クーロン散乱の英語

実効電界Ｅeffから自由キャリア密度ｎを求め、クーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)と自由キャリア密度ｎとの相関特性を用いてクーロン散乱中心密度N(Ｃoulomb)を求めることを含む物理解析モデル。例文帳に追加

The physical analysis model includes a step of obtaining a free carrier density n from the effective electric field Eeff, and a step of obtaining the Coulomb scattering center density N (Coulomb) using the correlation characteristic between the Coulomb scattering mobility μ (Coulomb) and the free carrier density n. - 特許庁

該ＴＦＴの移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性を測定し、測定された移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性からクーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)、フォノン散乱移動度μ(phonon)、そして表面ラフネス散乱μ(surface)の３つの移動度と実効電界Ｅeffを算出する。例文帳に追加

The mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT are measured and 3 mobilities, Coulomb scattering mobility μ (Coulomb), phonon scattering mobility μ (phonon) and surface roughness scattering μ (surface), and an effective electric field Eeff are calculated from the measured mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT. - 特許庁

高電子移動度トランジスタのヘテロ界面のピエゾ電荷によるクーロン散乱を軽減して、チャネル層の本来の高い電子移動度の実現を図る。例文帳に追加

To reduce Coulomb scattering due to the piezo-charge of a hetero interface in a high electron mobility transistor and to realize original high electron mobility of a channel layer. - 特許庁

結晶化領域に設けられた薄膜トランジスタの電気特性を求めるシミュレータによりシミュレーションする方法および結晶化領域に設けられた薄膜トランジスタのチャネル領域に含まれるクーロン散乱中心密度を計算及び抽出するための物理解析モデル。例文帳に追加

METHOD FOR SIMULATION BY SIMULATOR FOR OBTAINING ELECTRIC CHARACTERISTICS OF THIN-FILM TRANSISTOR DISPOSED IN CRYSTALLIZED REGION AND PHYSICAL ANALYSIS MODEL FOR CALCULATING AND EXTRACTING COULOMB SCATTERING CENTRAL DENSITY INCLUDED IN CHANNEL REGION OF THIN-FILM TRANSISTOR DISPOSED IN CRYSTALLIZED REGION - 特許庁