絶縁ゲート半導体電界効果トランジスタの英語

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME - 特許庁

絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ及び半導体装置、並びにその製造方法例文帳に追加

INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET) AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

半導体基板１上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜３およびゲート電極４を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 3 and a gate electrode 4 of an insulated gate field-effect transistor (FET) are formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

電界効果型トランジスタと半導体装置と制御回路とそれらの制御方法及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ例文帳に追加

FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, CONTROL CIRCUIT, CONTROL METHOD THEREFOR, AND INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁

複合不純物構造体の製造方法、半導体装置、ＭＯＳ電界効果トランジスタ、及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE IMPURITY STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MOSFET TRANSISTOR, AND INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁

ゲート制御トランジスタは、ゲート、ソース、および、ドレインを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタか、又は、ゲート、エミッター、コレクターを有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタである。例文帳に追加

The gate control transistor is a metal oxide film semiconductor field effect transistor having a gate, a source, and a drain, or an insulated gate bipolar transistor having a gate, an emitter, and a collector. - 特許庁

半導体装置７０には、半導体基板１上に複数の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが設けられる。例文帳に追加

A semiconductor device 70 is provided with a plurality of insulated-gate field-effect transistors on a semiconductor substrate 1. - 特許庁