Si-dopedとは 意味・読み方・使い方

DEPOSITION METHOD OF ELECTRICALLY ACTIVE DOPED SI-CONTAINING CRYSTALLINE FILM例文帳に追加

電気的に活性なドープト結晶性Ｓｉ含有膜の堆積方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Mg DOPED P-TYPE Si AND THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

Ｍｇドープｐ型Ｓｉの作製方法および熱電変換材料 - 特許庁

Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER PRODUCED FROM THE Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT例文帳に追加

ＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴットおよびその製造方法、並びに、当該ＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴットから製造されたＳｉドープＧａＡｓ単結晶ウェハ - 特許庁

A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.例文帳に追加

ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。 - 特許庁

The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.例文帳に追加

ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁

Finally, the silane gas is additionally supplied and the doped semiconductor layer 144 formed of the Si-doped GaN is grown in the thickness of 30 nm under the same temperature.例文帳に追加

最後に、シランガスを追加し、同温にてＳｉをドープしたＧａＮからなる添加半導体層１４４を３０ｎｍの膜厚で成長させる。 - 特許庁

Following to the boron dope process, the Si substrates are immersed into hydrofluoric aqueous solution and a boron doped layer formed on the side opposite to the boron doped surface is removed.例文帳に追加

ボロンドープ工程後は、Ｓｉ基板をふっ酸水溶液に浸し、ボロンドープ面と反対面に形成されたボロンドープ層を除去する。 - 特許庁

The stack unit includes a compositionally graded layer 110 and a silicon (Si) delta-doped layer 112.例文帳に追加

積層単位は、組成傾斜層とシリコン（Ｓｉ）デルタ・ドープ層とを含む。 - 特許庁