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べた一面にの英語
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該当件数 : 3件
そのトランジスタ4の不純物半導体膜12,13は、透明な半導体である金属酸化物(酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミウム等)に不純物を含んだ不純物ドープ金属酸化物膜をべた一面に成膜した後、その膜にマスクを施した状態でエッチングすることによって形成する。例文帳に追加
Impurity semiconductor films 12 and 13 of the transistors 4 are formed by film-depositing an impurity doped metallic oxide film wherein a metallic oxide (zinc oxide, magnesium zinc oxide, cadmium zinc oxide, cadmium oxide, etc.) to be a transparent semiconductor contains impurities in one film and then etching the film by using a mask to the film. - 特許庁
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