cavity semiconductor laserとは 意味・読み方・使い方

To provide a vertical cavity surface emitting semiconductor laser and a surface emitting semiconductor laser array capable of controlling the polarization direction of laser beams.例文帳に追加

レーザ光の偏光方向の制御が可能である面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイを提供する。 - 特許庁

Furthermore, there are provided tunable external cavity semiconductor laser in which the chip etalon's FSR is an integral multiple of the laser cavity's FSR, and fixed wavelength external cavity semiconductor laser in which the chip etalon's FSR is an integral multiple of the laser cavity's FSR.例文帳に追加

さらに、チップエタロンのＦＳＲがレーザキャビティのＦＳＲの整数倍である同調可能外部キャビティ半導体レーザや、チップエタロンのＦＳＲがレーザキャビティのＦＳＲの整数倍である固定波長外部キャビティ半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To acquire a stable single mode operation in an external cavity semiconductor laser.例文帳に追加

外部キャビティ半導体レーザーに安定した単一モード動作を獲得する。 - 特許庁

VERTICAL CAVITY SEMICONDUCTOR SURFACE EMISSION LASER ELEMENT AND OPTICAL SYSTEM USING THE SAME例文帳に追加

垂直空洞半導体面発光レーザ素子および該レーザ素子を用いた光学システム - 特許庁

OXIDE CONFINED TYPE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER WITH TWO STACKS例文帳に追加

二つのスタックを備えた酸化物閉じ込め型の垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE CONFINED TYPE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

酸化物閉じ込め型の垂直共振器型面発光半導体レーザの製造方法 - 特許庁

VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND OPTICAL TRANSMISSION APPARATUS例文帳に追加

面発光型半導体レーザ素子、面発光型半導体レーザ素子の製造方法、および光送信装置 - 特許庁

To provide a vertical cavity surface emitting semiconductor laser which suppresses a phase difference in fundamental lateral mode oscillation.例文帳に追加

基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