has higher nitrogen concentration than the second high dielectric constant film 14x and does not contain the first metal for adjustment. - 特許庁

未焼成セラミック基板１の面に、溝形成用刃３を押し当てて、第１の方向Ｘに延びる第１の分割用溝Ｘ１１を形成する。例文帳に追加

A channel forming blade 3 is pushed to the surface of an unbaked ceramic substrate 1 to form a first dividing channel X11 extending in the first direction X. - 特許庁

基準軸Ｎｘは、支持体１３のウルツ鉱のｃ軸に直交する。例文帳に追加

A reference axis Nx is orthogonal to a (c) axis of wurtzite of the support 13. - 特許庁

第Ｘａ因子阻害剤としてのラクタム含有化合物およびその誘導体例文帳に追加

LACTAM-CONTAINING COMPOUND AND DERIVATIVE THEREOF AS FACTOR Xa INHIBITOR - 特許庁

第１のマスクが、エッチングマスクスタックの上に形成される。例文帳に追加

A first mask is formed on the etching mask stack. - 特許庁

第１の絶縁膜の一部をＣＦ_４ガスによりエッチング除去する。例文帳に追加

The first insulation film is partially removed by etching using CF_4 gas. - 特許庁

第１エッチング溝７ａは、変位部４ａの輪郭の一部を形成する。例文帳に追加

The first etching groove 7a forms a part of an outline of the displacement portion 4a. - 特許庁

第２の高誘電率膜１４ｘは、第１の調整用金属を含む。例文帳に追加

The second high dielectric constant film 14x contains a first metal for adjustment. - 特許庁

第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。例文帳に追加

Plasma etching treatment is applied to the upper surface of the first ferromagnetic layer. - 特許庁

第１のチャネル利得情報ｈ_２１は第２の基地局から受信される。例文帳に追加

The first channel gain information h_21 is received from a second base station. - 特許庁

測定範囲Ｘ内の任意の箇所に第１穿孔１５を形成する。例文帳に追加

A first boring hole 15 is formed at an optional position in a measurement range X. - 特許庁

検査対象パターンの画像から第１のエッジを検出する。例文帳に追加

The first edge is detected from the image of an inspecting object pattern. - 特許庁

画像フレームの一対の大域的なＸＹ整列が遂行される。例文帳に追加

A global XY alignment of a pair of image frames is performed. - 特許庁

第１の突起（７−１０）は、リング（５）のエッジ上に形成される。例文帳に追加

The first projections (7 to 19) are formed on edges of the ring (5). - 特許庁

検査対象パターンの画像から第１のエッジを検出する。例文帳に追加

A first edge is detected from the image of the objective pattern for inspection. - 特許庁

エッチングストッパ層１２は、第１の元素と、第２の元素とを含有する。例文帳に追加

The etching stopper layer 12 includes a first element and a second element. - 特許庁

第１部分の膜厚Ｘは、第２部分の膜厚Ｙよりも薄い。例文帳に追加

The film thickness X of the first portion is thinner than the film thickness Y of the second portion. - 特許庁

フッ素系エッチャントと塩素系エッチャントとの混合エッチャントを用いて第１エッチングステップを過度エッチングすることによって垂直した側面形状を有するゲート電極を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a gate electrode, having a vertical side shape by overetching films etched by a first etching step by using a mixed etchant of a fluorine etchant and a chlorine etchant. - 特許庁

走査型骨密度計（１０）は、Ｘ線を発生するためのＸ線源（２２）と、Ｘ線源から放射されるＸ線を受け取るＸ線検出器とを含む。例文帳に追加

A scanning bone densitometer (10) includes an X-ray source (22) to produce X-rays and an X-ray detector receiving the X-rays emitted from the X-ray source. - 特許庁

エッチングストップ層１９より上層（ｐ型第１クラッド層１４Ｂおよびｐ型コンタクト層１５）をドライエッチングし、その後エッチングストップ層１９をウエットエッチングにより加工してリッジ部１６を形成する。例文帳に追加

The layers (a p-type first clad layer 14B and a p-type contact layer 15) above the etch stopper layer 19 are subjected to etching, and then the etch stopper layer 19 is processed by wet etching to form a ridge 16. - 特許庁

