Silicon–germaniumの英語

SILICON-GERMANIUM EPITAXIAL-GROWTH METHOD例文帳に追加

シリコン・ゲルマニウムエピタキシャル成長方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON GERMANIUM NANOWIRE AGGREGATE例文帳に追加

シリコンゲルマニウムナノワイヤー集合体の製造方法 - 特許庁

SILICON-GERMANIUM ETCH STOP LAYER SYSTEM例文帳に追加

シリコンゲルマニウムエッチング停止層システム - 特許庁

The silicon germanium epitaxial layer includes: a first silicon germanium epitaxial layer having a doping profile where a germanium concentration gradually increases; a second silicon germanium epitaxial layer grown over the first silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with high concentration; and a third silicon germanium epitaxial layer grown over the second silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with low concentration.例文帳に追加

シリコンゲルマニウムエピタキシャル層は、ゲルマニウム濃度が漸進的に増加するドーピングプロファイルを有する第１シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、高濃度のＰ型不純物がドーピングされた第２シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、低濃度のＰ型不純物がドーピングされた第３シリコンゲルマニウムエピタキシャル層とを備える。 - 特許庁

To suppress the migration of silicon germanium films in depositing the silicon germanium film with a high activation rate of dopant.例文帳に追加

ドーパントの活性化率の高いシリコンゲルマニウム膜を成膜するにあたり、シリコンゲルマニウム膜のマイグレーションを抑えること。 - 特許庁

To improve characteristics with a silicon germanium layer while avoiding remarkable deterioration of the characteristics caused by the silicon germanium layer.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層による特性の劣化を顕在化させることなく、シリコンゲルマニウム層による特性の改善を享受させる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THREE ELEMENT MIXED CRYSTAL FILM OF SILICON/GERMANIUM/CARBON AND THREE ELEMENT MIXED CRYSTAL FILM OF SILICON/GERMANIUM/CARBON例文帳に追加

シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜 - 特許庁

The semiconductor materials are silicon, germanium and compound semiconductor.例文帳に追加

半導体原料は、シリコン、ゲルマニウム及び化合物半導体である。 - 特許庁