チャネル領域１２を隔てたソース・ドレイン領域１７は、低濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^−領域）１７１及び高濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^＋領域）１７２を含む。例文帳に追加

Source/drain regions 17 separated by a channel region 12 include the n-type impurity regions (n^- regions) 171 of low concentration and the n-type impurity regions (n^+ regions) 172 of high concentration. - 特許庁

Ｎ^−領域１７１はチャネル領域１２を隔ててゲート電極１４の両端部下から第１のペーサ１６１下に亘って配され、Ｎ^＋領域１７２は、ソース・ドレイン領域として第２のペーサ１６２下にも延在している。例文帳に追加

The n^- regions 171 are disposed from the lower part of both ends of the gate electrode 14 to the lower part of the first spacers 161 holding the channel region 12; and the n^+ regions 172 are extended even to the lower part of the second spacers 162 as the source/drain region. - 特許庁