任意ポテンシャルの英語

半導体中の離散不純物対する有効不純物ポテンシャルを、任意性のあるパラメータを含むことなく、数値的に安定に算出する有効不純物ポテンシャル算出方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an effective impurity potential calculating method for numerically and stably calculating effective impurity potential with respect to discrete impurities in a semiconductor without including an arbitrary parameter. - 特許庁

ペアポテンシャル行列変形部２７は、第１入力構造および第２入力構造に基づいてペアポテンシャル行列を圧縮し、第１入力構造に出現する任意の要素と第２入力構造に出現する任意の要素で作られる任意のペアの相互作用エネルギーを配列した圧縮ペアポテンシャル行列を生成する。例文帳に追加

A pair potential matrix deformation part 27 compresses a pair potential matrix based on a first input structure and a second input structure, and generates a compressed pair potential matrix in which the interaction energy of an arbitrary pair configured of arbitrary elements appearing in the first input structure and arbitrary elements appearing in the second input structure is arrayed. - 特許庁

係数行列と残差ベクトル設定手段５４は、擬フェルミポテンシャルから、それぞれの格子内の任意の点におけるキャリア濃度を求め、基本方程式に対する係数行列と残差ベクトルを設定する。例文帳に追加

The coefficient matrix and residual vector setting means 54 obtains the carrier density a point in each of the lattices from the quasi-Fermi potential to set a coefficient matrix and residual vector for a fundamental equation. - 特許庁

本実施形態の水素プラズマ処理方法は、水素ガスが封入された真空容器１内にて、プラズマを発生させて絶縁性被処理材４の表面処理を行う際に、絶縁性被処理材４に生ずるフローティングポテンシャルに応じて高周波の電力を変えて基板ホルダ5に高周波を印加し絶縁性被処理材４の表面電位を任意にコントロールする。例文帳に追加

In a method for hydrogen plasma treatment, the surface potential of an insulating material 4 to be treated is controlled arbitrarily, by impressing radio frequency upon a substrate holder 5 by changing radio-frequency power according to the floating potential generated in the material 4 when implementing the surface treatment of the material 4, by generating a plasma in a vacuum vessel 1 which encloses a hydrogen gas. - 特許庁