半導体式温度計の英語

本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板と、前記半導体基板に接触しない状態で前記半導体基板を測温するための非接触式温度計であって、前記非接触式温度計が測温可能な直線上に前記半導体基板が移動可能である前記非接触式温度計と、前記非接触式温度計を校正するための基準温度を、測定するために用いられる測定板と、前記測定板に接触した状態で前記測定板の基準温度を測定する接触式温度計とを有し、前記測定板は、前記非接触式温度計が測温可能な直線上における、前記非接触式温度計を基準に前記半導体基板より遠い位置に配置されている。例文帳に追加

The measurement plate is arranged in a position farther than the semiconductor substrate on the basis of the noncontact thermometer on the line where the noncontact thermometer can measure. - 特許庁

光温度計にて測温する光照射式熱処理装置において、加熱処理される半導体ウェハの外周分と中心部の温度差を低減し、均一に加熱すると共に半導体ウェハを保持する補助加熱板を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an auxiliary heating plate which is capable of lessening a temperature difference between the peripheral part and center of a semiconductor wafer so as to uniformly heat the semiconductor wafer, holding it in a light irradiation-type thermal treatment device in which temperature is measured with an optical pyrometer. - 特許庁

本発明は、電力用半導体素子と、電圧を印加することにより発熱する発熱層と温度の計測が可能な感熱層とから形成される発熱感熱デバイスを設け、前記電子用半導体素子と電気的に接続された配線基板とを備える電子式制御装置を提供する。例文帳に追加

The electronic control apparatus includes a power semiconductor device, and a wiring board provided with a heating and sensing device formed of a heating layer producing heat when a voltage is applied and a heat sensing layer capable of measuring a temperature, and electrically connected with the power semiconductor device. - 特許庁

半導体ＩＣデバイス（ＤＵＴ）の機械的振動および温度誘発の動きに影響されずしかもＤＵＴ上の活性領域近傍で基準点を定める必要のない波形プローブのための干渉計式の方法を提供する。例文帳に追加

To provide an interferometer type method for a waveform probe requiring no setting of a reference point near the active region on a semiconductor IC device (DUT) without affected by mechanical vibration nor temperature- induced movement of the DUT. - 特許庁

また、他の観点における本発明は、電力用半導体素子と、前記電子用半導体素子と電気的に接続された配線基板とを備える電子式制御装置を備える電子式制御装置の余寿命予測方法であって、前記配線基板に設けられた発熱層を加熱し、前記配線基板に設けられた感熱層の温度変化を計測することを特徴とする電子式制御装置の余寿命予測方法を提供する。例文帳に追加

The prediction method of a remaining life of the electronic control apparatus provided with the power semiconductor device and the wiring board electrically connected with the power semiconductor device includes the steps of heating the heating layer provided on the wiring board, and measuring a temperature change of the sensing layer provided on the wiring board. - 特許庁