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えんばんさいせいきの英語
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「えんばんさいせいき」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6248件
半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。例文帳に追加
An insulating film (20) is formed on a semiconductor substrate (10). - 特許庁
（ａ）半導体基板の上に絶縁膜を堆積させる。例文帳に追加
(a) An insulation film is deposited on a semiconductor substrate. - 特許庁
絶縁膜１１、２１は、半導体基板上に形成される。例文帳に追加
Insulating films 11 and 21 are formed on the semiconductor substrate. - 特許庁
（ａ１）半導体基板の上に形成された絶縁膜に凹部を形成する。例文帳に追加
A recess is formed in an insulating film formed on a semiconductor substrate (a1). - 特許庁
また、前記軸円盤２は鉄製金属で形成され、その軸円盤２に係合する軸円盤側端部３５表面に浸炭処理が施される。例文帳に追加
In addition, the shaft disk 2 is formed of iron metal, and cementation processing is performed on the surface of a shaft disk side end 35 engaged with the shaft disk 2. - 特許庁
ガラス基板１００上に形成された透明絶縁性基板１と他のガラス基板上に形成された透明絶縁性基板２２とを張り合わせる際、予めガラス基板１００に形成された層間絶縁膜３３（１６）における、透明絶縁性基板１以外の領域をエッチング除去しておく。例文帳に追加
In the case a transparent insulating substrate 1 formed on a glass substrate 100 and a transparent insulating substrate formed on another glass substrate are stuck together, a region in an interlayer insulating film 33(16) formed on the glass substrate 100 other than that corresponding to the transparent insulating substrate 1 is removed by etching beforehand. - 特許庁
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「えんばんさいせいき」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6248件
基板は基板本体１１と、基板本体１１上に形成した絶縁層１３を含むこととしてもよい。例文帳に追加
The substrate may include a substrate body 11 and an insulating layer 13 formed on the substrate body 11. - 特許庁
絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。例文帳に追加
Preferably, the insulating layer has an SiO_2 film formed on an Si substrate or is a quartz substrate. - 特許庁
半導体基板１の上にゲート絶縁膜３が形成されている。例文帳に追加
A gate-insulating film 3 is formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁
半導体基板２上には、第１層間絶縁膜３が形成されている。例文帳に追加
A first interlayer dielectric 3 is formed on a semiconductor substrate 2. - 特許庁
半導体基板１１の主面に絶縁膜１２,１３が形成される。例文帳に追加
On the main surface of a semiconductor substrate 11, insulating films 12 and 13 are formed. - 特許庁
微細配線形成性、絶縁信頼性に優れるプリント配線板の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a printed circuit board which has excellent fine wiring formation property and insulation reliability. - 特許庁
半導体基板２に形成されたトレンチ３には、埋設絶縁体４が埋設されている。例文帳に追加
An embedding insulator 4 is embedded in a trench 3 formed at a semiconductor substrate 2. - 特許庁
円盤部材９の内部には空洞部９ａが形成され、また、円盤部材９の上面側には多数の気泡注入孔９ｂが形成されている。例文帳に追加
A cavity part 9a is formed inside a disc member 9 and many bubble injection holes 9b are formed on the upper face of the disc member 9. - 特許庁
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