集積回路装置１であって、入力データ４００が書き込まれる複数のブロック１００、１０２を含む不揮発性メモリー１０と、ブロックのそれぞれに対応付けられ、ブロックに書き込まれたデータ（メモリーデータ）のそれぞれが所与のタイミングで書き込まれる複数のレジスター２０、２２と、メモリーデータおよびレジスターに書き込まれたデータ（レジスターデータ）を受け取り、比較処理を行う比較部３０とを含む。例文帳に追加

The integrated circuit device 1 includes: a non-volatile memory 10 which includes a plurality of blocks 100 and 102 in which input data 400 are written; a plurality of registers 20 and 22 which are associated with the blocks and stores data (memory data) written in the blocks in a predetermined timing; and a comparison part 30 which receives the memory data and the data (register data) written in the registers, and compares them. - 特許庁

メモリーデータの容量を本来の容量または本来の容量よりも小さな容量に選択する可能であり、その選択内容に係わらず消費電流を少なく抑えることのできるアドレス入力回路を提供し、さらにメモリ単体での使用も可能にするアドレス入力回路及びそれを用いた半導体メモリを提供すること例文帳に追加

To obtain an address input circuit in which the capacity of memory data can be selected to be an original capacity or smaller than the original capacity and current consumption can be suppressed to a small value, to obtain an address input circuit which can be used by a single memory and to obtain a semiconductor memory using it. - 特許庁