二次元応力の英語

二次元応力場計測システム及び二次元応力場計測プログラム例文帳に追加

TWO-DIMENSIONAL STRESS FIELD MEASURING SYSTEM AND TWO- DIMENSIONAL STRESS FIELD MEASURING PROGRAM - 特許庁

応力特性を考慮した二次元ベクトル磁気特性の磁界解析手法を確立する。例文帳に追加

To establish the magnetic field analysis method of two-dimensional vector magnetic characteristics considering stress characteristics. - 特許庁

二次元応力場計測システムは、例えば、載荷系と、撮影系と、解析系とを備える。例文帳に追加

This two-dimensional stress field measuring system has, for example, a cargo loading system, a photographing system, and an analytical system. - 特許庁

データベース１０１は、応力特性（応力σ及び応力の磁化容易軸からの傾き角θ_Bσ）をパラメータの一つとした任意の励磁条件における二次元ベクトル磁気特性を測定できる二次元磁気測定装置を用いて、各励磁条件における各種磁性材料の二次元ベクトル磁気特性を測定し、その結果をデータベース化したものである。例文帳に追加

A database 101 is created by using a two-dimensional magnetism measuring apparatus for measuring two-dimensional vector magnetic characteristics under excitation conditions with stress characteristics (stress σ and an inclination angle θ_Bσ from the axes of easy magnetization of stress) as one of parameters, measuring the two-dimensional vector magnetic characteristics of each kind of magnetic material in each excitation condition, and databasing the result. - 特許庁

多層構造に少なくとも〔１１１〕配向したグレインからなるぺロブスカイト構造の強誘電体膜であるＰＺＴ膜１３並びに該ＰＺＴ膜１３に於ける〔１１１〕方向に垂直な面内に二次元的な引っ張り応力を付与する膜であるＡｌ板１５が含まれる。例文帳に追加

The multilayer structure includes at least a PZT membrane 13 that is the ferroelectric membrane having a perovskite-type structure including at least [111] oriented grains and an Al plate 15 that is a membrane imparting two-dimensional tensile stress in the vertical face in the [111] direction of the PZT membrane 13. - 特許庁

強誘電体多層構造に関し、〔１１１〕配向した強誘電体膜に〔１１１〕軸と垂直な二次元応力を印加し、ポテンシャルに及ぶ影響を理論的に考察した結果を基にして耐熱性に優れた強誘電体多層構造を実現し、ＦｅＲＡＭの昇温に起因する記憶情報消失を抑止しようとする。例文帳に追加

To realize a ferroelectric multilayer structure having excellent heat resistance based on the theoretical consideration about the effect on potential, when two-dimensional load of the [111] axis and the vertical axis is loaded on the [111] oriented ferroelectric membrane and to inhibit the memorized information from vanishing due to the temperature rise of an FeRAM. - 特許庁