固定電荷密度の英語

層間窒化シリコン膜26の膜中固定電荷密度がゲート窒化シリコン膜16の膜中固定電荷密度より高くなる。例文帳に追加

The intra-film fixed charge density of the interlayer silicon nitride film 26 becomes larger than the intra-film fixed charge density of the gate silicon nitride film 16. - 特許庁

固定電荷密度の増加を招くことなく、薄いゲート絶縁膜を形成すること。例文帳に追加

To form a thin gate insulating film without causing increase of a fixed charge density. - 特許庁

低密度の酸化アルミニウム膜は負の固定電荷を有し、これにより薄膜トランジスタの閾値電圧が正方向へシフトする。例文帳に追加

The low-density aluminum oxide film has negative fixed charge, thereby threshold voltage of the thin film transistor shifts to positive direction. - 特許庁

これにより、ゲート酸化膜中にＮ型不純物がドーピングされるようにして、界面準位密度や固定電荷密度の低い信頼性が高く、高性能な構造とする。例文帳に追加

An n^--type impurity is doped in the gate oxide film to provide a high performance structure having a low surface level density, a low fixed charge density and a high reliability. - 特許庁

イオン化したＧａ空孔１４による高密度の固定負電荷層が存在するため、エネルギーバンドの曲率が大きくなり、ショットキー障壁が薄くなって、オーミック特性が実現する。例文帳に追加

Since a fixed negative charge layer in high density by the ionized Ga voids 14 exists, the curvature of energy band becomes large, the Schottky barrier becomes thin, and the ohmic property is materialized. - 特許庁

シリコン酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いることにより、膜全体の固定電荷密度を低減させるとともに半導体膜成膜時の原料原子の吸着をうながす。例文帳に追加

By using a silicon oxide nitride film for the gate insulating film, the fixed charge density of the entire film is reduced and the absorption of raw material atoms when forming a semiconductor film is accelerated. - 特許庁

電界効果トランジスタのゲート電極５に接続されたフローティング電極７の表面にＤＮＡプローブ８を固定化し、ターゲット遺伝子とフローティング電極の表面でハイブリダイゼーションを行わせ、その際に生ずる表面電荷密度の変化を電界効果を利用して検出する。例文帳に追加

This biomolecule detecting element is constituted so that a DNA probe 8 is fixed on the surface of the floating electrode 7 connected to the gate electrode 5 of a field effect transistor and the hybridization of a target gene is performed on the surface of the floating electrode while a change in surface charge density caused at this time is detected by utilizing a field effect. - 特許庁