サーマルクリーニング法の英語

熱に安定で、サーマルクリーニングによる表面荒れが生じにくいIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造ロット、並びにIII−Ｖ族窒化物系半導体基板を用いたIII−Ｖ族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a group III-V nitride semiconductor substrate which is thermally stable and whose surface is hardly roughened by thermal cleaning, a production lot of such substrates, a group III-V nitride semiconductor device obtained by using the group III-V nitride semiconductor substrate, and a method for producing the same. - 特許庁

シリコン基板の表面をサーマルクリーニングする工程と、基板の表面にインサイチュ方式のＳｉ_３Ｎ_４マイクロマスクを形成する工程と、マイクロマスクの開口部を通じるエピタキシャル横方向過度成長（ＥＬＯ）方法で窒化ガリウム層を成長させる工程と、を含む窒化ガリウム成長用基板の製造方法。例文帳に追加

The method for preparing the substrate for growing gallium nitride includes performing thermal cleaning on a surface of a silicon substrate, forming a Si_3N_4 micro-mask on the surface of the silicon substrate in an in situ manner, and growing a gallium nitride layer through epitaxial lateral overgrowth (ELO) using an opening in the micro-mask. - 特許庁