処理部は、各ステップの処理を原画素ブロックｏ_ｘｙに対して行い、ｅ_ｘｙとＫ_ｘｙを得て、記憶部に記憶し（Ｓ１１５）、ｅ_ｘｙ、Ｐ、Ｎ、Ｋ_ｘｙを送信する（Ｓ１１７）。例文帳に追加

The processing section processes each step to the original pixel block o_xy, obtains e_xy and K_sy for storing at a storage section (S115), and transmits e_xy, P, N, and K_xy (S117). - 特許庁

本発明Ｘ線診断装置は、被検体が載せられる天板1と、Ｘ線を被検体に照射するＸ線発生部3と、このＸ線発生部3を支持する第一アーム31と、その第一アーム31を支える支柱5とを有する。例文帳に追加

The device comprises the top plate 1 on which a sample is placed, an X-ray generating part 3 to radiate an X-ray to the sample, a first arm 31 to support the X-ray generating part 3, and a support 5 to support the first arm 31. - 特許庁

第１絶縁膜の一部の表面を露出させるストレッジノードホールが形成されるように第２エッチング阻止膜、第２絶縁膜及び第１エッチング阻止膜の一部をエッチングして第２エッチング阻止膜パターン、第２絶縁膜パターン及び第１エッチング阻止膜パターンを形成する。例文帳に追加

Part of the second etching stopper film, second insulation film, and first etching stopper film is so etched as to form a storage node hole to expose part of the first insulation film to form a second etching stopper film pattern, second insulation film pattern, and first etching stopper film pattern. - 特許庁

そして、基板５上でこれらガスを反応させることによってＴａ_１−ＸＴｉ_ＸＯ混成誘電体薄膜（０＜Ｘ＜１）を作製する。例文帳に追加

These gases are made to react with each other on the substrate 5, to produce a Ta1-XTiXO hybrid dielectric thin film (0<X<1) on the substrate 5. - 特許庁

Ｃａ_１２（Ａｌ_１−ｘＭ_ｘ）_１４Ｏ_３３で表され、ｘが０．００１以上０．０５以下である化合物が好ましい。例文帳に追加

The compound is represented by Ca_12(Al_1-xM_x)_14O_33 and x is preferably ≥0.001 and ≤0.05. - 特許庁

Ｎｂ−Ｔｉ−Ｃｏ合金としては、Ｎｂ_ｘＴｉ_（１００−ｘ−ｙ）Ｃｏ_ｙ（ただし、ｘ≦７０、２０≦ｙ≦５０（ｍｏｌ％））が好ましい。例文帳に追加

As the Nb-Ti-Co alloy, Nb_xTi_(100-x-y)Co_y (wherein, x≤70, 20≤y≤50 (mol%)) is preferable. - 特許庁

電動モータ（Ｍ１、Ｍ２）の単位時間後の予測位置（ＸＬｔ＋１、ＸＲｔ＋１）が電動モータ（Ｍ１、Ｍ２）の現在位置（ＸＬｔ、ＸＲｔ）及び目標速度（ΔＸＴＲＧ）から算出される目標位置（ＸＴＲＧ）に徐々に近づくように電動モータ（Ｍ１、Ｍ２）の速度を同期制御する。例文帳に追加

The speed of electric motors M1 and M2 is controlled in synchronization, so that a predicted position (XLt+1, XRt+1) after unit time of the electric motors M1 and M2 gradually approaches a target position XTRG which is calculated from a current position (XLt, XRt) of the electric motors M1 and M2 and a target speed ΔXTRG. - 特許庁

第１電極の密度をρ１、厚みをｈ１、第２電極の密度をρ２、厚みをｈ２、電極間質量負荷材料部の密度をρａ、厚みをｈａとしたとき、（ρ１×ｈ１）≦（ρａ×ｈａ）、および（ρ２×ｈ２）≦（ρａ×ｈａ）の関係を満足する。例文帳に追加

Relationships (ρ1×h1)≤(ρa×ha) and (ρ2×h2)≤(ρa×ha) are satisfied, where h1 is the thickness and ρ1 is the density of the first electrode, h2 is the thickness and ρ2 is the density of the second electrode, and ha is the thickness and ρa is the density of the interelectrode mass load element. - 特許庁

エルシニア・シュードチューバキュローシス（Yersinia psuedotuberculosis ）由来のｃｐｘＲ、ｃｐｘＡ及びｃｐｘＰから選ばれる１種以上の二成分制御系遺伝子配列を近縁細菌である大腸菌の各ｃｐｘＲ、ｃｐｘＡ及びｃｐｘＰ遺伝子をプローブとしてハイブリダイゼーションにより得たもの。例文帳に追加

