おきそにうむの英語

アルミニウム合金置きろうおよびその製造方法例文帳に追加

ALUMINUM ALLOY PREPLACED BRAZING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

オキソチタニウムフタロシアニン化合物の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR OXOTITANIUM PHTHALOCYANINE - 特許庁

活物質、二次電池及びオキソアンモニウム化合物例文帳に追加

ACTIVE MATERIAL, SECONDARY BATTERY, AND OXOAMMONIUM COMPOUND - 特許庁

そのため、惣村構成員に対する惣掟の効力は非常に強く作用した。例文帳に追加

Therefore, so-okite was strongly effective to the members of soson.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

アルミニウムオキシカーバイド組成物及びその製造方法例文帳に追加

ALUMINUM OXYCARBIDE COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

惣掟は、惣村の全構成員による寄合で決議されることが多かった。例文帳に追加

So-okite was usually resolved in an assembly with all members of a soson.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

第二百条　留置業務管理者は、留置担当官に、被留置者から、その留置施設における留置の開始に際し、疾病、外傷等の有無その他の健康状態につき事情を聴取させなければならない。例文帳に追加

Article 200 (1) The detention services manager shall, at the commencement of detention in the detention facility, order detention officers to hear such circumstances as to whether or not the detainee suffers an injury or illness or other health conditions.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上にインジウム砒素（ＩｎＡｓ）層を設け、インジウム砒素層上にガリウム砒素基板より大きくインジウム砒素層より小さい格子定数を有する半導体層設ける。例文帳に追加

An indium arsenide (InAs)layer is placed on a gallium arsenide (GaAs) substrate, and an semiconductor layer is placed on the indium arsenide layer, which is larger than the gallium arsenide substrate and has a lattice constant smaller than the indium arsenide layer. - 特許庁