きそうエピタキシーの英語

成長速度が０．５ｎｍ／秒から１．０５ｎｍ／秒である有機金属分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によって障壁層（４）を形成する。例文帳に追加

The barrier layer (4) is formed by the organic metal molecular beam epitaxy method where a growth speed is set to 0.5 to 1.05 nm/second or the gas source molecular beam epitaxy method. - 特許庁

光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変える。例文帳に追加

To provide a processing method of an optical device wafer capable of smoothly transferring an optical device layer to a transfer substrate without damaging the optical device layer laminated on a surface of an epitaxy substrate which constitutes the optical device wafer. - 特許庁

前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The single crystal SiC substrate produced by the above method is disposed opposing to a carbon supply feed substrate and heated while making an ultrathin melt layer of silicon be present therebetween so as to epitaxially grow a single crystal 4H-SiC in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy method. - 特許庁

光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical device wafer processing method which makes it possible to move an optical device layer laminated on the surface of an epitaxy substrate constituting an optical device wafer smoothly from there to a transfer substrate without causing damage to the optical device layer. - 特許庁