プラズマ分離形プラズマエッチングの英語

導電性シリコン層／酸化シリコン層／導電性シリコン層の３層構造をもったＳＯＩ基板を用意し、上層からシリコンのみ選択除去可能な誘導結合型プラズマエッチングを行い、Ｌ字形スリットＳ１〜Ｓ４を掘り、十字形部材１２０と固定部材１２１〜１２４とに分離する。例文帳に追加

An SOI substrate having a three-layer structure of the conductive silicon layer/silicon oxide layer/conductive silicon layer is prepared, and inductive coupling type plasma etching for removing selectively only silicon from the upper layer is performed, and L-shaped slits S1-S4 are carved, thereby to separate the substrate into a cross-shaped member 120 and fixed members 121-124. - 特許庁

素子分離のためのトレンチを形成するプラズマエッチング工程に要する時間を従来に比べて短縮することができ、スループットの向上による生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method or the like for a semiconductor device capable of making the time required for a plasma etching process forming a trench for an element isolation shorter than conventional devices, and capable of improving a productivity by enhancing a throughput. - 特許庁