マルセルの英語

メモリセルアレイ１０は、ノーマルセルアレイとその不良セルを置換するための冗長セルアレイを含む。例文帳に追加

The memory cell array 10 comprises a redundant cell array for replacing a defective cell by a normal cell array. - 特許庁

この際、内蔵アドレスは、リペアしようとするノーマルセルアレイのメモリセルのアドレスより少なくとも１クロック以前のアドレスである。例文帳に追加

In this case, the internal address is an address which is at least one-clock antecedent to an address of a memory cell of a normal cell array to be repaired. - 特許庁

ノーマルセルアレイ１とワード線を共有して期待値パターンが書き込まれるエコー信号用メモリセルアレイ１ａが設けられる。例文帳に追加

The device is provided with a memory cell array 1a for echo signal which shares a word line with the normal cell array 1 and in which an expected value pattern is written. - 特許庁

ノーマルセルから読み出したデータの電位をリファレンスセルのリファレンスレベルと比較して、その読み出しデータが”Ｈ”データか”Ｌ”データかを判別する強誘電体記憶装置において、ノーマルセルからのデータの読み出し時には、前記リファレンスレベルを常に所定の一定レベルに保持する。例文帳に追加

To always hold a reference level at a predetermined constant level during data reading from a normal cell in a ferroelectric memory device for comparing the potential of data read from the normal cell with the reference level of the reference cell to determine whether the read data is "H" data or "L" data. - 特許庁

リファレンスセルを有する強誘電体記憶装置において、１個のリファレンスセルと複数個のノーマルセルとが対応する場合に、それ等ノーマルセルの書き込み又は読み出しが繰り返されても、対応するリファレンスセルのデータの書き換え回数特性の劣化を低減する。例文帳に追加

To reduce, in a ferroelectric storage device with a reference cell, when one reference cell corresponds to two or more normal cells, deterioration of a rewrite frequency characteristic of data of the corresponding reference cell, even if reading or writing of those normal cells is repeated. - 特許庁

ノーマルセルが集積されるメモリセルアレイを含む半導体メモリ回路と、半導体メモリ回路の動作情報を記憶するフューズセル１が集積されるフューズ回路とを有する。例文帳に追加

This device comprises: a semiconductor memory circuit including a memory cell array wherein normal cells are integrated; and the fuse circuit wherein fuse cells 1 storing the operating information of the semiconductor memory circuit are integrated. - 特許庁

他のアドレスのノーマルセルから２回目以降のデータを読み出す際には、リファレンスセルがリセット状態にあるので、最初と第２回目以降とではリファレンスレベルは同一である。例文帳に追加

When the second and subsequent data are read from the normal cell of the other address, as the reference cell is in a reset state, the reference levels are equal in the first and the subsequent reading. - 特許庁

そして、リダンダンシシフト信号に応じて、データ入力モードおよびデータ出力モードで、ノーマルセルアレイに代えてリダンダンシセルアレイが選択される。例文帳に追加

Then, a redundancy cell array is selected, in place of the normal cell array, in data-input mode and in data-output mode in accordance with the redundancy shift signal. - 特許庁