II-VI semiconductor compoundとは 意味・読み方・使い方

EMBEDDED ANGLE II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加

埋め込み山型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザダイオード - 特許庁

II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ITS HEAT TREATMENT例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶及び熱処理方法 - 特許庁

To provide a dry etching method of a II-VI compound semiconductor crystal for dry-etching the II-VI compound semiconductor crystal such as a ZnTe crystal at room temperature while keeping a flat surface as it is.例文帳に追加

ＺｎＴｅ結晶などのII−VI族化合物半導体結晶を平坦な表面を保ったまま室温でドライエッチングできるII−VI族化合物半導体結晶のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 105 is composed of a hexagonal II-VI group compound semiconductor, for example, p-type ZnO.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばｐ型ＺｎＯにより構成されている。 - 特許庁

To grow a II-VI compound semiconductor single crystal layer of the high completeness of its crystallizability on a ZnTe substrate.例文帳に追加

ＺｎＴｅ基板上に結晶性の完全性高いII-VI族化合物半導体単結晶を成長する。 - 特許庁

RADICAL CELL DEVICE, AND MANUFACTURE OF II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ラジカルセル装置およびＩＩ−ＶＩ族化合物半導体装置の製法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法及び装置 - 特許庁