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Mn filmとは 意味・読み方・使い方
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「Mn film」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 270件
Both the (Ga, Mn)N thin film 11 and the (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 are a p-type semiconductor exhibiting ferromagnetism.例文帳に追加
(Ga, Mn)N薄膜11と(Ga, Mn)_2O_3薄膜12は共にp型半導体であって強磁性を示す。 - 特許庁
In the magnetoresistive element 10, a tunnel barrier thin film 13 composed of Ga_2O_3 is arranged between a (Ga, Mn)N thin film 11 where a part of Ga in GaN is replaced by Mn and a (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 where part of Ga in Ga_2O_3 is replaced by Mn.例文帳に追加
磁気抵抗素子10は、GaNにおいてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)N薄膜11と、Ga_2O_3においてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)_2O_3薄膜12の間に、Ga_2O_3から成るトンネル障壁薄膜13を配置したものである。 - 特許庁
The Mn-containing film (excluding the phosphate film) contains Mn of 0.5 to 5,000 mg/m^2.例文帳に追加
前記Mn含有皮膜(リン酸塩皮膜を除く)は、0.5〜5000mg/m^2のMnを含有する。 - 特許庁
The Mn-containing film (excluding the phosphate film) contains Mn of 0.1 to 10,000 mg/m^2.例文帳に追加
該Mn含有皮膜(リン酸塩皮膜を除く)が、0.1〜10000mg/m^2のMnを含有する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING Ge-Mn MAGNETIC SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加
Ge−Mn磁性半導体薄膜の製造方法 - 特許庁
Mn ALLOY MATERIAL FOR MAGNETIC MATERIAL, Mn ALLOY SPUTTERING TARGET AND MAGNETIC THIN FILM例文帳に追加
磁性材用Mn合金材料、Mn合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 - 特許庁
On the substrate S1, transparent pixel electrodes E_11-E_mn arranged in a matrix form, and transparent thin film transistors E_11-E_mn connected with these pixel electrodes respectively are formed.例文帳に追加
基板S1にはマトリクス状に配置された透明画素電極E_11〜E_mnと、これら画素電極にそれぞれ接続された透明薄膜トランジスタE_11〜E_mnが形成されている。 - 特許庁
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「Mn film」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 270件
The cold rolled steel sheet has a coating film containing oxides which contain, by mass, ≥ 0.05 mass% Mn and ≤ 0.020 mass% S, and contain Si on at least one side.例文帳に追加
Mn:0.05mass%以上およびS:0.020mass%以下を含有し、少なくとも一方の表面にSiを含有する酸化物を含む皮膜を有することを特徴とする冷延鋼板。 - 特許庁
The cold-rolled steel sheet includes Mn of 0.05 mass% or more and S of 0.020 mass% or less; and has a film containing P on at least one surface.例文帳に追加
Mn:0.05mass%以上およびS:0.020mass%以下を含有し、少なくとも一方の表面にPを含有する皮膜を有することを特徴とする冷延鋼板。 - 特許庁
Additionally, a label 2 formed from the film has a compressive strength which satisfies the following formula: y>x2.2 (wherein y represents a compressive strength (mN); and x represents a film thickness (μm)).例文帳に追加
y>x^2.2 …(1)、 式中、yは圧縮強度(mN)、xはフィルム厚み(μm)を表す。 - 特許庁
The Cu-Mn based brazing filler metal fine wire is composed of, by mass, 20 to 45% Mn, and the balance Cu with inevitable impurities, and in which a coating film having a composition satisfying the following inequality (1) is formed on the surface: Cu%/(Cu%+Mn%)≥0.85 (1).例文帳に追加
質量%で、Mn:20〜45%を含む、残部Cuおよび不可避的不純物からなり、表面に下記式を満たす組成の被膜が形成させたことを特徴とするCu−Mn系ろう材細線。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING A-SITE LAYERED ORDERED PEROVSKITE Mn OXIDE THIN FILM例文帳に追加
Aサイト層状秩序化型ペロブスカイトMn酸化物薄膜の製造方法 - 特許庁
Ru-Mn-O FINE POWDER, ITS MANUFACTURING METHOD AND THICK FILM RESISTOR COMPOSITION USING THE SAME例文帳に追加
Ru−Mn−O微粉末、その製造方法、及びそれを用いた厚膜抵抗体組成物 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING Mn-Ir ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC THIN FILM例文帳に追加
磁性薄膜形成用Mn−Ir合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
Also disclosed is a Cr-Mn-B-based thin film produced using the above sputtering target material.例文帳に追加
また、上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したCr−Mn−B系薄膜。 - 特許庁
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