マスク･フィルムの英語

第１のマスク・フィルムおよび第３のマスク・フィルムは、実質的に等しいエッチング速度を有する。例文帳に追加

A first mask film and a third mask film have substantially equal etch rates. - 特許庁

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。例文帳に追加

The second, third and fourth mask films are removed and the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material. - 特許庁

第１のマスク・フィルム５８および第３のマスク・フィルム６０は、実質的に等しいエッチング速度を有する。例文帳に追加

The first mask film 58 and the third mask film 60 have virtually equal etching rates. - 特許庁

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。例文帳に追加

The second, the third and the fourth mask films are removed while the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material. - 特許庁

４つのマスク・フィルムを有するマスク層５７が使用される。例文帳に追加

A mask layer 57 having four mask films is used. - 特許庁

第２のマスク・フィルム５９および第４のマスク・フィルム６１は、実質的に等しいエッチング速度を有し、このエッチング速度は、第１および第３のマスク・フィルムのエッチング速度とは異なる。例文帳に追加

The second mask film 59 and the fourth mask film 61 have virtually equal etching rates, which are different from those of the first and the third mask films. - 特許庁

第２のマスク・フィルムおよび第４のマスク・フィルムは、実質的に等しいエッチング速度のフィルムを有し、このエッチング速度は、第１および第３のマスク・フィルムのエッチング速度とは異なる。例文帳に追加

A second mask film and a fourth mask film have films of substantially equal etch rates, and the etch rate is different from the etch rate of the first and third mask films. - 特許庁