不均質核の英語

本発明は、少なくとも一つの造核剤が裏打ち材フィルム中に不均質に分布した、少なくとも一つのポリプロピレンを含んでなり且つ長さ方向に単軸配向している、裏打ち材フィルムに関する。例文帳に追加

This backing material film containing at least one polypropylene and monoaxially oriented in the longitudinal direction is characterized by heterogeneously distributing at least one nucleating agent in the backing material film. - 特許庁

このシリコン基板を、１０００℃以上１４００℃以下の温度で適宜時間だけ熱処理することによって、複数のボイド６，６，…を含むイオン注入遷移層３を生成し、ボイド６，６，…をＳｉＯ_2 相の不均質核として埋め込み酸化層４及び表面シリコン層５を形成する。例文帳に追加

The silicon substrate is then heat treated at 1000°C-1400°C for an appropriate time to produce an ion implantation transition layer 3 including a plurality of voids 6, 6,... which are employed as heterogeneous nuclei of SiO2 phase in the formation of a buried oxide layer 4 and a surface silicon layer 5. - 特許庁