レーザー‐リソグラフィーの英語

エキシマレーザーリソグラフィー装置のレンズ、プリズム、ビームスプリッター等の照明系、投影系に使用する内部透過率の高いＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用合成石英ガラス部材の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a synthetic quartz glass member for ArF excimer laser lithography which is used for a lighting system or a projecting system such as lens, prism or beam splitter and has high internal transmittance. - 特許庁

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等に用いた場合に、高い感度および／または解像度が得られるレジスト用（共）重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a (co)polymer for a resist which ensures high sensitivity and/or resolution, when it is used in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等に使用され、サーマルフロー用として好適なポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a positive resist composition used in ArF excimer laser lithography, etc., and suitable for thermal flow and a resist pattern forming method. - 特許庁

本発明はF_2レーザーリソグラフィーで用いることが可能な光学付加膜（反射膜、反射防止膜、保護膜）及び光学素子、を提案することを課題とする。例文帳に追加

To provide an optical additional film (a reflecting film, an antireflection film or a protective film) and an optical element usable in F2 laser lithography. - 特許庁

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等においてレジスト組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトが少ない重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a polymer having high sensitivity and high resolution and causing little defect in development when it is used for a resist composition in DUV excimer laser lithography and the like. - 特許庁

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等において、迅速、簡便、正確になレジスト用共重合体の共重合組成分布分析方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for analyzing the distribution of a copolymer composition of a copolymer for a resist rapidly, simply and accurately in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography. - 特許庁

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等に用いた場合に、高い感度および／または解像度が得られるレジスト用（共）重合体の提供。例文帳に追加

To provide a (co)polymer for a resist giving high sensitivity and/or resolution, when used in DUV excimer laser lithography, electron beam lithography or the like. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等に使用されるレジスト組成物を用いたサーマルフロープロセスにおいて、レジストパターンサイズの制御性に優れるサーマルフロー用に適したポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To achieve excellent controllability of resist pattern size in a thermal flow process using a resist composition for use in ArF excimer laser lithography or the like. - 特許庁