急速等温の英語

そして、次のステップＳ２の工程において、上記ウェーハを酸素含有ガス雰囲気中で等温熱処理しその後に急速降温を施すことによって、ウェーハのＤＺ層あるいはシリコンエピタキシャル層の表層部に固溶酸素の注入およびその濃度の調節を行う。例文帳に追加

Then, in the step of the next step S2, by applying isothermal annealing to the wafer in an oxygen-containing gas atmosphere then applying rapid heat reduction thereto, solid solution oxygen is injected to the surface layer part of the DZ (Denuded Zone) layer or silicon epitaxial layer of the wafer, and the concentration is adjusted. - 特許庁