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日英固有名詞辞典での「温長」の英訳

温長

日本人名前
読み方英語式ヘボン式訓令式ワープロ式
はるなHarunagaHarunagaHarunagaHarunaga

「温長」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 8322



例文

門湯本例文帳に追加

Nagato Yumoto Hot Spring Resort発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

時間常を保つ常剤バック及び保箱、常方法例文帳に追加

ROOM TEMPERATURE HEAT RETAINING AGENT BAG MAINTAINING ROOM TEMPERATURE OVER LONG HOURS, HEAT RETAINING BOX, AND HEAT RETAINING METHOD - 特許庁

地球暖化対策推進本部例文帳に追加

Headquarters Chairman発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

変換レーザ度制御回路例文帳に追加

WAVELENGTH CONVERSION LASER TEMPERATURE CONTROL CIRCUIT - 特許庁

尺融雪加パイプ例文帳に追加

LONGER SNOW-MELTING HEATING PIPE - 特許庁

変換方法と度安定型波変換素子例文帳に追加

WAVEFORM CONVERTING METHOD AND TEMPERATURE STABILIZED WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT - 特許庁

例文

工程S108では、障壁層を成する前に成度T_Wから成度T_Bに成炉10の度を変更する。例文帳に追加

In a process S108, the temperature of the growth furnace 10 is changed to a growth temperature T_B from the growth temperature T_W before the barrier layer is grown. - 特許庁

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「温長」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 8322



例文

半導体ウェハーWの度は放射度計120および短波放射度計130によって測定される。例文帳に追加

The temperature of the semiconductor wafer W is measured by a long-wavelength radiation thermometer 120 and a short-wavelength radiation thermometer 130. - 特許庁

好ましくはブロッキング層の成開始時における成度が活性領域成度に100℃を加えた度以下である。例文帳に追加

Preferably, a growth temperature during a growth start of the blocking layer may be below a temperature obtained by adding 100°C to an active region growth temperature. - 特許庁

可変ダイオードレーザを用いたガスタービンの高ガス度測定例文帳に追加

HOT GAS TEMPERATURE MEASUREMENT IN GAS TURBINE USING TUNABLE DIODE LASER - 特許庁

本発明は、耳内及び外気を容易に時間測定する。例文帳に追加

To easily measure a tympanic temperature and an outside air temperature for a long period of time. - 特許庁

度を620℃〜550℃の比較的低い度で成させるようにしてもよい。例文帳に追加

A growth temperature may be set at a relatively low temperature from 620 to 550°C to grow the layers. - 特許庁

度を620℃以下の比較的低い度で成させるようにしてもよい。例文帳に追加

A growth temperature may be grown at a comparatively low temperature of 620°C or lower. - 特許庁

気相成装置および気相成装置の度検出方法ならびに度制御方法例文帳に追加

VAPOR GROWTH DEVICE, METHOD FOR DETECTING TEMPERATURE OF VAPOR GROWTH DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF VAPOR GROWTH DEVICE - 特許庁

例文

結晶成時の成界面の面内度分布における最大度差が2℃以下とする。例文帳に追加

Where the maximum temperature difference in temperature distribution within the face of a growth interface when growing the crystal, is at mostC. - 特許庁

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「温長」の英訳に関連した単語・英語表現

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