This binary control system gene is obtained by means of hybridizing at least one kind of binary control system gene sequences selected from cpxR, cpxA and cpxP derived from Yersinia pseudotuberculosis by using each cpxR, cpxA and cpxP genes of Escherichia coli related to the Yersinia peudotuberculosis as a probe. - 特許庁

閾値決定部３２は、その操作時点でのＸ軸方向のセンサ出力Ｘ１とＹ軸方向のセンサ出力Ｙ１とを用いて、Ｘ軸方向のセンサ出力Ｘ１に対する閾値Ｘ２とＹ軸方向のセンサ出力Ｙ１に対する閾値Ｙ２とを演算処理することにより決定する。例文帳に追加

A threshold determination part 32 determines a threshold X2 for the X-axial sensor output X1 and a threshold for the Y-axial sensor output Y1 by arithmetic processing using the X-axial sensor output and Y-axial sensor output Y1 in operation. - 特許庁

リッジストライプ構造（９）を形成する工程は、ドライエッチングにより、第２導電型の第２クラッド層７を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、ウエットエッチングにより、所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層７を第２導電型のエッチングストップ層６までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有する。例文帳に追加

Processes for forming the ridge stripe structure (9) includes a first etching process for dry-etching a second conductive type second clad layer 7 leaving a prescribed thickness, and a second etching process for wet-etching and removing the second conductive type second clad layer 7 having the prescribed thickness to a second conductive type etching stop layer 6. - 特許庁

第１の発生率を有する第１の合成条件でエッジパルスを合成して第１の合成エッジパルスを生成し、第１の発生率より高い第２の発生率を有する第２の合成条件でエッジパルスを合成して第２の合成エッジパルスを生成する。例文帳に追加

The edge pulse is composed in a first composition condition having a first incidence to generate a first composition edge pulse, and the edge pulse is composed in a second composition condition having a second incidence higher than the first incidence to generate a second composition edge pulse. - 特許庁

第１及び第２のスイッチ群２、３は、直列抵抗体１からの２つの電圧Ｓｘａ、Ｓｘｂを出力する。例文帳に追加

First and second switch groups 2 and 3 output two voltages Sxa, Sxb from a serial resistor 1. - 特許庁

また、第１の半導体層１３は、歪みを内包すると共に、半導体表面２１ａのＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮの上において格子緩和している。例文帳に追加

The first semiconductor layer 13 includes distortion, and is lattice-relaxed on the Al_XGa_1-XN of the semiconductor surface 21a. - 特許庁

単語カード１０ａ〜１０ｈのそれぞれは、音符カード１１ａ〜１１ｈのいずれかに表示された音符に対応した音価の単語が表示されている。例文帳に追加

Each of the word cards 10a-10h shows a word of a note value corresponding to a note shown in one of the note cards 11a-11h. - 特許庁

第１の電気ＩＱ多重装置（３４ａ，３６ａ，３８ａ，４０ａ，４２ａ）が、第１のデータ信号（ｃｈ１（Ａ））及び第２のデータ信号（ｃｈ２（Ａ））を電気ＩＱ多重する。例文帳に追加

First electric IQ multiplexers (34a, 36a, 38a, 40a, 42a) apply electric IQ multiplexing to a first data signal (ch1(A)) and a second data signal (ch2(A)). - 特許庁

分解された第１の画像からエッジ位置を検出し、第１の画像以外の画像からエッジ位置情報に対応した画素値を取得する。例文帳に追加

An edge position is detected from the first decomposed image, and each pixel value corresponding to edge position information is acquired from images other than the first image. - 特許庁

エッジ部測定手段２９は、測定子２８によってエッジ部１８Ａ，１８Ｂの第１の面取り軌跡データからのずれ量ΔＺを測定する。例文帳に追加

An edge part measuring means 29 measures a deviation amount ΔZ from the first chamfering locus data of the edge parts 18A, 18B with the gauge head 28. - 特許庁

そして、第１の材料膜と微粒子とを同時にエッチングし、エッチングされた第１の材料膜上に第２の材料膜を形成する。例文帳に追加

Then the first material film and the small particles are simultaneously etched, and a second material film is formed on the etched first material film. - 特許庁