ヒステリシス蓄積の英語

充分な本体係数を用意し、Ｖ_Ｔフィードバックループを導入することによって、閾値電圧をゲート−本体間電圧を関連させる蓄積層を用いて、ヒステリシスウインドウ（Ｈ）を導入できる。例文帳に追加

A sufficient main-body coefficient is prepared and a V_T feedback loop is introduced so as to introduce a hysteresis window (H) using a storage layer associating a threshold voltage and a gate-main body voltage. - 特許庁

反強誘電体特有のヒステリシス曲線により、ｎ通りのメモリセル電位に対し、最大で２×ｎ個の情報を対応させ、データの書き込みの際に、メモリセルキャパシタのプレート電極とストレージノードの間の電圧を変えることにより、１メモリセルに３値以上の分極量を蓄積させる。例文帳に追加

Polarization quantity of three level or more is accumulated in one memory cell by making a maximum 2×n pieces of information correspond to memory cell potentials of (n) kinds and varying voltage between a plate electrode of a memory cell capacitor and a storage node when data is written by a hysteresis curve being peculiar to anti-ferroelectric substance. - 特許庁