分子線二ピタキシーの英語

分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によりウエハ上に半導体層を作製する方法において、一つの原料を供給するために、半導体層を作製する面に出射口を向けて設置された少なくとも二つのセルを同時に使用する。例文帳に追加

In a method of forming the semiconductor layer on a wafer through a molecular beam epitaxy method or a gas source molecular beam epitaxy method, at least two cells, which are installed in face to face with their discharge orifices toward the surface of the wafer where the semiconductor layer is formed, are used at the same time for feeding a single raw material. - 特許庁

分子線エピタキシーで用いる分子線源用熱分解窒化ホウ素製二重容器において、該熱分解窒化ホウ素製二重容器の内容器の、波数２６００ｃｍ^−^１〜６５００ｃｍ^−１の光の透過率が、外容器の９０％以下であることを特徴とする熱分解窒化ホウ素製二重容器。例文帳に追加

In the pyrolytic boron nitride double vessel for a molecular beam source to be used for the molecular beam epitaxy, the transmissivity of the inner vessel of the pyrolytic boron nitride double vessel with respect to the light having a wave number of 2,600 to 6,500 cm-1 is ≤90% that of the outer vessel. - 特許庁