SOI-sensorとは 意味・読み方・使い方

When the thickness of an SOI layer 3c of the SOI substrate is set to ≥7 μm and ≤20 μm, the levelling sensor light has a wavelength range of 450-633 nm.例文帳に追加

前記ＳＯＩ基板のＳＯＩ層３ｃの厚さを７μｍ以上２０μｍ以下とする場合は、前記レベリングセンサー光は、４５０ｎｍ〜６３３ｎｍの波長領域を有する。 - 特許庁

In a gyro sensor 1, conductivity in the post 41 can be easily secured by forming the post 41 having the thickness similar to an SOI substrate 20 by using a conductive material.例文帳に追加

ジャイロセンサ１は、導電性の材料を用いて、SOI基板２０と同様の厚さからなるポスト４１を形成することで、ポスト４１内の導通を容易にとることができる。 - 特許庁

A semiconductor pressure sensor 1 has as SOI substrate 2 on which a diaphragm 3 is formed, and four piezo resistance elements R1-R4 provided on the SOI substrate 2.例文帳に追加

半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor physical quantity sensor by using an SOI substrate 1, a single crystal silicon substrate 2 and buried oxide film 4 are removed after bonding the SOI substrate 1 to a sensor wafer 11 so that a single crystal layer 3 becomes a cap layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１を用い、ＳＯＩ基板１をセンサウェハ１１に貼り合わせてから単結晶シリコン基台２および埋め込み酸化膜４を除去し、単結晶シリコン層３がキャップ層となるようにする。 - 特許庁

A part except for a division comprising heater pattern out of SOI layers in the SOI substrate used for formation of a thermal type flow sensor S1 is selectively oxidized to form silicon oxide film 13 around the heater pattern.例文帳に追加

熱式流量センサＳ１を形成するために用いるＳＯＩ基板のＳＯＩ層のうちヒータパターンとなる部分以外を選択酸化し、ヒータパターンの周囲にシリコン酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide: an SOI substrate where an antireflective film or the like capable of preventing characteristics of an image sensor from deteriorating, are preformed; a method of manufacturing the same; and a method of manufacturing a solid-state image pickup device with the SOI substrate.例文帳に追加

イメージセンサ特性の劣化を防止できる、反射防止膜などを予め形成したＳＯＩ基板とその製造方法およびそれを用いた固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An integrated circuit having MISFETs and wiring is formed on a silicon layer 102 of an SOI substrate, and the MEMS sensor containing a structure 125 inside is formed by processing a substrate layer 100 of the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン層１０２上にＭＩＳＦＥＴや配線を有する集積回路を形成し、ＳＯＩ基板の基板層１００を加工して、構造体１２５を含むＭＥＭＳセンサを形成している。 - 特許庁

The integrated circuit and the MEMS sensor are electrically connected to each other by a through-electrode 121 provided in the SOI substrate.例文帳に追加

そして、集積回路とＭＥＭＳセンサとは、ＳＯＩ基板の内部に設けられている貫通電極１２１によって電気的に接続されている。 - 特許庁