Si-dopedとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR MANUFACTURING Mg DOPED P-TYPE Si AND THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

Ｍｇドープｐ型Ｓｉの作製方法および熱電変換材料 - 特許庁

DEPOSITION METHOD OF ELECTRICALLY ACTIVE DOPED SI-CONTAINING CRYSTALLINE FILM例文帳に追加

電気的に活性なドープト結晶性Ｓｉ含有膜の堆積方法 - 特許庁

A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.例文帳に追加

ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。 - 特許庁

The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.例文帳に追加

ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁

After that, boron is doped onto a surface of the exposed Si mechanism layer.例文帳に追加

その後、露出されたＳｉ機構層の表面にボロンがドープされる。 - 特許庁

A doped Poly-Si 6 is arranged in a trench 4 through an insulating layer 5, this doped Poly-Si 6 is made to be connected with a gate electrode 12.例文帳に追加

トレンチ４内に絶縁膜５を介してドープトＰｏｌｙ−Ｓｉ６を配置し、このドープトＰｏｌｙ−Ｓｉ６がゲート電極１２と連結されるようにする。 - 特許庁

The stack unit includes a compositionally graded layer 110 and a silicon (Si) delta-doped layer 112.例文帳に追加

積層単位は、組成傾斜層とシリコン（Ｓｉ）デルタ・ドープ層とを含む。 - 特許庁

In this state, the temperature of the Si substrate 2 is kept at about 1000°C, and Mg is doped into the Si substrate 2.例文帳に追加

この状態で、Ｓｉ基板２の温度を約１０００℃に保持して、Ｓｉ基板２にマグネシウムをドープする。 - 特許庁