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英訳・英語 episclera
「上強膜」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2071件
反強磁性膜１ａは第２強磁性膜１ｂ上に設けられている。例文帳に追加
An antiferromagnetic film 1a is formed on the second ferromagnetic film 1b. - 特許庁
次に、強誘電体膜１０上に、上部電極膜１１を形成する。例文帳に追加
Next, an upper electrode film 11 is formed on the ferroelectric substance film 10. - 特許庁
次いで、強誘電体膜２２上に上部電極膜２３を形成する。例文帳に追加
Then, an upper electrode film 23 is formed on the ferroelectric film 22. - 特許庁
次いで、強誘電体膜１０上に上部電極膜１１を形成する。例文帳に追加
Further, an upper electrode film 11 is formed on the ferroelectric film 10. - 特許庁
その後、強誘電体膜８上に、上部電極として白金膜９を成膜する。例文帳に追加
Thereafter, a platinum film 9 is formed as an upper electrode on the ferroelectric film. - 特許庁
強誘電体膜の上面にはＩｒＯ_2 膜２２を堆積する。例文帳に追加
An IrO2 film 22 is stacked on top of the ferroelectric film 20. - 特許庁
第２非磁性膜１ｃは第１強磁性膜１ｄ上に設けられている。例文帳に追加
A second nonmagnetic film 1c is formed on the first ferromagnetic film 1d. - 特許庁
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「上強膜」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2071件
第２強誘電体膜１３の上に、第２導電膜１７を形成する。例文帳に追加
A second conductive film 17 is formed on the second ferroelectric film 13. - 特許庁
強磁性トンネル磁気抵抗素子において、下地膜（非磁性又は反強磁性金属膜）１と、この下地膜１上に形成される極薄強磁性膜２と、この極薄強磁性膜２上に形成される絶縁膜３と、この絶縁膜３上に形成される強磁性電極４を有する。例文帳に追加
The ferromagnetic tunnel magnetoresistive element comprises a base film (non-magnetic or antiferromagnetic metal film) 1, an ultra-thin ferromagnetic film 2 formed on the base film 1, an insulation film 3 formed on the ultra-thin ferromagnetic film 2, and a ferromagnetic electrode 4 formed on the insulation film 3. - 特許庁
そのあと、この第１強誘電体膜７１ａ上に第２強誘電体膜を形成する。例文帳に追加
Subsequently, a second ferroelectric film is formed on the first ferroelectric film 71a. - 特許庁
次いで、第１の強誘電体膜２６ａ上に第２の強誘電体膜２６ｂを形成する。例文帳に追加
A second ferroelectric film 26b is formed on the first ferroelectric film 26a. - 特許庁
続いて表面上に強誘電体膜８を形成する。例文帳に追加
In succession, a ferroelectric film 8 is formed on the surface. - 特許庁
その後、酸化された貴金属膜表面上に強誘電体膜３２を成膜し、該強誘電体膜を結晶化する。例文帳に追加
Thereafter, the ferroelectric film 32 is formed on the surface of the oxidized noble metal film, and the ferroelectric film is crystallized. - 特許庁
下部電極膜９を形成した後、下部電極膜９上に強誘電体膜１０を形成する。例文帳に追加
After a lower electrode film 9 is formed, the ferroelectric film 10 is formed on the lower electrode film 9. - 特許庁
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