変調ドーピングの英語

マスクを形成することなく空間的に選択的にドーピングを行うことができる空間変調ドーピング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a spatial modulation doping method capable of selectively carrying out spatial doping without the need for forming a mask. - 特許庁

半導体装置の製造において、オートドーピングを抑制することによりドーピング領域の境界をクリアにすることができるので、単原子層ドーピングや変調ドーピング層を有する高機能電子デバイスが設計通りに製造できる。例文帳に追加

In the manufacture of a semiconductor device, the automatic doping is inhibited for making clear the boundary of a doping region, thus manufacturing an electronic device, having single atom layer doping and modulation doping layers, and superior functions according exactly as designed. - 特許庁

空間変調ドーピング方法、半導体装置の製造方法および量子装置の製造方法例文帳に追加

SPATIAL MODULATION DOPING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF QUANTUM DEVICE - 特許庁

Ｎ型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、Ｎ型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。例文帳に追加

In the effective region of pixels in the depth direction from the surface of an N type semiconductor substrate, modulation doping is executed so that the concentration of N type dopants becomes lower as getting deeper from the surface side of the semiconductor substrate. - 特許庁

障壁層４ａ内で井戸層４ｂの［００１］方向側の界面と接する部分にアクセプタ準位が多く形成され、障壁層４ａ内で井戸層４ｂの［００-1］方向側の界面と接する部分にドナー準位が多く形成され、変調ドーピング構造となっている。例文帳に追加

In the barrier layer 4a, there are many acceptor levels generated in a position in contact with a boundary on the [001] orientation side of the well layer 4b and many donor levels generated in a position in contact with a boundary on the [00-1] orientation side of the well layer 4b to form a modulation doping structure. - 特許庁