「チャネル172」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

このノイズ耐量向上回路１７はＮチャネルＭＯＳトランジスタ１７１とフォトダイオード１７２と抵抗１７３から構成されている。例文帳に追加

The noise resistance improvement circuit 17 is composed of an N-channel MOS transistor 171, a photodiode 172, and a resistor 173. - 特許庁

Ｐ^＋領域１７１は、ゲート電極１４及びサイドウォール１６を隔てたＰチャネルＭＯＳＦＥＴ Ｑｐのソース／ドレイン領域、Ｎ^＋領域１７２は、ゲート電極１４及びサイドウォール１６を隔てたＮチャネルＭＯＳＦＥＴ Ｑｎのソース／ドレイン領域となる。例文帳に追加

A p^+-type region 171 becomes a source/drain region of a p-channel MOSFET Qp via the gate electrode 14 and a sidewall 16, and an n^+-type region 172 becomes a source/drain region of an n-channel MOSFET Qn via the gate electrode 14 and the sidewall 16. - 特許庁

チャネル領域１２を隔てたソース・ドレイン領域１７は、低濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^−領域）１７１及び高濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^＋領域）１７２を含む。例文帳に追加

Source/drain regions 17 separated by a channel region 12 include the n-type impurity regions (n^- regions) 171 of low concentration and the n-type impurity regions (n^+ regions) 172 of high concentration. - 特許庁

Ｎ^−領域１７１はチャネル領域１２を隔ててゲート電極１４の両端部下から第１のペーサ１６１下に亘って配され、Ｎ^＋領域１７２は、ソース・ドレイン領域として第２のペーサ１６２下にも延在している。例文帳に追加

The n^- regions 171 are disposed from the lower part of both ends of the gate electrode 14 to the lower part of the first spacers 161 holding the channel region 12; and the n^+ regions 172 are extended even to the lower part of the second spacers 162 as the source/drain region. - 特許庁