スタティック・ランダム・アクセス・メモリの英語

アクティブモードの間、減少した漏洩電流を有するスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)及びその動作方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a static random access memory (SRAM) having a decreased leakage current during an active mode and to provide its operating method. - 特許庁

スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）およびＳＲＡＭに供給される電圧レベルを制御する方法例文帳に追加

STATIC/RANDOM/ACCESS/MEMORY (SRAM) AND METHOD FOR CONTROLLING VOLTAGE LEVEL SUPPLIED TO SRAM - 特許庁

より速い駆動電流およびより小さな短チャネル効果を備え、微細化されたスタティック・ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。例文帳に追加

To provide static random access memory cells which have a faster driving current and smaller short channel effect. - 特許庁

アレイに配列された複数のＳＲＡＭセルを含むスタティック・ランダム・アクセス・メモリ（「ＳＲＡＭ」）が提供される。例文帳に追加

To provide a static/random/access/memory (SRAM) including a plurality of SRAM cells arranged in an array state. - 特許庁

通常のスタティック・ランダム・アクセス・メモリのインターフェイスと互換性を有するインターフェイスを備える半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory provided with an interface having interchangeability with an interface of a normal static random access memory. - 特許庁

スタティック・ランダム・アクセス・メモリと互換性を有するインターフェイスを有しかつ安定に内部動作を行なうことのできるリフレッシュ制御フリーのダイナミック型半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a dynamic type semiconductor memory device being refresh-controlled, or not which has an interface having interchangeability with a static random access memory and can perform stably internal operation. - 特許庁

ＰウェルおよびＮウェルのコンタクトおよび好ましくはグランドへのＰ＋拡散交差部を有する低コストＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）セルを提供すること例文帳に追加

To provide contacts of P well and N well and, suitably, a low cost SRAM (static random access memory) cell having a P+ a diffusion intersection section to ground. - 特許庁

スタティック・ランダム・アクセス・メモリ・セル３００は、半導体基板上の１つ以上のフィンを備える２つの非プレーナ型パスゲート・トランジスタを備える。例文帳に追加

The static random access memory cells 300 contain two non-planar pass-gate transistors having one or more fins on a semiconductor substrate. - 特許庁