その場分光測定の英語

本発明は、半導体またはさまざまな光学装置の製造における化学／機械研磨による平坦化のその本来の場所での実時間終点制御のために干渉光強度、分光光度による光学測定技術を利用するものである。例文帳に追加

Optical measurement technique by interference light intensity and spectrophotometric intensity is utilized for controlling the real-time end point in the original point of the planarization by chemical/mechanical polishing in the manufacture of semiconductors or various optical devices. - 特許庁

また、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、Ｘ線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が０．１以上とされた電子線源。例文帳に追加

In an inner-shell electrons state of a carbon on the surface of the electron beam source, an integrated intensity ratio of a sub-peak to a main peak is not less than 0.1 in measuring with X-ray photoelectron spectrometry. - 特許庁

表面プラズモン測定用チップ、ラマン分光分析用のチップ、金属ナノ粒子を触媒として利用するマイクロTASやマイクロ流路チップ等の基板として用いた場合に、公知のこれらのチップでは実現不可能な機能又は性能を発揮することを可能にする基板及びその作製方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate which can function or deliver performance which has been unachievable by known chips when used as a substrate for a chip for surface plasmon measurement, a chip for Raman spectroscopic analysis, and micro TAS and microchannel chips using metal nanoparticles as a catalyst, etc. and to provide a preparation method of the same. - 特許庁