拡散障壁の英語

ノンシリコン技術および方法に用いる窒化チタン拡散障壁例文帳に追加

TITANIUM NITRIDE DIFFUSION BARRIER USED IN NON-SILICON TECHNOLOGY AND METHOD - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体構造に対する拡散障壁スパイク例文帳に追加

DIFFUSION BARRIER SPIKES FOR III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURE - 特許庁

半導体装置における拡散障壁層の形成方法、半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING DIFFUSE BARRIER LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

拡散障壁層および白金族保護層によって保護された物品例文帳に追加

ARTICLE PROTECTED BY DIFFUSION BARRIER LAYER AND PLATINUM GROUP PROTECTIVE LAYER - 特許庁

拡散障壁を有する複合材物品及び該物品を組み込んだ素子例文帳に追加

COMPOSITE MATERIAL ARTICLE HAVING DIFFUSION BARRIER AND ELEMENT INCORPORATING IT - 特許庁

保護構造（３４）が、基板（３０）を覆う拡散障壁層（３６）であって、少なくとも約７０重量パーセントのイリジウムを含む拡散障壁層（３６）と、拡散障壁層（３６）が基板（３０）と保護層（４０）との間にあるように拡散障壁層（３６）を覆う保護層（４０）とを備える。例文帳に追加

The protection structure 34 is provided with the diffusion barrier layer 36 covering the base 30 and containing iridium of at least about 70 weight % and the protective layer 40 covering the diffusion barrier layer 36 so that the diffusion barrier layer 36 is between the base 30 and the protective layer 40. - 特許庁

拡散障壁（３４８）は、ＧＭＲが高い非晶質材料である。例文帳に追加

The diffusion barrier layer 348 consists of an amorphous material having high GMR. - 特許庁

信頼性の高い銅拡散障壁を生成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a copper diffusion barrier having high reliability. - 特許庁